Hg1－_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Hg_1-xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

HCl—Fe~( )溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑

实验观察了HCl-Fe~( )溶液显示Insb{111}晶面位错蚀坑的精细结构,研究了蚀坑结构与位错线走向以及滑移面的关系,并讨论了这种蚀坑形成的动力学过程。研究结果表明,在<112>与<112>晶向的溶解台阶上,折角的不同核化几率与横向运动速度是位错饮坑具有二类不同性质溶解边缘的基本原因。     

汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。     

不同邻晶面Hg1-xCdxTe外延薄膜的特性分析

在取向不同的CdTe衬底上用液相外延技术生长了Hg_1-xCd_xTe薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、X射线双晶衍射、红外吸收及Raman光谱等手段分析了不同邻晶面外延层的性质，结果表明，在“近平面”（衬底偏角δ＜0.1°）或“无台阶面”（δ≈1.2°）上生长的外延层的晶格质量及光学性能较好 关键词：     

HCl—Fe+++溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑

实验观察了HCl-Fe⁺⁺⁺溶液显示Insb{111}晶面位错蚀坑的精细结构,研究了蚀坑结构与位错线走向以及滑移面的关系,并讨论了这种蚀坑形成的动力学过程。研究结果表明,在<112>与<112>晶向的溶解台阶上,折角的不同核化几率与横向运动速度是位错饮坑具有二类不同性质溶解边缘的基本原因。 关键词：