Hg1－_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

多酚氧化酶在聚乙烯醇接枝谷氨酸树脂Cu(Ⅱ)配合物上的固定化

金属离子;高分子配合物;多酚氧化酶在聚乙烯醇接枝谷氨酸树脂Cu(Ⅱ)配合物上的固定化     

Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Hg_1-xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

Si1-xGex合金的红外透射光谱

本文报道了4.2～300K温度范围的富含Si的Si_1-xGe_x合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到Ge杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_1-xGe_x合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动.     

GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应

报道了n型GaAs的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与LO声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为，以及钉扎在LO声子能量处的光电导峰的物理起源     

外延Si1-xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

在Si_1-xGe_x合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Si_0.92Ge_0.08合金中浅施主磷的2p_±及3p_±态的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Si_0.92Ge_0.08合金中磷施主的电离能为45.51meV．与硅相比，由于合金的无序效应，Si_1-xGe_x合金的分立谱线发生明显展宽 关键词：