p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明，掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明，掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明，空穴浓度与热处理温度有很大的关系，525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内，空穴的浓度与In的含量有直接的关系，并随In含量的增加而增加. 关键词： SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

载气气氛对Co/MgMoO4催化剂CVD法高效合成碳纳米材料的影响

High yield and quality mutli-walled carbon nanotube (MWNT) bundles and carbon nanofibers were synthesized by catalytic decomposition of methane over Co/MgMoO₄ catalyst at 1 000 ℃. TEM studies showed that the products were mainly carbon nanofibers without carrier gas and were all MWNT bundles with hydrogen or nitrogen as carrier gas. Thermal gravimetric analyses (TGA) on the raw product indicated that the purity of MWNT was higher than 95wt%. The growth mechanism of carbon nanofibers and MWNTs was also discussed.     

酞菁氧钛/卟啉氧钒复合体系光导性能的协同增强效应

在酞菁氧钛（TiOPc)／卟啉氧钒（VOTPP）复合光生材料中发现了光敏性的非线性增强现象，对复合体系的电子跃迁光谱和X射线衍射图的研究结果表明，在基态下两种材料之间没有明显相互作用，光致放电研究说明，该现象来自光激发状态下复合体系中的隙间态跃迁对光导的贡献，XPS测试结果表明酞菁氧钛与卟啉氧钒分子之间存在着定向的部分电荷转移，光致激发状态下的电荷转移是协同增强效应的起因，这种协同增强效应为利用弱的电子给体与弱的受体复合体系设计新型光导材料与器件提供了新方法。     

一种新型苝酰亚胺的合成及其与C60之间的电荷转移作用

设计和合成了一种新型苝酰亚胺电子受体—N,N ′-二嘧啶基苝四羧基二酰亚胺(DMP), 利用傅里叶红外光谱和元素分析表征了DMP的分子结构. 通过与N,N ′-二苯基-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺(DPP)的循环伏安实验的对比, 证明了嘧啶基的引入降低了分子的LUMO能级. 研究了DMP与C₆₀层-层蒸镀(layer-by-layer evaporation)薄膜的荧光变化, 确认其界面处发生了由于能级位置差异导致的电荷转移.     

单壁纳米碳管的纯化研究

A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc-discharge-grown single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air for the crude SWCNTs were used to eliminate the coexisting metal catalysts nanoparticles，carbon nanoparticles and amorphous carbon. Then we used the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) to characterize the crude SWCNTs prepared by arc-discharge method and the purified SWCNTs. The Raman spectra and the thermogravimetric analysis (TGA) were also utilized to analyze the approach of our purification for SWCNTs. With this method the SWCNTs with the purity more than 95% could be obtained.     

La0.8Ca0.2MnO3纳米线的制备及表征

利用Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 并研究了两种热处理方法对 La0.8Ca0.2MnO3纳米线结构和形貌的影响. 快速升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线较粗, 其直径大于氧化铝模板的孔径, 而经过缓慢升温到400 ℃预处理再升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 其直径和氧化铝模板的孔径相当, 都约为35 nm. X射线衍射和透射电镜分析结果表明, 两种方法得到的 La0.8Ca0.2MnO3纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料.     

纳米结构Bi2Te3化合物的低温湿化学合成

通过对溶液pH值和颜色以及粉末结构的原位分析, 研究了低温湿化学Bi₂Te₃纳米粉末合成过程中的化学和物理反应机制. 结果表明, 碱性添加剂对合成Bi₂Te₃是必要的. 采用65 ℃低温湿化学合成方法, 在添加乙二胺四乙酸二钠(EDTA)的情况下, 制备了Bi₂Te₃纳米囊. 高分辨电镜观察表明, 这种内空管状结构纳米囊的壁厚约为6 nm.     

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响，基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况，推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明，磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率，材料去除速率越高，晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性，4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高，磨料分散均匀，水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度；乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小，磨料易发生团聚，增大研磨过程的磨料切入深度，晶片的材料去除速率提高，晶片最大划痕深度随之增大。