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11.
12.
分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及(110)择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2 μm厚的Cu(In,Ga)Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu(In,Ga)Se2薄膜的(112)衍射峰强度依次逐渐减弱,(220/204)衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu(In,Ga)Se2关键词:
择优取向
Cu(In
2薄膜')" href="#">Ga)Se2薄膜
太阳电池 相似文献
13.
研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
关键词:
MOCVD
ZnO薄膜
透明导电氧化物
太阳电池 相似文献
14.
高功率宽调谐范围掺Yb3+光子晶体光纤激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用闪耀光栅作为色散元件,构建了前向、后向输出两种结构的可调谐掺Yb3 光子晶体光纤激光器,并对其输出特性进行了分析研究.在抽运功率5.75W时,前向输出结构实现了1050.6~1110.2 nm的连续调谐输出,光谱线宽约0.1 nm,边模抑制比大于44 dB.在调谐激光波长为1085 nm时,得到最高输出功率677 mW.结构改进的后向输出结构的可调谐输出结构在抽运功率4.43 W,调谐波长1075 nm,实现了2.21 W的功率输出,斜率效率为73%;调谐范围50.9 nm(1042.1~1093 nm),光谱线宽小于0.08 nm,边模抑制比大于50 dB.两种结构的可调谐激光器输出均为线偏振光,偏振度大于89.5%. 相似文献
15.
16.
采用气相色谱法,建立了同时检测食品工业用大孔吸附树脂中的苯、1,2-二氯乙烷、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、氯苯、苯乙烯、二乙烯苯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯等11种有机残留物的方法。色谱柱为DB-WAX毛细柱,检测器为氢火焰离子化检测器,该方法的专属性强,在所考察的浓度范围内线性相关系数均在0.99以上,最低检出限为0.002~0.008μg/mL,样品加标回收率为72.4~104.7%,稳定性、精密度和重现性的RSD分别为1.68~5.26%、1.57~6.83%、2.91~9.62%。本方法具有简便易行、准确、稳定、快速等特点。 相似文献
17.
18.
在水热条件下,通过使用羧酸和螯合配体得到了一个系列的四核镧系簇合物,即[Ln4(mnba)12(tzp)2(H2O)2](Ln=Gd(1),Tb(2),Er(3);Hmnba=间硝基苯甲酸;tzp=2-(1H-1,2,4-三唑-3-基)吡啶))。这3个化合物是同构的,且具有线性的四核簇结构。磁性研究表明,化合物1和3中簇内镧系离子之间是弱铁磁耦合的,但化合物2中铽离子之间是弱的反铁磁相互作用和(或)铽离子激发的斯塔克能级的去布居。化合物1具有较大的磁热效应(-ΔSmmax=20.6 J·kg-1·k-1)。交流磁化率测试表明化合物3展现出频率和温度依赖的虚部信号,这是慢磁弛豫的典型特征,原因是铒离子的强各向异性和铁磁耦合的存在。 相似文献
19.
金属有机骨架(MOFs)材料是一类以过渡金属为中心、含杂原子的有机物为配体、通过配位作用形成的周期性网络多孔晶体材料。与其他的多孔材料相比,MOFs配体种类繁多,比表面积极大,孔径大小可调控且具有特殊(饱和或不饱和)的金属位点,在气体存储、催化、吸附与分离等领域有广阔的应用前景。近年来,功能化MOFs对污染物的富集和去除成为学者关注的热点。这是由于通过对MOFs进行功能化修饰,能够改变MOFs的孔径大小、表面带电性质等物化性质,从而实现对目标物更高效的吸附。该文综述了近年来功能化MOFs对饮用水污染物吸附的研究进展,包括饮用水污染物的类型及危害、功能化MOFs的制备方法以及去除饮用水污染物的应用,并对今后的发展前景进行了展望。 相似文献
20.
对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果.
关键词:
陷光结构
光散射能力
标量相干理论
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