玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词： 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

高温超导材料YBa2Cu3O7-δ在可见光区的电场调制光反射光谱

本文报道了用调制光谱手段对YBa₂Cu₃O_7-δ化合物所进行的光学测量和研究。从对可见光区调制光谱结构的分析和讨论表明调制光谱可以用于研究超导体化合物的电子态结构。从而提出了又一种研究高温超导材料光学特性的新的测试手段。 关键词：     

稀磁ZnO纳米颗粒的生长和性能

利用Zn、Fe、Mn、Co的铜铁试剂盐为前驱体,胺为表面包裹剂,在200℃N2保护下生长了2%的过渡金属离子掺杂的ZnO稀磁纳米晶体,研究了纳米晶体的结构、形态、光学和磁学性能。所有ZnO纳米晶体均为近圆形的颗粒,晶体结构为六角纤锌矿结构,无其他氧化物相的析出,但过渡金属离子的掺入使纳米颗粒的尺寸增大。在掺杂纳米颗粒的吸收谱和发射谱中均可以观察到明显的激子吸收和发射峰,所有纳米颗粒在温度高于43K时只有顺磁性。     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电吸收谱的线形分析

采用电调制技术在室温下测量了 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电吸收谱 ,并对电吸收谱线形进行了分析。纳米晶体与第一个吸收峰有关的电吸收谱结构具有吸收系数对能量的二阶微商特征 ,表明第一激发态在电场作用下以吸收谱线的宽化为主 ,而纳米晶体尺寸不单一是吸收谱线宽化的主要因素。共振电光响应信号的峰值位置、过零点位置以及电吸收谱的线形几乎不随外电场强度而变化 ,信号幅度随外电场强度的平方线性增加。 Cd S0 .1 Se0 .9纳米晶体的电光效应是Kerr效应 ,纳米晶体具有三阶非线性光学极化率 Χ( 3 )。     

电场调制反射光谐及其在固体研究中的应用

电场调制反射光谱(简称electroreflectance或ER)是进行半导体能带结构研究和材料鉴定的重要手段.1964年,Seraphin[1]首次观测到与Ge的基本吸收边E0有关的ER谱结构.七十年代初,ER谱已成为研究半导体材料性质的有效手段.七十年代后期,随着近代光谱技术的蓬勃发展和各种大型谱仪的出现,ER谱曾一度出现了停滞的状况.高近两年的研究发现,调制光谱方法在研究半导体超晶格和量子阶中的电子能态方面可以发挥重要作用.人们利用这种方法已经观察到量子数高达9的高子能级间的跃迁,Δn≠0的禁戒跃迁,激子态的跃迁,子带的色散和超晶格的微结构等.因…     

高温超导材料YBa_2Cu_3O_(7-δ)在可见光区的电场调制光反射光谱

本文报道了用调制光谱手段对YBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物所进行的光学测量和研究。从对可见光区调制光谱结构的分析和讨论表明调制光谱可以用于研究超导体化合物的电子态结构。从而提出了又一种研究高温超导材料光学特性的新的测试手段。     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电光效应

采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS_0.1Se_0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场敏感,而其它激发态不敏感.从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应,具有三阶非线性极化率 χ⁽³⁾.     

半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似范围内,采用有限深势阱模型,考虑介电受限、计入表面极化效应的情况下,研究了球形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明量子点的形状效应不可忽略. 关键词：     

镶嵌于玻璃中的CdSe_(1-x)S_x量子点的电调制光谱测量

采用直流偏置的交流调制电场测量了玻璃中各向同性的CdSe1 xSx 量子点的电调制光谱 ,介绍了各向同性材料电调制光谱的测量方法 ,分析了与一般电调制光谱测量方法不同的原因。采用偏置后的交流调制电场 ,可以检测到与电场同频率 ( 1f)而位相差 90°的CdSe1 xSx 量子点的电吸收信号 ,该信号比采用二倍频检测 ( 2 f)的信号大一个数量级 ,比通常采用正弦波调制电场的信号大 3个数量级。采用直流偏置调制电场有利于各向同性材料的电光性能的测量