Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p–i–n avalanche photodiodes

The influences of polarization and p-region doping concentration on the photocurrent response of Al0.4Ga0.6N/Al0.4Ga0.6N/Al0.65Ga0.35N p–i–n avalanche photodetector are studied in a wide range of reverse bias voltages.The simulation results indicate that the photocurrent under high inverse bias voltage decreases with the increase of polarization effect,but increases rapidly with the increase of effective doping concentration in p-type region.These phenomena are analyzed based on the calculations of the intensity and distribution of the electric field.A high p-region doping concentration in the p–i–n avalanche photodetector is shown to be important for the efficient compensation for the detrimental polarization-induced electrostatic field.     

Experimental and numerical analysis of the multi-recessed gate structure for microwave silicon carbide power MESFETs

This paper reports that multi-recessed gate 4H-SiC MESFETs (metal semiconductor filed effect transistors) with a gate periphery of 5-mm are fabricated and characterized. The multi-recessed region under the gate terminal is applied to improve the gate--drain breakdown voltage and to alleviate the trapping induced instabilities by moving the current path away from the surface of the device. The experimental results demonstrate that microwave output power density, power gain and power-added efficiency for multi-finger 5-mm gate periphery SiC MESFETs with multi-recessed gate structure are about 29%, 1.1dB and 7% higher than those of conventional devices fabricated in this work using the same process.     

土与结构界面接触问题研究进展评述

针对土与结构相互作用研究中的土-结构界面接触问题,本文从界面接触力学特性及界面接触模拟两个方面的研究展开评述.分析了接触面(带)的力学特性和变形分布规律方面的试验方法和取得的成果,讨论了现有试验方法的不足;随后,对土-结构界面接触行为的两类模拟方法--接触面单元方法和接触力学方法进行了讨论;最后提出了今后工作的重点.      

复合材料铺层拼接层间断裂韧性的试验研究

针对评价复合材料层合板层间断裂韧性的测量,提出了用拉伸试验法测定Ⅱ型层间断裂韧性,设计了内含铺层拼接区的分层破坏试验层合板,制备了拉伸试件.通过拉伸试验测得了拼接区开裂和分层裂纹稳态扩展过程中的载荷与变形规律:层间破坏具有Ⅱ型断裂特征,且裂纹扩展比较稳定.利用测试数据计算出断裂功,并以临界能量释放率表示层合板的Ⅱ型层间断裂韧性,结果表明用铺层拼接件拉伸法进行层间断裂韧性试验是可行的.     

氮化碳材料的光谱学分析及光催化性能研究

为克服光催化材料可见光利用效率低的缺陷,通过三聚氰胺高温缩聚的方法合成了石墨型氮化碳(g-C₃N₄)材料。采用XRD,SEM,UV-Vis技术对氮化碳材料的微观结构和光学性能进行了表征,并通过降解罗丹明B溶液研究了缩聚温度和不同光源对光催化效率的影响。结果表明,合成的氮化碳层片状结构保存良好,尽管材料表面在高温下断裂形成了不规则的块体颗粒;随着煅烧温度的升高,催化剂在紫外光和可见光部分的吸收都显著增强,这可能是由于材料表面的岩石状块体颗粒提高了材料的比表面积,同时降低了光的反射又提高了对光的吸收。在罗丹明B的光降解测试中,催化剂在可见光和太阳光照射下均表现出了良好的催化效果,缩聚温度为580 ℃时效果最好,分别为94.8%(60 min)和91.1%(90 min)。该方法制备的石墨型氮化碳催化剂对利用清洁能源进行环境净化应用具有极大的潜在价值。     

Study on the defect-related emissions in the light self-ion-implanted Si films by a silicon-on-insulator structure

This paper reports that the Si + self-ion-implantation are conducted on the silicon-on-insulator wafers with the 28 Si + doses of 7×10 12,1×10 13,4×10 13,and 3×10 14 cm 2,respectively.After the suitable annealing,these samples are characterized by using the photoluminescence technique at different recorded temperatures.Plentiful emission peaks are observed in these implanted silicon-on-insulator samples,including the unwonted intense P band which exhibits a great potential in the optoelectronic application.These results indicate that severe transformation of the interstitial clusters can be manipulated by the implanting dose at suitable annealing temperatures.The high critical temperatures for the photoluminescence intensity growth of the two signatures are well discussed based on the thermal ionization model of free exciton.     

饱和两相介质动力固结问题时域求解的精细时程积分方法

针对u-p形式的饱和两相介质波动方程,采用精细时程积分方法计算固相位移u,采用向后差分算法求解流体压力p,建立了饱和两相介质动力固结问题时域求解的精细时程积分方法。针对标准算例,对该方法的计算精度进行了校核。开展了该方法相关算法特性的研究,对采用不同数值积分方法计算非齐次波动方程特解项计算精度的差异进行了对比研究,并对采用不同积分点数目的高斯积分法计算特解项条件下计算精度的差异进行了对比研究。研究结果表明,(1)该方法具有良好的计算精度。(2)计算非齐次波动方程特解项的数值积分方法中,梯形积分法的计算精度最差,高斯积分法、辛普生积分法和科茨积分法都具有较好的计算精度。(3)增加高斯积分点数目对于提高计算精度的作用并不显著。     

基于三模冗余的运载火箭增压控制设备设计

目前某型号运载火箭增压输送系统采用机械式控制方式,该方式调试难度较高、误差较大;为此提出了一种基于三模冗余的数字式增压控制设备方案;该增压控制设备采用3个完全相同的处理单元进行压力数据采集及处理,在每个处理单元中,由数字式压力传感器进行贮箱压力测量并传送给单片机;通过单片机进行软件滤波和数据分析判读处理,输出控制信号;采用高可靠硬件表决单元对单片机输出的控制信号进行三取二表决,输出最终的电磁阀控制结果;试验表明,该增压控制设备易于调试和测试,测量精度在1%以内;该增压控制设备已完成样机研制,具有较高的通用性及可靠性。     

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.     

MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征

本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程.通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少.