纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜. 傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明，纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系，当薄膜从非晶相向晶相转变时，氢的含量减少了一半以上，硅氢键合模式以SiH₂为主. 随着衬底温度的升高和晶化率的增加，纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少. 关键词： 氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式     

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

以SiH₄与H₂为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的压强(230Pa)下，研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明，薄膜的晶化率，晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加，当氢稀释率为99%，薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加，当氢稀释率从99%减小到95%时，薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s. 关键词： 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷