强激光照射下,α-LiIO3晶体中晶格振动的多模激发和模之间的相互作用

本文叙述了用调Q倍频YAG脉冲激光照射α-LiIO₃晶体,在不同的散射配置下,获得了各种散射谱图。实验表明,当用e光入射时,可以比用o光入射激发起更多不同模的晶格振动;获得了E₂模的很强的一阶、二阶斯托克斯散射线和反斯托克斯散射线,E₁模Polariton的一阶、二阶、三阶斯托克斯线和反斯托克斯线,还获得了反斯托克斯频率区一条频移为469cm^-1的新线,认为是不同模的Polariton之间的相互作用引起的。最后,提到实验中初步观察到的晶体拉曼活性的“疲劳现象”。 关键词：     

结晶猪、牛B1色氨酸胰岛素的制备及性质

猪、牛胰岛素经与MSC·ONSu选择性反应.随后Edman降解,和与MSC·Trp·ONp缩合,去保护制备了二个种属的[Trp]^B₁胰岛素类似物. 经醋酸纤维素电泳.氨基酸组成分析,UV吸收光谱和N-端分析鉴定,确定它们是均一的[Trp]^B₁胰岛素.鼠惊厥分析显示猪、牛[Trp]^B₁胰岛素的生物活力分别为18国际单位/毫克和17国际单位/毫克.分别相当于天然胰岛素的70％.     

265Bh(Z=107)同位素的首次观测

在兰州的重离子加速器上用²⁶Mg离子束轰击²⁴³Am靶,产生了新同位素²⁶⁵Bh.通过观测新同位素²⁶⁵Bh和它的已知子核²⁶¹Db和²⁵⁷Lr之间的α衰变的关联,实现了对新核素的鉴别.实验中使用了一套新建立的具有数个探测器对的转轮收集探测系统.将该系统用于特殊的母–子核搜索模式,从而大大减少了本底.共测得了8个²⁶⁵Bh的α衰变关联事件;同时4个已知核²⁶⁴Bh的衰变关联事件也被鉴别出来.实验测得²⁶⁵Bh的α衰变能量为(9.24±0.05)MeV,半衰期为0.94+0.70–0.31s.     

激光对远距离运动目标的辐照性能研究

研究激光对远距离运动目标的辐照功率在激光通信、激光破坏等领域具有重要意义。一般估算辐照功率时常忽略目标的随机运动。在考虑目标的随机运动概率密度分布的基础上,建立了远距离运动目标的精确激光辐照功率模型,并与辐照静止目标时的情形进行了定量的分析比较。辐照运动目标等效于扩大的激光束辐照静止目标。当系统的瞄准方差小于由模型计算出的等效静止方差极限时,可将目标看作为静止状态,由此带来的辐照功率估算误差小于10%,否则在计算时必须考虑目标的运动状态。     

高超声速低温喷管副喷管参数化设计

 通过对DF化学激光器高超声速低温(HYLTE)喷管副喷管流动与几何参数进行制约关系和敏感性分析，确定了能够对副喷管进行参数化设计的4个基本几何控制参数和2个调节参数，初步建立了HYLTE喷管副喷管的参数化设计方法。引入了相对未混合度作为衡量喷管混合效果的性能参数，建立了较完备的3维反应流数值模拟计算程序。结果表明：该方法选择的基本参数能够敏感地反映HYLTE喷管副喷管的尺寸特征和关键性能。     

磁性ICF靶丸的化学镀工艺制备与表征

 采用化学镀工艺在ICF聚苯乙烯靶丸表面包覆了一层磁性的Ni-P合金镀层，并分别用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪以及振动样品磁强计对其形貌、组成、结构和磁性能进行了表征。结果表明：通过化学镀工艺制备的Ni-P合金镀层厚度约为4 μm，且为非晶结构，并具有一定的磁性；该磁性ICF靶丸可望用来进行磁悬浮实验研究。最后，对聚苯乙烯靶丸表面磁性涂层的制备机理进行了讨论。     

CGNS API和FVM在非结构混合网格计算中的应用

用CGNS API（CFD General Notation System Application Programming Interface）作为非结构混合网格求解器的前处理和后处理，用FVM（Finite Volume Method）作为偏微分方程求解方法．在前处理过程中，用hash表法对内部网格面和边界网格面进行编号，并计算出相应的几何信息，以满足FVM求解器的需要．从FVM求解器计算出来的各种场信息可以写入原来的CGNS文件，该文件可以被许多专业商业后处理软件（如Tecplot，Fluent，CFX等）读取和进行可视化；对于求解器，用基于网格中心的FVM及SIMPLEC（Semi Implicit Methodfor Pressure Linked Equation Consistent）方法求解压力速度耦合．最后给出两个说明算例．     

降温速率对低温保存动脉粘弹性的影响

使用DMA测定了3种降温速率低温保存的家兔颈总动脉的蠕变曲线.结果表明:1.5℃/min降温速率低温保存后,血管的粘弹性最接近新鲜对照组;而对应降温速率1.5,5,10℃/min,血管粘弹性依次降低.动脉的粘弹性极有可能是评估其低温保存效果的潜在评价指标.     

ZnTe（ZnTe：Cu）多晶薄膜的XPS研究

用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe：Cu多晶薄膜，测量了电导率温度曲线，发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加，呈常规的半导体材料特征；掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时，lnσ随温度升高而缓慢增加，随后缓慢降低，达到一极小值，当温度继续升高时又陡然增加，呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态，发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显，以ZnTe形式存在的Te明显减少；ZnTe：Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显，退火前，Zn主要以ZnTe形式存在，退火后Zn原子向表面扩散，使表面成分更加均匀，谱峰变宽；退火时，部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相，引起载流子浓度变化，导致ZnTe：Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。     

Single-Photon Detection at Telecom Wavelengths

A single-photon detector based on an InGaAs avalanche photodiode has been developed for use at telecom wavelengths. A suitable delay and sampling gate modulation circuit are used to prevent positive and negative transient pulses from influencing the detection of true photon induced avalanches. A monostable trigger circuit eliminates the influence of avalanche peak jitter, and a dead time modulation feedback control circuit decreases the afterpulsing. From performance tests we lind that at the optimum operation point, the quantum efficiency is 12% and the dark count rate 1.5 × 10^-6 ns^-1, with a detection rate of 500 kHz.