NH3(H2O)4稳定结构的理论研究

先构建氨水团簇的模型势,并计算得到NH3(H2O)4的模型势异构体,从中选取稳定性较好的异构体作为初始结构,分别利用密度泛函方法和二级微扰理论在6-31G(d)和6-311++G(d,p)基组水平上逐级进行结构优化、频率和单点能计算.发现包括第2和第3稳定结构等12种新异构体;NH3(H2O)4的五边形环状结构的稳定性最好;这种极性混合分子簇的偶极矩大小和包含的氢键数都与结构的稳定性无必然联系.     

利用电子散斑相移技术测量物体三维面形的方法

为了获得准确的面形测量,提出了一种相移电子散斑干涉技术测量物体面形的测量方法.利用电子散斑干涉产生载波条纹,该载波条纹受到物体表面高度的调制变得弯曲,引起载波条纹相位的变化,可运用相移技术提取物体的相位信息,最后根据高度和相位之间的关系得到物体的面形.介绍了该方法的原理,利用该方法对球冠物体进行了面形测量,证明该方法测量物体面形是可行性的.由于是采用散斑干涉的方法产生干涉条纹,因此该方法测量物体面形具有灵敏度高的优点.     

电子散斑干涉载频调制形貌测量方法的分析

根据电子散斑干涉载频调制测量物体形貌的基本原理,物体表面的微小偏转可引入包含物体高度信息的载波干涉条纹。将物体的偏转视为变形,对物体变形与载波干涉条纹之间的关系进行了讨论,得出了离面位移引入载波和面内位移引入含有物体高度信息相位的结论。发现利用典型电子散斑干涉系统测量物体形貌效果最好,并通过实验得到了验证。     

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HL-2A装置激光吹气系统采用了全新自动控制的设计方法,实现了杂质注入量、靶片位移以及激光器被触发的时刻的精确自动控制.运行结果表明,该系统能把杂质的注入量控制在适当的水平,既不对等离子体约束产生影响,又便于光谱测量和杂质粒子输运研究.给出了激光吹气系统的设计,以及初步的实验结果.     

编程求一元二次方程的根

本文欲编写一个程序,用于求一元二次方程的根,使得只要给出了方程的系数,该方程的根就可立即求出．为使所编程序如同做数学题一样,我们采用数学软件MATHCAD进行编写．     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电吸收谱的线形分析

采用电调制技术在室温下测量了 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电吸收谱 ,并对电吸收谱线形进行了分析。纳米晶体与第一个吸收峰有关的电吸收谱结构具有吸收系数对能量的二阶微商特征 ,表明第一激发态在电场作用下以吸收谱线的宽化为主 ,而纳米晶体尺寸不单一是吸收谱线宽化的主要因素。共振电光响应信号的峰值位置、过零点位置以及电吸收谱的线形几乎不随外电场强度而变化 ,信号幅度随外电场强度的平方线性增加。 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电光效应是Kerr效应 ,纳米晶体具有三阶非线性光学极化率 Χ( 3 )。     

基于模式识别技术的色貌模型评价研究

选用Munsell新标数据集,采用基于模式识别技术的圆度、色相角偏差、明度线性度与空间投影点聚集度四个指标来分别评价目前八个典型色貌模型在彩度均匀性、色相预测准确性、明度均匀性、颜色的空间再现的能力。结果表明,不同的色貌模型在四个方面的颜色再现性上表现出不同的优势。八个色貌模型对彩度预测最好的是RLAB,每个色貌模型对红色和绿色预测比较好,CAM02在色相预测整体上占优势;明度的均匀性预测都比较好,尤其是CIELAB;LLAB的颜色的空间再现能力最好。     

Density and impurity profile behaviours in HL-2A tokamak with different gas fuelling methods

The electron density profile peaking and the impurity accumulation in the HL-2A tokamak plasma are observed when three kinds of fuelling methods are separately used at different fuelling particle locations. The density profile becomes more peaked when the line-averaged electron density approaches the Greenwald density limit n_G and, consequently, impurity accumulation is often observed. A linear increase regime in the density range n_e< 0.6n_G and a saturation regime in n_e > 0.6n_G are obtained. There is no significant difference in achieved density peaking factor f_ne between the supersonic molecular beam injection (SMBI) and gas puffing into the plasma main chamber. However, the achieved f_ne is relatively low, in particular, in the case of density below 0.7n_G, when the working gas is puffed into the divertor chamber. A discharge with a density as high as 1.2n_G, i.e. n_e = 1.2n_G, can be achieved by SMBI just after siliconization as a wall conditioning. The metallic impurities, such as iron and chromium, also increase remarkably when the impurity accumulation happens. The mechanism behind the density peaking and impurity accumulation is studied by investigating both the density peaking factor versus the effective collisionality and the radiation peaking versus density peaking.     

有机改性蒙脱石的表征及去除污水COD的应用

以钠基蒙脱石(Na-MMT)为原料,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为改性剂,水相合成法制备了有机改性蒙脱石(OMMT),用于吸附污水中有机污染物,降低污水化学需氧量(COD)值。所制备的有机改性蒙脱石经XRD、FTIR表征,结果显示CTAB已经插入蒙脱石层间,层间距有明显增大,d(001)从未改性前的1.53nm增大到2.53nm。水样COD测定结果表明,将其用于COD=503.8mg/L的污水,pH=7,有机改性蒙脱石用量1.0g/100mL,吸附时间1h时,可使COD降至46.3mg/L,COD去除率达90.8%。     

CTMAB-Al复合改性蒙脱石的表征及应用

以钠基蒙脱石（Na-MMT）为原料,用十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）预先改性,再用羟基铝柱撑液改性,制备不同CTMAB用量的复合改性蒙脱石（CTMAB-Al-MMT）,用于同时吸附水中苯酚和镉离子.复合改性蒙脱石用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外光谱（FTIR）表征.结果表明,CTMAB和羟基铝阳离子已有效进入蒙脱石层间,层间距随CTMAB加载量增大而增加,吸附率随CTMAB加载量增大有明显提高.当复合改性蒙脱石用量为0.1g/50mL,吸附时间2h,pH=10时,苯酚吸附率达92.1％,镉离子吸附率达98.8％.