由Lévy过程驱动的BSDE定义的一般非线性期望

本文研究了平凡可积随机变量的一类非线性期望f-期望.利用陈增敬推广g-期望的方法,扩张了f-期望的定义空间.     

汞压对液相对延（Hg,Cd）Te的液相线及组份的影响

Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及理论，计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化，并就液相外延的生长条件进行了分析。     

Hg1－_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

p-HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量

用变分自洽方法求解了ｐ－ＨｇＣｄＴｅ金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构Ｎ型反型层子能带的基态能量Ｅ₀及其与表面电子浓度的关系，计算中考虑了窄禁带半导体Hg_1-xCd_xTe带间相互作用所引起的非抛物带结构、波函数平均效应、共振缺陷态、Ｚｅｎｅｒ隧穿、以及电场在屏蔽长度内的衰减等因素，导出了子能带基态能量Ｅ₀的计算公式并获得了与实验符合较好的结果。     

n-Hg_(0.80)Mg_(0.20)Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 .     

茶叶中痕量铅的催化光度法测定

研究了测定痕量铅的催化光度法。在pH 11.0的NH3-NH4C l缓冲溶液中,铅(Ⅱ)催化H2O2对氧化还原型酚酞褪色的反应。测定铅的线性范围为0.014~0.64 ng/mL,检出限为1.23×10-11g/mL。用于茶叶的测定,结果令人满意。     

Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Hg_1-xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

L′evy 过程驱动的BSDE的反比较定理与Jensen不等式

本文研究了由一维L′evy过程驱动的倒向随机微分方程（BSDE）的反比较定理。利用一般g -期望下BSDE的反比较定理的证明方法,推导出了一般f -期望下BSDE的反比较定理,并给出了一般f -期望下Jensen不等式成立的充分必要条件。     

微电子机械系统（MEMS）面内位移的扫描离子束云纹法实验研究

本文提出应用扫描离子束云纹法测量微电子机械系统面内变形的新方法。对该方法的测量原理以及实验技术进行详尽地阐述，通过平行云纹典型实验对本方法的测量精度进行了检验。成功地将扫描离子束云纹法应用于微悬臂梁表面氧化层随时间生长所引起的变形测量，实验结果表明了该方法的可行性。     

双面抛光运动的数学建模及轨迹优化

双面抛光运动过程复杂,对光学材料的加工有重要的影响,运动轨迹分布不但影响加工效率,而且影响加工工件的表面质量.通过分析双面抛光加工的运动过程,建立双面抛光中任意一点相对于上抛光盘的运动轨迹的数学模型,改变数学模型中的轨迹运动参数,观察不同参数值对抛光轨迹分布的影响,优化分析得出抛光轨迹分布最佳的运动参数值.研究结果表明...