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利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。 相似文献
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The distribution of Sb atoms in δ-doped silicon crystals grown by molecular beam epitaxy at different temperatures was measured using the technique of synchrotron radiation X-ray low angle reflection. The esults indicate that the doped Sb atoms are distributed exponentially in the epitaxial layers, and the 1/e decay lengths are 0.45, 0.95 and 3.5 nm for the samples grown at temperatures of 250, 300 and 350℃, respectively. For samples grown at 400℃, the 1/e decay length of the Sb atomic distribution increases drastically because of the segregation of Sb atoms during the growth process. 相似文献
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北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了北京同步辐射装置的4W1C光束线和X射线漫散射实验站的技术特点.利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为4.4×10-4、光斑大小为0.5mm(水平)×0.3mm(垂直)的聚焦单色X射线光束,研究了准周期非晶多层膜的X射线漫散射──非镜面散射.实验结果表明,准周期多层膜的漫散射强度分布在倒空间中与表面平行的条纹上并形成散射强度的调制.对散射强度调制进行的模拟计算得到相当满意的结果. 相似文献
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