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Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched Ino.17Alo.s3N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition
Authors:
Li Liang
Yang Lin-An
Xue Jun-Shuai
Cao Rong-Tao
Xu Sheng-Rui
Zhang Jin-Cheng
Hao Yue
Institution:
State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
Abstract:
In0.17Al0.83N interlayer, GaN crystal quality, dislocation reduction, photoluminescence, Raman spectra
Keywords:
In0
17Al0
83N interlayer
GaN crystal quality
dislocation reduction
photoluminescence
Raman spectra
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