MCM-41分子筛的改性、表面结构与吸附性质的研究

用三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、四氯化硅与甲基碘改性高硅MCM-41中孔分子筛。XRD,^2^9SiMASNMR,^1^3CMASNMR,以及N~2、水与环己烷吸附的表征,显示改性不同程度地改变了分子筛的表面组成与结构,减小孔径,增加孔壁厚度,因而影响吸附行为,减小吸附容量。硅烷化减少了MCM-41的表面硅羟基含量,增加其疏水性。用CH~3I改性使孔径减小1.4nm,而硅羟基含量并未显著减少。硅烷化以及用CH~3I改性可提高MCM-41分子筛的热稳定性。SiCl~4的改性作用相对不明显。样品的水及环己烷吸附容量与其表面硅羟基含量呈现不同的线性关系,揭示高硅MCM-41分子筛表面吸附中心的本性。     

疏水硅沸石Silicalite-I)结构性质的表征

用粉末XRD, FT-IR, 29^Si MAS NMR, 对高硅HZSM-5沸石及疏水硅沸石Silicalite I进行结构性质表征。在室温下, 疏水硅沸石具有ZSM-5的单斜对称性。它的红外骨架振动谱及高分辨29^Si固体核磁共振谱均显示出高的分辨率。在红外光谱中, 3700和3500cm^-1左右的表面Si-OH基振动消失。表明疏水硅沸石晶格中的[SiO~4]四面体排列完美。由-Si-O-Si-构成的微也表面, 具有优良的疏水性。     

自粘结低硅铝X型沸石的结构、吸附和N_2/O_2分离比

用原位合成方法直接将高岭土转化为所需形状的低硅X型沸石(PLSX),经X衍射,~(29)Si,~(27)AI MAS NMR谱证实PLSX的结构硅铝比接近1,它含LSX的组成为40.40%,含4A的组成为17.92%,其余为无定形硅、铝氧化物.LSX的骨架硅铝比接近1,是骨架负电荷分配最均匀的X型沸石,293K时静态法测定和推算ISX的饱和吸附水达39.80wt%,LSX的组成为Na(96-x)K_x(Al_(96)S_i(96)O_(384))·310H_2O,是吸附量高、价廉的吸水剂.PLSX对空气中氮氧的分离系数为α(N_2/O_2)=3.15,高于用于PSA的商品5A的α(N_2/O_2)=2.33和已报道的13X的α(N_2/O_2)=2.36.PLSX也是一种极好的吸附分离剂.     

自卤仿产生二卤卡宾的单电子转移过程

研究了从卤仿和氢氧化钠生成二卤卡宾的反应,根据化学和物理研究证明,是一单电子转移(SET)的反应机理.在类卡宾、三卤碳阴离子和二卤卡宾间设有平衡存在,卤素交换是单电子转移过程中形成的三卤甲基和二卤甲基游离基所引起的,它优先于卡宾对C=C的加成而发生,反应的初始电子给予体是CX3主要电子接受体是过量存在的卤仿.     

兴国乌头碱及其氢溴酸盐的结构

研究了兴国乌头碱(C21H29NO3)及其氢溴酸盐的晶体.结构均采用全矩阵最小二乘法精修.运用反常散射法测定氢溴酸盐绝对构型,从而确定了兴国乌头碱的绝对构型.在两个结构中,A环与E环都成稳定的椅式构象,B环与C环则呈船型,分子间均存在较强的氢键,形成稳定的晶体.结构中有十个不对称碳原子.     

色谱动力学过程的分析

]本文对样品在色谱柱中经历的进样、上柱、柱内、柱末端及柱外这一系列动力学过程中谱带的宽度所发生的变化及相互间的关系进行了分析。     

配合物[Co(NH3)5Br]Br2的精密X射线粉末衍射与指标化研究

以多晶衍射中的从头结构测定对其数据收集与处理的要求为依据, 获得[Co(NH₃)₅Br]－Br₂配合物的精密X射线粉末衍射谱的方法, 总结了指标化实验中的问题与对策, 得到标题配合物的正交晶系(空间群为Pnma或Pn2₁a), 晶胞参数:a=1.3710(1)um, b=1.0715(1)um, c=0.6947(1)um, V＝1.0206(1)um₃, Z＝4, D_x＝2.50g·cm^-3, F_{30＝81(0.0071, 52), M20＝41.}     

用NMR分析可生物降解的两亲性嵌段共聚物的相对分子质量和组成

凝胶渗透色谱(GPC)法是根据聚合物分子链流体力学体积大小的比较来测定聚合物相对分子质量(以下简称分子量)的,测得的聚合物分子量与聚合物分子链在溶剂中的构象有关[1]。两亲性嵌段共聚物分子链中亲水链段和亲油链段的极性差异很大,几乎在任何溶剂中它们的构象都不相同,因此可     

X射线粉末衍射的新起点——Rietveld全谱拟合

Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法及高分辨Ｘ射线粉末衍射实验方法的出现与发展，使Ｘ射线粉末衍射进入了一个新阶段，不但提高了分析结果的质量，并且使从头晶体结构测定成为可能。本文扼要介绍了Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法的理论；高分辨高准确的粉末衍射装置，从头晶体结构测定方法及多晶材料结构表征的全谱拟合法（包括作物相定性分析、物相定量分析、晶粒大小及点阵畸变的测定等）     

GaN异质外延的离子化氮源方法

用电离Ｎ_２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）X射线衍射峰宽仅２３′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处． 关键词：