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1.
2.
通过室温固相反应合成了Ni2P2S6层次结构材料,并经XRD和Raman光谱为进行了表征。与传统的高温固相反应法相比,该法具有反应速度快,能耗低,可得均相产物的优点。TG-TDA研究表明,Ni2P2S6在空气中热氧化的终产物为Ni2P2O7, 间态可能是Ni2P2O亚稳相。  相似文献   
3.
在2-300K温度范围内测定了REPS4系列化合物的磁化率,进而研究了各个化合物的磁化率和倒易磁化率随温度的变化,最后用50-300K温度范围的磁化率数据拟合得到各个顺磁稀土离子RE^3+的居里-外斯常数和有效顺磁磁矩μeff。  相似文献   
4.
确定了利用全吸收法测量硬X射线能注量的技术方案,阐述了能注量测量的基本原理。结合实际测量环境,选择光电管和高密度硅酸镥闪烁体作为测量系统,分析了各个测量组件参数的影响因素。利用蒙特卡罗程序模拟了硬X射线在闪烁体中能量沉积的轴向分布,并计算了光子的透射率,据此确定了硅酸镥闪烁体的厚度为20 mm。完成了准直系统和电磁屏蔽系统的设计,增加了信噪比。  相似文献   
5.
用电弧熔炼方法合成了化合物RE3Cu3Sb4(RE= Nd,Sm ,Tb,Dy,Ho), 采用粉末X射线衍射方法测定了其晶体结构。化合物属立方晶系,Y3Au3Sb4 类型, 空间群I43d(No.220),皮尔森玛cI40。晶胞参数:Nd3Cu3Sb4 :a=0.96749(1) nm, V=0.90561(3) nm3;Sm3Cu3Sb4:a= -0.96145(1) nm ,V=0.88875(3) nm3 ;Tb3Cu3Sb4: a=0.95362(1) nm , V= 0.86721(3)nm3;Dy3Cu3Sb4: a=0.95088(1) nm , V=0.85975(3) nm3;Ho3Cu3Sb4 : a=0.9488(2) nm , V=0.8541(5) nm3。每个单胞中包含4 个化合式量。此结构中,Cu 原子均处于Sb 原子所形成的配位四面体中心, 这些共价结合的配位四面体通过共顶最终联接形成三维CuSb 网络,稀土原子则散布在网络之间的空隙中。化合物电荷平衡结构式可表示为RE3+3 Cu1+3 Sb3-4 , 化合物具有导电性, 为金属性Zintl 相。原子成键具有典型过渡性。原子的“配位数”遵从配位环境规律。化合物的  相似文献   
6.
人力资源与区域经济发展分析   总被引:10,自引:0,他引:10  
人力资源是实现区域经济发展的最重要条件之一,从已有的经济理论模型理论研究及本建立经济数学模型实证研究表明,人力资源数量,质量,结构,流动都影响区域经济发展,加快区域经济发展,必须加大教育投入,创造条件吸引人才,加强技术技能培训,增加第三产业作人力资源等。  相似文献   
7.
天花粉胰蛋白酶抑制剂(Trichosanthes trypsin inhibitor, TTI)是一含27个氨基酸残基的多肽,其中包括三对硫硫键。本文报道了它的化学全合成及其分子内二硫键重组,合成产物纯化后其氨基酸序列以及与胰蛋白酶的抑制当量比均与天然抑制剂相一致。并合成了此抑制剂的类似物,其N端第6位Met残基由Ala所取代,合成产物纯化后,其抑制活力也与天然抑制剂相同。此结果为今后天花粉胰蛋白酶抑制剂作为融合蛋白用基因工程表达以及产物的后处理提供了依据。  相似文献   
8.
在室温、77K条件下,对·4DMF(1)簇合物的固态和溶液样品进行了EPR谱的测定,获得三套谱图(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),其分别归属于簇合物中未配对电子的两种形式:(1)类似于自由的单铜离子的未配对电了(Ⅰ、Ⅱ两套谱).(2)双铜未配对电子偶合成的三重态(Ⅲ套谱). 文中用双铜的三重态自旋哈密顿HS=βHgS+DSz2+E(Sx2-Sy2)-(2)/3D公式计算三重态EPR谱的参数. 题目化合物(1)与双铜簇合物·4DMF(2)相比较,在配体结构上稍有不同(前者,甲苯胺中的甲基是连接于苯环的间位;而后者,甲基是连接于苯环的对位),由此引起一些磁性参数:有效磁矩μeff、磁交换相互作用参数J、相对的电子自旋浓度ρ和EPR谱的超精细结构(h.f.s)参数都有所不同.  相似文献   
9.
针对系统电磁脉冲效应研究需求,项目组对"闪光二号"加速器进行了适应性改造,以便于产生脉冲硬X射线。主要采用二次成形的水线结构,重点进行了水开关设计,并完成了实验调试。装置输出电压650kV^1.3 MV稳定可调,脉冲宽度60ns,前沿由改造前的80ns缩短至改造后的30ns,在国内首次成功驱动串级二极管,产生前沿29ns、射线宽度约53ns的脉冲硬X射线。  相似文献   
10.
研制了一台200 kV/200 kA脉冲源,脉冲源由初级储能单元、水介质整形与传输单元、气体开关和负载组成。通过优化设计由2 到1 的水介质变阻抗线、高压气体主开关和陡化开关,使得脉冲功率源在匹配负载下产生输出电压200 kV、电流200 kA、前沿40 ns、脉宽40 ns的高压脉冲。在此脉冲源平台上已开展了低阻抗1 二极管发射特性研究,并且将在高压气体开关、同步触发、二极管等离子体发射诊断等方面发挥作用。  相似文献   
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