光电子衍射与表面结构分析

光电子衍射是近年来发展成熟的研究外延表面和吸附表面的原子位型、结构、化学键、磁性等物理化学性质的表面分析方法。本文概述了其基本原理以及在理论、实践两方面的最新进展。并且具体阐述了在不同的实验条件下光电子衍射基本的数据处理方法 ,并结合一些近几年发展起来的技术如光电子全息、自旋分辨的光电子衍射 (SPPD)、磁二向色性角分布 (MDAD)等讨论了光电子衍射在各种低维体系中的应用     

角分辨光电子能谱技术及其应用进展

角分辨光电子能谱 (ARPES)是研究晶体表面电子结构 ,如能带 ,费米面 ,以及多体相互作用的重要工具。本文概述了光电子激发的一般过程和单粒子近似下的理论模型。详细讨论了角分辨光电子能谱的能带勾画 (EnergyBandMapping)和费米面成像 (FermiSurfaceMapping)技术 ,以及高分辨下的角分辨光电子能谱在强相关体系研究中的应用。文章最后简单介绍了当前角分辨光电子能谱研究的新进展 ,如研究宽禁带半导体材料的表面电子结构 ,有机功能材料与金属的界面 ,金属超薄膜中的量子阱态 ,以及高温超导机理研究等     

CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比,研究了CH₃CSNH₂钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响.发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象,削弱了As与铁磁金属的反应,形成了较窄的反应层,并且改善了界面磁性.初步探讨了S钝化影响As扩散的原因. 关键词： S钝化 半导体界面 电子结构 磁性     

CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .     

LiYF_4:Pr~(3+)能级晶场分裂链的计算

本文首次在稀土离子晶场光谱拟合中引进了唐敖庆等人的张量算符方法,从而获得了激光和上转换材料LiYF_4:Pr~(3+[2])对应于晶场群链(R_3T_dD_(2d)S_4)的能级分裂链,逐级晶场参量值和逐级近似波函数。这就为分析其有关空间电荷分布构形,讨论其光谱强度和其它光学、磁学、热力学性质等提供了逐级近似的依据。     

ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究

利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法，对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究，从计算的缺陷形成能来看，缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较，我们认为：ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置. 关键词： ZnO APW+lo 缺陷态 局域振动模式     

Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究

分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。     

LiYF4:Pr3+能级晶场分裂链的计算

本文首次在稀土离子晶场光谱拟合中引进了唐敖庆等人的张量算符方法,从而获得了激光和上转换材料LiYF₄:Pr³⁺对应于晶场群链(R₃?T_d?D_2d?S₄)的能级分裂链,逐级晶场参量值和逐级近似波函数。这就为分析其有关空间电荷分布构形,讨论其光谱强度和其它光学、磁学、热力学性质等提供了逐级近似的依据。 关键词：     

STUDY OF IRON OVERLAYER ON SULPHUR PASSIVATED GaAs(100) BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION

We have studied the interface electronic structures and the chemical reaction of the Fe overlayer deposited on S-passivated GaAs(100). The chemical bond and electronic structure are different from Fe/GaAs, and the reaction between As and Fe is weakened by S atoms. This is beneficial to the magnetism in the interface. In the first stage of deposition, Fe clusters is form near S atoms due to the large electronegativity of S. The S atoms remain at the interface with Fe coverage. Magnetic ordering feature is found at a coverage higher than 0.6 nm. According to the large exchange splitting in valence band spectra, we suggest that Fe phase transition from bcc to fcc occurs with increasing coverage.