全文获取类型
收费全文 | 74篇 |
免费 | 13篇 |
国内免费 | 18篇 |
专业分类
化学 | 14篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 5篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 24篇 |
物理学 | 60篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 4篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有105条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
为了获得准确的面形测量,提出了一种相移电子散斑干涉技术测量物体面形的测量方法.利用电子散斑干涉产生载波条纹,该载波条纹受到物体表面高度的调制变得弯曲,引起载波条纹相位的变化,可运用相移技术提取物体的相位信息,最后根据高度和相位之间的关系得到物体的面形.介绍了该方法的原理,利用该方法对球冠物体进行了面形测量,证明该方法测量物体面形是可行性的.由于是采用散斑干涉的方法产生干涉条纹,因此该方法测量物体面形具有灵敏度高的优点. 相似文献
3.
正张全兴(1938—),江苏常州人。环境工程和高分子材料专家,中国离子交换与吸附技术的主要开拓者之一,树脂吸附法治理有毒有机工业废水及其资源化领域的开创者。1962年毕业于南开大学化学系,2007年当选中国工程院院士,2009年荣获全国模范教师称号。 相似文献
4.
5.
6.
利用电子散斑相移技术测量物体三维面形的方法 总被引:5,自引:5,他引:0
为了获得准确的面形测量,提出了一种相移电子散斑干涉技术测量物体面形的测量方法.利用电子散斑干涉产生载波条纹,该载波条纹受到物体表面高度的调制变得弯曲,引起载波条纹相位的变化,可运用相移技术提取物体的相位信息,最后根据高度和相位之间的关系得到物体的面形.介绍了该方法的原理,利用该方法对球冠物体进行了面形测量,证明该方法测量物体面形是可行性的.由于是采用散斑干涉的方法产生干涉条纹,因此该方法测量物体面形具有灵敏度高的优点. 相似文献
7.
8.
Density and impurity profile behaviours in HL-2A tokamak with different gas fuelling methods 下载免费PDF全文
The electron density profile peaking and the impurity accumulation in the HL-2A tokamak plasma are observed when three kinds of fuelling methods are separately used at different fuelling particle locations.The density profile becomes more peaked when the line-averaged electron density approaches the Greenwald density limit n G and,consequently,impurity accumulation is often observed.A linear increase regime in the density range n e < 0.6n G and a saturation regime in n e > 0.6n G are obtained.There is no significant difference in achieved density peaking factor f ne between the supersonic molecular beam injection (SMBI) and gas puffing into the plasma main chamber.However,the achieved f ne is relatively low,in particular,in the case of density below 0.7n G,when the working gas is puffed into the divertor chamber.A discharge with a density as high as 1.2n G,i.e.n e=1.2n G,can be achieved by SMBI just after siliconization as a wall conditioning.The metallic impurities,such as iron and chromium,also increase remarkably when the impurity accumulation happens.The mechanism behind the density peaking and impurity accumulation is studied by investigating both the density peaking factor versus the effective collisionality and the radiation peaking versus density peaking. 相似文献
9.
采用电调制技术在室温下测量了 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电吸收谱 ,并对电吸收谱线形进行了分析。纳米晶体与第一个吸收峰有关的电吸收谱结构具有吸收系数对能量的二阶微商特征 ,表明第一激发态在电场作用下以吸收谱线的宽化为主 ,而纳米晶体尺寸不单一是吸收谱线宽化的主要因素。共振电光响应信号的峰值位置、过零点位置以及电吸收谱的线形几乎不随外电场强度而变化 ,信号幅度随外电场强度的平方线性增加。 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电光效应是Kerr效应 ,纳米晶体具有三阶非线性光学极化率 Χ( 3 )。 相似文献
10.
本文欲编写一个程序,用于求一元二次方程的根,使得只要给出了方程的系数,该方程的根就可立即求出.为使所编程序如同做数学题一样,我们采用数学软件MATHCAD进行编写. 相似文献