Spatial distribution of SiCln （n=O-2） in SICl4 plasma measured by mass spectroscopy

For a better understanding of the deposition mechanism of thin films in SiCl4 source gas, we have measured the spatial distributions of SiCln （n=0-2） radicals in SICl4 radio frequency glow discharge plasma utilizing a mass spectrometer equipped with a movable gas sampling apparatus. The experimental results demonstrate that the relative densities of SiCln （n=0-2） radicals have peak values at the position of 10 mm above the powered electrode along the axial direction; the relative densities of the Si and SiCIn （n=1, 2） radicals have peak values at the positions of 27mm and 7 mm away from the axis along the radial direction, respectively. Generally speaking, in the whole SICl4 plasma bulk region, the relative density of Si is one order of magnitude higher than that of SICl, and the relative density of SiCl is several times higher than that of SICl2. This reveals that Si and SiCl may be the primary growth precursors in forming thin films.     

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设计了一个取样位置能在射频辉光放电等离子体电极间自由移动的取样装置,用质谱计测量了SiCl4等离子体的离子信号。提出了一种线性拟合的方法用于计算SiCl4等离子体的消耗率,利用测量的离子信号,计算出了SiCl4等离子体中SiCln(n=0~2)中性基团的空间分布。实验结果表明,可移动质谱取样装置的设计是合理的;用线性拟合方法得到的等离子体消耗率和中性基团的相对密度,比以前的方法得到的更精确。     

用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究

对以SiH₄/H₂及SiCl₄/H₂为源气体、采用 等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明，制备的多晶硅薄膜并没有出现 非晶硅中的光致衰减现象，其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率 变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在. 关键词： 多晶硅薄膜 稳恒光电导效应 晶界 光致衰退效应     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相, 非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象;退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1.5μm.     

纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜. 傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH₂为主. 随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少. 关键词： 氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式     

氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟

采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。     

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

以SiH₄与H₂为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s. 关键词： 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷     

Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理

Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段.报道了在氩气射顿(13.56MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断,对探针I-V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理,而后求二次微商.在相同的放电条件下,使用自行设计的微分电路,对探针特性二次微商进行在线测量.这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合. 关键词： Langmuir探针 二次微商 数值滤波 微分电路     

硅基片上微米厚度SiO2膜的斜入射红外反射透过谱分析

介绍了硅基片上具有微米厚度的SiO2膜在斜入射情况下的红外反射透过谱测量结果,发现在900~1250cm-1波段内的结果有别于一般的透射谱,出现了峰位基本不变的1100cm-1反射峰。随厚度增大,1100cm-1峰和1200cm-1凹谷的降低逐渐变为迟缓。当厚度达到2μm以上后,1075~1250cm-1谱线的变化已不再明显。通过分析表明,结果中包含了SiO2膜的表面反射谱和SiO2膜层的吸收谱。当膜厚达到微米量级而引起较大吸收时,表面反射谱的贡献相当明显。此时,对该段谱线的分析不能仅考虑膜层的吸收。     

氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响

以SiCl₄和H₂为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，在250℃的低温下，研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明，对于以SiCl₄和H₂组成的反应源气体，氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH₄/H₂，在一定功率下，薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加，在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85％；随着氢稀释度的继续减小，薄膜晶化度迅速下降，并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小，薄膜的光学带隙由 1.5eV减小至约1.2eV，而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小，在无氢条件下，无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下，Cl基是促进晶化度提高，晶粒长大的一个主要因素. 关键词： 多晶硅薄膜 微结构 氢稀释 4')" href="#">SiCl₄