排序方式： 共有38条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1.
本文用类激子模型把多相Y_xBa_(3-x)Cu_2O_7系列高T_c超导体的远红外区大多数吸收峰分为三个线系,模型和实验结果符合很好(△<4cm~-1),显示出这些吸收峰有着非声子起源——类激子的能级跃迁,它提示我们Y_xBa_(3-x)Cu_2O_7高Tc的机制是由声子和激子能级跃迁的共振耦合决定的。实验得到的远红外谱表明超导样品和不超导样品几个吸收峰上有明显差别,这可以由它们的费密能级的位置不同来解释。最后给出了一些实验的结果预测。 相似文献
2.
从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ZnSe（100）表面电子结构，讨论了ZnSe（100）无再构无弛豫理想表面及其c（2×2）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ZnSe（100）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Farel等的实验结果，分析了ZnSe（100）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比，理论与实验符合较好
关键词： 相似文献
3.
我们用激光轰击石墨靶成功地制备出类金刚石无氢非晶碳薄膜.测量了光学吸收、光致发光及其随入射光强度的变化关系.结果表明,这种薄膜具有类金刚石的性质,光学带隙在1.67-2.25eV,发光在可见光区呈宽带结构.低激发强度下发光强度超线性变化,而在高激发强度下则为线性发光.我们用非成对载流子复合的模型对结果给出了合理的解释.用带尾态饱和的模型解释了发光峰值随激发光强增加而蓝移的现象. 相似文献
4.
研究了低温下Nd0.9 La0.1 P5O14晶体中,Nd3+离子在0.9,1.05,以及1.35μm附近发光光谱的精细结构及相应的跃迁过程,并与Nd:YAG晶体中Nd3+离子发光光谱及相应的跃迁作了比较。在77K-500K的温度变化范围内,研究了Nd3+在两种晶体中最强的发光线的温度依赖关系,发现相反的变化规律,指出这是与两种晶体的结构及跃迁过程有关。 相似文献
5.
研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。 相似文献
6.
刚制备的多孔硅与金属盐溶液接触会产生金属离子在多孔硅表面和吸附现象。实验显示这一现象只发生在新鲜的多孔硅表面, 而存放一月以后的样品不具备此性质。文中把这一现象归因于新鲜的多孔硅表面电子的富集, 溶液中金属离子从多孔硅表面获得电子而附着。多孔硅表面电镀金属过程中, 一定电压下电镀电流密度在起始阶段逐渐下降, 可以用一个指数关系式较好地描述, 在本文中有一个唯象模型予以解释。 相似文献
7.
利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,不仅计算了CdTe(111)表面两类模型四种表面的电子结构,给出了总态密度,包括表面态在内的局域及分波态密度,而且与同步辐射实验结果比较分析了这些模型表面结构的稳定性;阐明了清洁理想CdTe(111)表面存在时,表层原子可能存在状态,该结果与Wu等的实验结果符合。
关键词： 相似文献
8.
以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。
关键词： 相似文献
9.
对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量，用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定，通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响，从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律.
关键词：
光致发光
应力
Raman光谱 相似文献
10.
分别采用99.99%的多晶铜片和99.95%的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜.使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Raman光谱和X射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜.脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数.特别采用了退火工艺和优化的生长条件来获得大面积的连续金刚石膜.
关键词： 相似文献
|
