Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.     

用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

关键词：     

廉价三明治式太阳能电池

 在家庭条件下利用太阳能电池来获取电能的主要障碍是太阳能电池的价格太高,以美国麦克法尔伦德博士为首的科学家小组研制的生产太阳能电池新方法能使价格大大降低,可使太阳能电池发电价格与热电站和核电站发电价格相当,现在的太阳能电池发电价格还贵2倍左右。目前在太阳能电池中利用的是超高纯度的硅,麦克法尔伦德科学家小组另辟蹊径找到了新方法,在他们研制的太阳能电池中拥有涂覆在薄金箔上的吸光染料薄层,同样在非常廉价的二氧化钛半导体层表面上也涂覆有吸光染料薄层。由上层染料薄层吸收阳光,从染料分子中激发出来的电子会穿过薄金箔进入最下面的半导体层,形成的“空穴”取代金箔中的电子。     

电泳法制备TiO2超微粒薄膜的研究

在实验的基础上建立了电泳法成膜的模型，并阐明了电泳法的机理，实验结果表明，胶体浓度，胶粒粒径，直流偏压和时间是影响电泳成膜的主要因素。通过分析，建立了成膜电流的理论表达式，得到与实验一致的结果。利用电泳法制备出大范围内均匀度好的ＴｉＯ２超微粒薄膜，春粗糙度因子达５００以上，厚度可通过成膜电流以及成膜时间来控制。     

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论. 关键词： 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火     

卫星太阳能电池阵破损自动检测系统的研究

介绍了国内首次研制的卫星太阳能电池阵破损自动检测系统的检测原理、系统结构与设计及现场试用结果。系统采用专用照明系统,电池阵列经光学系统清晰成像至CCD传感器上,经信号放大、A/D转换后输入计算机管理和控制系统。图像传感探头自动扫描整块电池板,并由距离传感器控制,始终保持采集图像清晰。利用特有的系统控制和检测软件,处理每幅电池图像信息,检测结果通过列表形式给出损伤电池的位置、破损类型、破损度等参数。现场试验结果表明:该系统的检出率达98.5%以上,检测速度为每分钟20片电池,达到了快速、高精度、自动化检测太阳能电池阵的使用要求。     

卫星太阳能电池阵破损自动检测系统的研究

介绍了国内首次研制的卫星太阳能电池阵破损自动检测系统的检测原理、系统结构与设计及现场试用结果。系统采用专用照明系统,电池阵列经光学系统清晰成像至CCD传感器上,经信号放大、A/D转换后输入计算机管理和控制系统。图像传感探头自动扫描整块电池板,并由距离传感器控制,始终保持采集图像清晰。利用特有的系统控制和检测软件,处理每幅电池图像信息,检测结果通过列表形式给出损伤电池的位置、破损类型、破损度等参数。现场试验结果表明:该系统的检出率达98.5%以上,检测速度为每分钟20片电池,达到了快速、高精度、自动化检测太阳能电池阵的使用要求。     

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.     

大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断

本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl₄及H₂气混合气体（Ar/SiCl₄/H₂）射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl₄解离率的作用.