| p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征 |
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| 引用本文： | 季振国,何振杰,宋永梁.p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征[J].物理学报,2004,53(12). |
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| 作者姓名： | 季振国 何振杰 宋永梁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6)，国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 3AA 3 A19 1)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加
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| 关 键 词： | SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电 |
Preparation and characterization of In-doped p-type SnO_2 thin films by sol-gel dip-coating |
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| JI Zhen-guo,He Zhen-Jie,Song Yong-Liang.Preparation and characterization of In-doped p-type SnO_2 thin films by sol-gel dip-coating[J].Acta Physica Sinica,2004,53(12). |
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| Authors: | JI Zhen-guo He Zhen-Jie Song Yong-Liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO 2 sol-gel p-type conductivity |
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