极值法监控中的几个技巧问题(续)

<正> 3.挡板形状的修正上述挡板形状的设计是在一些假定条件下得到的,在实际的真空室中这些条件不会被满足,因此要对设计的挡板进行修正。首先,应当对挡板的R_i值进行修正。在上述设计中,只有挡板无限靠近工件时才是正确的,即这时挡板和工件之间的距离S=0(参见图16),但实际上这不可能,因为工件是旋转的,而挡板是固定的,当S值比较大时,挡板的R_i值要用下式进行修正     

西德和法国光学薄膜的技术概况

一、薄膜技术在光学生产中的地位西德和法国都极为重视光学薄膜技术的发展,认为它是决定光学仪器质量的主要指标之一,因此,都花费了很多人力物力投入研究发展工作,甚至成立专门的光学薄膜实验室和研究室(如法国的mto)。     

法国的紫外膜技术

一、前言由于空间技术、天文物理、激光、光谱学、物质分析等科学技术发展的需要,法国对紫外、远紫外甚至x光波段的光学镀膜技术进行了积极的研究。目前,法国在紫外、远紫外光谱区的镀膜技术上已经达到的水平,可分成三个区域来说明:1.从300A到1100A在这个光谱区域,因为到目前为止没有找到合适的透明材料,所以制造干涉滤光片是不     

一种新的膜系设计方法——Needle法

Ｎｅｅｄｌｅ法是一种先进的膜系设计方法，它克服了传统优化方法容易陷入局部极值的缺点，通过在膜系中插入薄层，使得评价函数降低，优化设计可以从任意给定的一层膜开始，文中给出了其数学模型及详细的推导。     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电吸收谱的线形分析

采用电调制技术在室温下测量了 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电吸收谱 ,并对电吸收谱线形进行了分析。纳米晶体与第一个吸收峰有关的电吸收谱结构具有吸收系数对能量的二阶微商特征 ,表明第一激发态在电场作用下以吸收谱线的宽化为主 ,而纳米晶体尺寸不单一是吸收谱线宽化的主要因素。共振电光响应信号的峰值位置、过零点位置以及电吸收谱的线形几乎不随外电场强度而变化 ,信号幅度随外电场强度的平方线性增加。 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电光效应是Kerr效应 ,纳米晶体具有三阶非线性光学极化率 Χ( 3 )。     

评定异质硅膜质量的光学方法——光“吸收因子”法

<正> 目前,异质硅膜作为半导体器件材料已受到大家重视,其中以蓝宝石为衬底的气相外延硅片(SOS)已成功地应用于表面场效应集成电路的生产中。外延膜的质量对电路的性能起着关键作用,因此对薄膜质量的检测与控制,     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电光效应

采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS_0.1Se_0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场敏感,而其它激发态不敏感.从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应,具有三阶非线性极化率 χ⁽³⁾.     

膜系优化设计中的模糊输入及评价函数的改进

为建立更为合理科学的目标光谱函数,从而改进膜系的自动设计,在进行理想光谱曲线输入时,对光谱反射比或透射比要求不严格的波段不进行精确输入,只输入一个区间范围;要求严格匹配的波段,按点输入准确值。同时,评价函数的构造根据波段要求的严格与否做不同的变形。采用改进以后的方法设计的膜系与原来的膜系相比,层次减少,而且设计时间缩短。采用模糊输入法,对评价函数的构造做相应的变形,可以改进膜系的自动设计。     

减反、防静电、抗电磁辐射膜的研制

金属膜具有复折射率N =n -ik ,同时又具有金属的导电特性。采用含有一层金属Cu的膜系代替原有的ITO透明导电膜来制作应用于CMT的减反、防静电、抗电磁辐射膜。经过理论分析 ,计算机辅助设计 ,最后进行实验验证 ,提出了一种全新的制作减反、防静电、抗电磁辐射膜的方法。测量结果验证了方法的可行性     

棱镜分光镜的棱镜设计与镀膜

一、棱镜分光的特点一般的分光镜都是在45°入射角的条件下使用的,其目的是想得到反射光与透射光互相垂直的两束光。为了实现这种分光,可采用两种形式:一是平板分光,一是棱镜分光,如图1所示。