| GaN异质外延的离子化氮源方法 |
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| 引用本文： | 贺仲卿,丁训民,侯晓远,王迅,沈孝良.GaN异质外延的离子化氮源方法[J].物理学报,1994,43(7):1123-1128. |
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| 作者姓名： | 贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良 |
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| 作者单位： | (1)复旦大学分析测试中心; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 用电离Ｎ２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）X射线衍射峰宽仅２３′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．
关键词：
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| 关 键 词： | 氮化镓 外延生长 离子源 离子束 |
| 收稿时间： | 8/9/1993 12:00:00 AM |
HETEROEPITAXY OF GaN BY USING AN IONIZED N SOURCE |
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| HE ZHONG-QING,DING XUN-MIN,HOU XIAO-YUAN,WANG XUN and SHEN XIAO-LIANG.HETEROEPITAXY OF GaN BY USING AN IONIZED N SOURCE[J].Acta Physica Sinica,1994,43(7):1123-1128. |
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| Authors: | HE ZHONG-QING DING XUN-MIN HOU XIAO-YUAN WANG XUN and SHEN XIAO-LIANG |
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| Abstract: | The ion beam producing ionization of N= has been successfully utilized as the N source for nitride growth. Cubic GaN thin films are thus grown on GaAs(100) substrates. The width of the (200) X-ray diffraction peak of the epilayer is 23′ only, and the high-resolution electron energy loss spectroscopy measurements show that the optical surface phonon of cubic GaN appears at the loss energy of 82 meV. |
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| Keywords: | |
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