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| 一种模拟多孔硅结构的新方法 | |
| 引用本文： | 金耀辉,陈永聪,方容川,张海峰,李永平.一种模拟多孔硅结构的新方法[J].物理学报,1995,44(4):590-598. |
| 作者姓名： | 金耀辉 陈永聪 方容川 张海峰 李永平 |
| 作者单位： | (1)中国科学技术大学材料科学与工程系; (2)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥230026; (3)中国科学技术大学物理系,合肥230026; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
| 摘 要： | 以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。
关键词： |
| 关 键 词： | 硅 多孔硅 结构模拟 TEM HRTEM |
| 收稿时间： | 1994-02-14 |
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