不同粒径球阻抗理论计算方法及其实验验证

建立不同粒径球阻抗理论计算方法,提出球阻抗理论计算公式为6ρ/pd(ρ和d分别为球材料电阻率和球粒径),球阻抗理论计算数值与球粒径呈反比。通过实验测量3种不同粒径钢球阻抗数值,实验结果与理论计算相近。为计算不同粒径阻抗编码微球的理论阻抗数值提供数学公式。     

环戊基(苯)膦-镍系配合物的可见-紫外光谱及其空间构型

测定了环戊基(苯)膦-镍(II), 钯(II)和铂(II)十五种配合物的可见-紫外光谱, 并参照各吸收谱带的归宿, 推断了配合物的空间构型及其在溶液中的构型异构化现象.     

锂离子电池正极材料层状LiMn02的掺杂改性

层状LiMnO2具有成本低、无毒和比容量高等优点,是一种非常有发展前景的正极材料.本文介绍了近年来国内外层状LiMnO2的研究进展.主要阐述了层状LiMnO2的结构与性能的关系.结合笔者的工作,着重探讨了离子掺杂改性对层状LiMno2的电化学性能的影响.最后,简要指明了层状LiMnO2将来的可能研究方向.     

铁电压控谐振器的研究

研究了单端加载铁电叉指电容的微带半波长谐振器的压控特性.铁电材料为LaAlO3衬底上脉冲激光淀积的SrTiO3,叉指电容电极为金.测量了谐振器77K下的压控谐振性能.谐振频率在6GHz左右,70V偏压下的压控频率范围大于180MHz.在10～40V内,谐振频率与偏置电压之间呈良好的线性关系,谐振器的有载Q值为60～90.     

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors （E-mode HEMTs） are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad （Si）, the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

The effects of ⁶⁰Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

理想完全互溶双液系相图的数学解析

理想完全互溶双液系是两个组分都严格遵守Raoult定律的体系，从数学角度看，其平面相图有着确定的函数关系。本文以Clausius-Clapeyron方程为基础，推导了该类理想体系的p-x、T-x及p-T相图的函数解析式。     

新型铼系聚吡咯络合物（PPREC）结构与吸附小分子行为的研究

应用ＣＮＤＯ／２研究了铼系聚吡咯络全物的结构及吸附小分子的行为，探究了吸附过程的微观机制。优化了各个体系的几何构型，得到了稳定性与相对于能量、结合能、吸附取向、分子间距的依存关系。     

SrTiO3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析

在激光分子束外延实验中,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态.通过对RHEED图案分析,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的,后者与二维岛边界的弛豫相关.另外还观察到了等离子体对入射电子束的影响而导致的RHEED强度振荡行为的相位移现象. 关键词： 反射高能电子衍射 SrTiO3 表面晶格常数及衍射强度振荡     

一种提高薄膜体声波谐振器质量分辨率的主动控制方法

低浓度小分子检测对基于薄膜体声波谐振器的传感器的分辨率提出了较高要求,针对以上需求,提出一种提高薄膜体声波传感器分辨率的主动控制方法,即在谐振器的驱动电压上叠加一个反馈电压,该反馈电压是对通过谐振器的电流施加一个常数增益和一个常数相位差得到.反馈电压产生的声能部分地补偿了材料阻尼和声音散射引起的声能损失,进而提高了薄膜体声波传感器的品质因子和质量分辨率.忽略电极影响,基于连续介质理论得到了具有主动控制功能的薄膜体声波传感器阻抗的显式表达式.数值仿真结果表明,薄膜体声波传感器的阻抗强烈依赖于反馈电压相对于电流的增益和相位差,当采用适当的增益和相位差时,传感器的质量分辨率可以大幅提高.以上主动控制方法对提高石英晶体微天平的分辨率同样有效.