3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

研究了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应. 在3 MeV质子辐照下, 当辐照剂量达到1× 10¹⁵ protons/cm²时, 漏极饱和电流下降了20%, 最大跨导降低了5%. 随着剂量增加, 阈值电压向正向漂移, 栅泄露电流增加. 在相同辐照剂量下, 1.8 MeV质子辐照要比3 MeV质子辐照退化严重. 从SRIM软件仿真中得到不同能量质子在AlGaN/GaN异质结中的辐射损伤区, 以及在一定深度形成的空位密度. 结合变频C-V测试结果进行分析, 表明了质子辐照引入空位缺陷可能是AlGaN/GaN HEMT器件电学特性退化的主要原因.     

Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells

Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well(MQW) solar cells are investigated. It is found that due to the reduction of piezoelectric polarization and the enhancement of tunneling transport of photo-generated carriers in MQWs, the external quantum efficiency(EQE) of the solar cells increases in a low energy spectral range(λ 370 nm) when the barrier thickness value decreases from 15 nm to 7.5 nm. But the EQE decreases abruptly when the barrier thickness value decreases down to 3.75 nm. The reasons for these experimental results are analyzed. We are aware that the reduction of depletion width in MQW region, caused by the high resistivity of the p-type GaN layer may be the main reason for the abnormally low EQE value at long wavelengths(λ 370 nm).     

Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched Ino.17Alo.s3N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition

We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an Ino.17Alo.83N interlayer grown by pulsed metal-organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations （TDs） in GaN film with the InA1N interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy （TEM） measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InA1N interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InA1N interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InA1N interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InA1N interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy.     

不同光谱成分条件下叶用莴苣矿质元素吸收分析

以叶用莴苣为试验材料,应用ICP-AES等技术,研究了不同光谱成分及其组合条件下生菜对矿质元素的吸收特性。结果显示:(1)生菜常量、微量矿质元素含量比约为Ca:Mg:K:Na:P=5.5:2.5:2.3:1.5:1.0,Fe:Mn:Zn:Cu:B=25.9:5.9:2.8:1.1:1.0,且LED及荧光灯处理下的生菜各元素含量均高于自然光,差异显著;(2)生菜在红蓝组合LED光R/B=1:2.75处理下对K,P,Ca,Mg,B元素的吸收量及累积量均达最大,LED及荧光灯红光均可显著促进生菜对Fe和Cu元素的吸收;(3)矿质元素含量较高及干物质积累量较高的处理均为LED灯R/B=1:2.75和B/W=1:1。     

基于符号分析的极大联合熵延迟时间求取方法

本文通过符号分析法求取联合熵的极大值点, 进而得到相空间重构的最佳延迟时间, 通过对几个典型的混沌系统进行数值仿真试验, 结果表明, 该方法简化了计算, 提高了效率, 能够准确快速地获得最佳延迟时间, 从而有效地重构原系统的相空间, 为混沌信号识别提供一种快速有效的途径. 关键词： 相空间重构 延迟时间 联合熵 符号分析     

金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN 薄膜质量的影响. 应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、 载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响. 实验结果表明, 随着氮化时间减小, 缓冲层生长时间增加, 载气流量减少, AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强, 面内晶粒尺寸增大, 从而晶体质量也变好. 关键词： AlN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸     

层次分析法在水文计划管理信息系统中的应用

在介绍层次分析法基础上,以广东省水文发展“十五”规划为例分析了层次分析法在水文规划 中的应用,探讨了应用过程中应注意的几个问题。     

瞄准制导仪中的调制盘光学系统分析

瞄准制导仪中的调制盘光学系统包含有光束投射系统、光束投影系统和旋转调制盘。基于旋转调制盘图案设计的原理,分析了瞄准制导仪中内、外调制图案与光学系统的配合问题。较详细地分析了激光束投射系统和投影系统。     

Bi2Te3/Sb超晶格纳米线的外延生长和热电测量

通过脉冲电沉积,外延生长出小单元长度的Bi₂Te₃/Sb超晶格纳米线.借助哈曼方法,测量了超晶格纳米线阵列的热电性能,330 K时的ZT值可达0.15.研究了Bi₂Te₃/Sb超晶格纳米线阵列器件的制冷或者加热能力,发现器件的上下表面的最大温差可以达到6.6 K.     

超微半扁球电极的稳态电流理论及其验证

本文用苯醌在Ｍｃｌｌｖａｉｎｅ缓冲溶液（ｐＨ＝７．０）中的电化学可逆还原反应体系验证了超微半扁球电极上的稳态电流方程式，理论与实验结果相符，超微半扁球汞电极用电镀法制备。