Co0.9Fe0.1薄膜面内元素分辨的磁各向异性

利用X射线磁性圆二色技术对Co0.9Fe0.1薄膜面内元素分辨的磁各向异性进行了研究,通过剩磁模式测量不同磁化方向的样品组分原子单位空穴磁矩的变化,发现除了在生长的磁诱导方向存在易磁化轴外,在与该轴垂直的方向还存在一个类似易轴的软磁化轴;面内的两个难磁化轴与易磁化轴取向大约成66°夹角,从而构成了面内双轴磁各向异性;对不同组分元素,其单位空穴磁矩随磁化方向的变化趋势基本相同,不同磁化方向Fe原子单位空穴的磁矩值约为Co的对应值的87%,反映了Fe原子和Co原子之间存在着强烈的铁磁性耦合.     

非晶Fe40Ni40P14B6合金阳极钝化膜的电子能谱研究

应用表面分析技术XPS和AES（包括深度分布）分析了非晶Fe40Ni40P14B6合金在H3BO3－Na2B4O7（pH＝9．20）缓冲溶液中不同钝化势或不同钝化时间形成的阳极钝化膜的元素化学状态、结构和化学组成，探讨了加入Ⅲ、Ⅴ族B、P对非晶FeNi基合金钝化成膜的影响，并给出了阳极钝性成膜的一种机制．     

光电子衍射与表面结构分析

光电子衍射是近年来发展成熟的研究外延表面和吸附表面的原子位型、结构、化学键、磁性等物理化学性质的表达分析方法。本概述了其基本原理以及在理论、实践两方面的最新进展,并且具体阐述了在不同的实验条件下光电子衍射基本的数据处理方法,并结合一些近几年发展起来的技术如光电子全息、自旋分辨的光电子衍射（SPPD）、磁二向色性角分布（MDAD）等讨论了光电子衍射在各种低维体系中的应用。     

Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH\-3CSNH\-2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现 其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥 键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co—S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散. 关键词：     

Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ系列超导体的XRD和XPS研究

实验研究了Bi2 Sr2 CaCu2 -xSnxO8 δ的X射线衍射 (XRD)和光电子能谱 (XPS) .实验发现随着掺杂 (Sn)量的增加 ,晶格参数a和c都有所变化 ,O1s和Cu2 p芯能级谱也发生了变化 .实验结果表明 :在低掺杂量时 ,Sn主要呈二价态 ;而在高掺杂浓度时呈四价态 ;掺Sn对超导电性的影响与其他元素的掺杂不同 .这些实验结果支持化学环境在高温超导样品的电子结构中起着重要作用的结论 .     

多晶Fe60Ni40合金阳极钝化膜的XPS研究

过渡金属Fe、Ni或其合金由于它们具有磁性和在工业上被用作催化剂等，它们与氧化腐蚀性气体02、C12等的作用已被广泛研究［‘－3］．含Ni的不锈钢和含Ni50％的FeNi基合金在酸性溶液中表现出比铁更好的耐腐蚀性并增强了氧化钝化层的附着力，放它们在溶液的腐蚀与钝性研究已引起广泛的兴趣，甚至包括对F6Ni基非晶合全玻璃的腐蚀与钝性研究【4一刊，用不同的方法研究溶液状态下的自然氧化膜或阳极钝化膜，得出的结果不同，对腐蚀与钝性解释也很不一致，硼酸一础砂或磷酸一磷酸盐缓冲液在工业上被广泛用作清洗剂、缓蚀剂或成膜剂等·因此，…     

6H-SiC（0001）-6[KF（]3[KF）]×6[KF（]3[KF）]R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究

利用同步辐射角分辨光电子能谱（SRARPES）对6H-SiC（0001）-6[KF（]3[KF）]×6[KF（]3[KF）] R30°重构表面的电子结构和表面态进行了研究.通过鉴别价带谱中来自于体态的信息,可以推断出重构表面的费米能级位于体态价带顶之上（2.1±0.1）eV处.实验测出的体能带结构与理论计算的结果较为符合.在重构表面上发现三个表面态,分别位于结合能-0.48 eV（S₀）,-1.62 eV（S₁）和-4. 关键词： 角分辨光电子能谱 碳化硅（SiC） 电子结构 表面态     

6H-SiC(0001)-6√3×6√3R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究

利用同步辐射角分辨光电子能谱(SRARPES)对6H-SiC(0001)-6√3×63√R30°重构表面的电子结构和表面态进行了研究.通过鉴别价带谱中来自于体态的信息,可以推断出重构表面的费米能级位于体态价带顶之上(2.1±0.1)eV处.实验测出的体能带结构与理论计算的结果较为符合.在重构表面上发现三个表面态,分别位于结合能-0.48 eV(S0),-1.62 eV(S1)和-4.93 eV(S2处.沿着表面布里渊区的高对称线ΓKM方向,测量了相关表面态的能带色散,只有表面态S0(-0.48 eV)表现出了所希望的6√3×6√3 R30°重构周期性.根据实验现象,可以认为,表面态S0应归结于重构表面的C-C悬键,而表面态S1则由重构表面未钝化的C悬键所导致.     

反光电发射谱技术及其应用

本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理,实验设备和实验方法,并详细综述了这种技术在表面科学,磁性材料,强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。     

Mn掺杂对ZnO薄膜结构及发光性能的影响

利用脉冲激光沉积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的Mn掺杂ZnO薄膜.X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现其它相,随着掺杂量的增加,c轴晶格常数增大.原子力显微镜结果显示:Mn的掺杂引起了ZnO薄膜表面粗糙度的变化.由光致发光谱发现,在387 nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰,还有以4...