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系列甘露糖醛酸寡糖的制备与鉴定 总被引:1,自引:0,他引:1
用酸降解法制备了系列甘露糖醛酸寡糖(聚合度2~8),并分析测定了寡糖的结构. 褐藻胶经部分酸水解,于pH=2.85处分级获得聚甘露糖醛酸. 继续用酸降解法降解聚甘露糖醛酸,经凝胶柱层析分离纯化,获得系列甘露糖醛酸寡糖. 用荧光标记糖电泳(FACE)对寡糖进行了分析,并用电喷雾离子化质谱(ESI-MS)、 核磁共振波谱(NMR)及红外光谱(FTIR)进行了结构表征.
本研究用酸降解法制备饱和甘露糖醛酸寡糖,用凝胶柱层析法分离获得系列聚合度的寡糖,为褐藻胶大分子构效关系研究和药物的筛选与发现提供了重要的基础资料. 相似文献
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以砂土体渐进破坏问题为背景,采用显式方法进行高、低压下砂土统一模型的二次开发以克服隐式算法在软化计算中的强非线性不收敛问题,实现具有剪胀软化、剪缩硬化特性材料的模拟计算.在此基础上开展三个压力等级、不同位移加载速度条件下的平面应变压缩试验,分析位移加载速度对显式计算结果的影响效应.通过分析得到结论:(1)采用动力学显式算法对常压至高压范围的砂土统一模型进行计算是可行的,受荷响应随加载速度的降低逐渐趋于稳定并最终得到静力学计算结果,能够反映砂土在低压下的剪胀软化以及高压下的剪缩硬化特性;(2)砂土统一模型的显式计算结果受加载速度的影响呈双折线趋势,并存在加载速度界限值,试样在加载速度界限值前后呈现不同的受荷变形破坏形态;(3)采用显式计算方法开展砂土统一模型的准静态模拟过程中,须结合计算结果偏差面积比随加载速度的关系曲线,来确定满足一定偏差面积比并且小于界限值的准静态位移加载速度. 相似文献
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地球等离子体层的分布主要受到地球磁层的特性影响。早期对地球磁层的研究,主要是通过采集地磁平静期的观测数据,建立半经验模型和经验模型来研究。随着成像技术的发展,可以通过遥感成像的方式,在全球尺度下获得磁扰期、平静期等不同时刻的地球等离子层分布信息,从而更直观、全面地了解磁层磁场的变化。本文研究了现有的地球等离子体层模型,详细阐述了不同地球等离子层模型的描述形式、应用特性,以及地球等离子体层遥感成像观测的方法和手段。最后,通过计算机模拟了在经验地球等离子层模型输入情况下,极轨道卫星对地球等离子体层分布的成像结果。 相似文献
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张文号 孙袆 张金松 李坊森 郭明华 赵弇斐 张慧敏 彭俊平 邢颖 王慧超 FUJITA Takeshi HIRATA Akihiko 李志 丁浩 汤辰佳 王萌 王庆艳 何珂 季帅华 陈曦 王俊峰 夏正才 李亮 王亚愚 王健 王立莉 陈明伟 薛其坤 马旭村 《中国物理快报》2014,(1):156-160
We prepared one-unit-ceil (1-UC) thick FeSe films on insulating SrTiOa substrates with non-superconducting FeTe protection layers by molecular beam epitaxy for ex situ studies. By direct transport and magnetic measurements, we provide definitive evidence for high temperature superconductivity in the 1-UC FeSe films with an onset Tc above 40 K and an extremely large critical current density fie Jc-1.7× 106 A/cm2 at 2K, which are much higher than Tc-8K and Jc-104 A/cm^2 for bulk FeSe, respectively. Our work may pave the way to enhancing and tailoring superconductivity by interface engineering. 相似文献
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Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In_(0.17)Al_(0.83)N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal organic chemical vapor deposition 下载免费PDF全文
We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an In0.17Al0.83N interlayer grown by pulsed metal–organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations(TDs) in GaN film with the InAlN interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy(TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InAlN interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InAlN interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InAlN interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InAlN interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy. 相似文献
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