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An epitaxial graphene (EG) layer is successfully grown on a Si-terminated 6H-SiC ((9001) substrate by the method of thermal annealing in an ultrahigh vacuum molecular beam epitaxy chamber. The structure and morphology of the EG sample are characterized by reflection high energy diffraction (RHEED), Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). Graphene diffraction streaks can are clearly observed in the Raman spectrum. The AFM about 4-10 layers. be seen in RHEED. The G and 2D peaks of graphene results show that the graphene nominal thickness is 相似文献
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用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS(111)及(100)异质结的价带偏移ΔEv.对于Si/ZnS(111)及(100)两界面,ΔEv的实验结果均为(1.9±0.1)eV,与已有理论预期值相当符合,但与Maierhofer所报告的ZnS/Si(111)异质结测量结果之间则存在明显差别.该实验结果表明对于Si/ZnS极性界面,互逆性规则(commutativity rule)可能不成立,就此进行了讨论.
关键词: 相似文献
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Y-123相超导体Cu位掺Sn的XPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用X射线光电子能谱实验技术(XPS)研究了Y-123相Cu位掺Sn超导体的电子结构.实验发现在掺杂量较小时,样品的芯能级谱都变化很小,特别是Cu2p3/2谱,其卫星峰与主峰的强度比Is/Im还略有升高;但当掺杂量较大时,芯能级谱的变化方向与掺杂浓度较低时相反,Cu2p3/2谱的Is/Im出现了明显下降.电子结构上的这种变化与Sn掺杂对超导转变温度的影响相一致.实验结果表明高价态的Cu确实有益于超导,杂质Sn主要占据在Cu-O链上Cu的格位上. 相似文献
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PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC STUDY OF THE EFFECT OF Cs INTRALAYER ON THE BAND LINEUP OF Ge/InP(100) HETEROJUNCTION 下载免费PDF全文
The formation and band lineup of the Ge/InP(100) interface with or without alkali metal Cs intralayer (IL) are studied by means of X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). It is found that the Cs atoms do not react with or diffuse into the subatrate and the Ge overlayer. The thin Cs IL will induce an increase of the valence band offset (ΔEv) for the Ge/InP(100) heterojunction. The changes of ΔEv are proportional to the IL thickness and them saturate for IL thickness of about one half of a monolayer of Cs IL. Without the IL, ΔEv of the Ge/InP(100) heterojunction is equal to 0.70eV, and ΔEv with one half of monolayer IL is up to 0.90eV. These results show that the interface dipole plays a major role in the band lineup at the heterojunction interface. 相似文献
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用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了α-SiC及其非极性(101^-0)表面的原子与电子结构。计算出的α-SiC晶体结构:晶格常量和体积弹性模与实验值符合得很好。用平板超原胞模型来计算α-SiC(101^-0)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移。表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp^3杂化方式退化为sp^2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键。另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变。 相似文献
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用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了αSiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的αSiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算αSiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变 相似文献
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利用x射线光电子衍射的极角扫描模式,采集了GaN(0001)表面由(1010)和(1120)晶面产生的光电子衍射实验曲线,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0001)表面是Ga在最外层的极性面.利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0001)表面的极化性质进行了研究,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面.
关键词:
GaN
表面极性
光电子衍射 相似文献