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稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究
引用本文:徐世红,陆尔东,余小江,潘海斌,张发培,徐彭寿.稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究[J].物理学报,1996,45(11):1898-1904.
作者姓名:徐世红  陆尔东  余小江  潘海斌  张发培  徐彭寿
作者单位:中国科学技术大学结构分析开放研究实验室;中国科学技术大学国家同步辐射实验室;中国科学技术大学国家同步辐射实验室;中国科学技术大学国家同步辐射实验室;中国科学技术大学国家同步辐射实验室;中国科学技术大学国家同步辐射实验室
基金项目:国家自然科学基金及中国科学技术大学青年科学基金资助的课题.
摘    要:利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Sm/Si(100)2×1界面的形成与电子结构.实验结果表明,膜生长有几个不同阶段,分别为Sm原子聚集(Θ<0.5ML)、反应扩散(0.5ML≤Θ≤4—6ML)和金属Sm膜生长.与Si(111)7×7相比,Sm在Si(100)2×1的界面反应和扩散都得到加强.结合理论模型,讨论了该界面的形成与界面结构


SRPES STUDY OF THE Sm/Si(100) INTERFACE FORMATION AND ELECTRONIC STRUCTURES
XU SHI-HONG,LU ER-DONG,YU XIAO-JIANG,PAN HAI-BIN,ZHANG FA-PEI and XU PENG-SHOU.SRPES STUDY OF THE Sm/Si(100) INTERFACE FORMATION AND ELECTRONIC STRUCTURES[J].Acta Physica Sinica,1996,45(11):1898-1904.
Authors:XU SHI-HONG  LU ER-DONG  YU XIAO-JIANG  PAN HAI-BIN  ZHANG FA-PEI and XU PENG-SHOU
Abstract:
Keywords:
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