A unified drain current 1/f noise model for GaN-based high electron mobility transistors

In this work, we present a theoretical and experimental study on the drain current 1/f noise in the AIGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT）. Based on both mobility fluctuation and carrier number fluctuation in a two- dimensional electron gas （2DEG） channel of AlGaN/GaN HEMT, a unified drain current 1/f noise model containing a piezoelectric polarization effect and hot carrier effect is built. The drain current 1/f noise induced by the piezoelectric polarization effect is distinguished from that induced by the hot carrier effect through experiments and simulations. The simulation results are in good agreement with the experimental results. Experiments show that after hot carrier injection, the drain current 1/f noise increases four orders of magnitude and the electrical parameter degradation Agm/gm reaches 54.9%. The drain current 1/f noise degradation induced by the piezoelectric effect reaches one order of magnitude; the electrical parameter degradation Agm/gm is 11.8%. This indicates that drain current 1/f noise of the GaN-based HEMT device is sensitive to the hot carrier effect and piezoelectric effect. This study provides a useful reliability characterization tool for the A1GaN/GaN HEMTs.     

痂囊腔菌素A的生物合成和光化学反应研究

报道了从中国云南西部山区筛选到一株丝状真菌Ascomyceters Hypocreaceae Hypomyces (Fr.) Ful SP.，并在实验室成功地进行培养. 这株真菌代谢产物的化学组分是痂囊腔菌A（EA），并经紫外光谱、元素分析、MS、¹H NMR、¹³C NMR和X-衍射鉴定. 在适当的条件下将痂囊腔菌素A（EA）氯仿溶液和二苄胺（DBA）氯仿溶液混合. 用可见光照射混合液，在Varian E-115ESR仪上可以得到强吸收. 得到的数据表明，EA可以诱导DBA转变成氧氮自由基.     

AsI_3电子结构与弹性性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究.研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好.AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征.R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2GPa,9.8GPa和23.9GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163K.能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34eV的间接带隙半导体.AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合.     

利斯的明消旋体的高效实用合成

利斯的明作为氨基甲酸酯类乙酰胆碱酯酶抑制剂在60多个国家被批准用于治疗老年痴呆症,是临床最重要的治疗药物之一.从3-乙基苯酚出发,以3步反应高效实用地合成了利斯的明消旋体.关键步骤是以NBS为试剂的N-甲基-N-乙基胺基甲酸-3-乙基苯酯的苄位溴代反应.目标分子能够以71%的总产率得到,并且整个实验不需要传统的柱层析或者重结晶分离.整个合成包括酯化、苄位溴代和取代3种反应.     

CdTe量子点增敏碱性鲁米诺-高碘酸钾流动注射化学发光法测定对乙酰氨基酚

在强碱性介质中,CdTe量子点(QDs)对鲁米诺-KIO4化学发光体系具有强烈的增敏发光作用,而在此发光体系中加入对乙酰氨基酚(APAP)又会产生抑制发光现象。基于对乙酰氨基酚(APAP)对CdTe QDs-鲁米诺-KIO4碱性化学发光体系的定量发光猝灭现象,建立了测定药物制剂中对乙酰氨基酚含量的流动注射-化学发光分析新方法。考察了CdTe QDs浓度、鲁米诺溶液浓度、KIO4溶液浓度、NaOH溶液浓度和泵流速等对测试结果的影响。在优化的最佳测定条件下,化学发光(CL)强度猝灭值的对数值与对乙酰氨基酚质量浓度的对数值之间有良好的线性关系,线性范围为1.0×10-7~1.0×10-5g/mL,检出限6.0×10-8g/mL(3σ),测定的相对标准偏差为1.3%(n=10)。方法已用于对乙酰氨基酚片剂中对乙酰氨基酚含量的检测,加标回收率在94.5%~105.0%之间。     

痂囊腔菌素A与咔唑化合物间的光致电子转移

研究了咔唑、咔唑-9-乙酸、3-溴-咔唑-9-乙酸在缺氧条件下对天然苝醌化合物痂囊腔菌素A(简记为EA)的荧光猝灭行为;由竹红菌甲素(HA)和乙素(HB)的荧光寿命估算了EA在乙腈中的荧光寿命,并进而计算了三个咔唑化合物的双分子猝灭速度常数.结果表明,三个咔唑化合物在EA的可见光吸收区无光吸收,据此推测其对EA的荧光猝灭作用归因于咔唑化合物作为电子给体而EA作为电子受体的光致电子转移作用.三个咔唑化合物的Stern-Volmer猝灭常数分别为698、704和1 063L·mol-1;乙酸基对咔唑环的光致电子转移速率几乎没有影响,而溴原子取代能够增加咔唑化合物对EA的荧光猝灭程度和光致电子转移速率.此外,EA在乙腈中的荧光寿命为1.98ns,而三个咔唑化合物的双分子猝灭速率常数分别为3.52×1011,3.56×1011和5.37×1011 L·mol-1·s-1.     

高分子键联金属钌(Ⅱ)和锇(Ⅱ)卟啉的合成

５－（对羟基苯基）－１０，１５，２０－三（对甲氧基苯基）卟啉（Ｈ２Ｐｏｒ）在氮气流下分别与十二羰基三钌［Ｒｕ３（ＣＯ）１２］，十二羰基三锇［Ｏｓ３（ＣＯ）１２］作用得到钌（Ⅱ）、锇（Ⅱ）羰基卟啉配合物［Ｒｕ（Ｏｓ）（Ｐｏｒ）（ＣＯ）（ＭｅＯＨ）］（２和３）．２和３分别与氯甲基化聚苯乙烯反应，得到载有高分子链的钌（Ⅱ）、锇（Ⅱ）羰基卟啉配合物４和５．新的金属配合物经ＩＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ，１ＨＮＭＲ光谱和元素分析得到证实．     

日食对Ne发射光谱强度的影响

为了观测日食时刻日－地空间发生的异常物理现象，本工作采用了观测Ne放电管光源的Ne光谱变化的方法，观测结果表明，日食对Ne光谱的强度产生影响，越接近食甚时刻，Ne光谱强度越弱。     

线偏振、圆偏振和椭圆偏振的飞秒激光诱导熔融石英损伤(英文)

基于电子分布函数的等离子体模型被广泛应用于熔融石英上飞秒激光诱导损伤过程的研究.在本研究中,等离子体模型被修正以研究不同的偏振状态的损伤过程,包括线偏振、圆偏振和椭圆偏振等.首先,使用扩展的Keldysh理论拟合得到不同偏振下的多光子电离截面.其次,为消除沉积能量梯度对模拟过程的影响,对介电函数进行了"非局部化处理".模拟结果表明:不同偏振下光子电离过程的差异是导致损伤过程差异的主要原因,而材料光学特性的改变导致的负反馈效应会使得该差异减小.修正等离子体模型预测的不同偏振下损伤阈值与实验结果吻合良好.     

基于第一性原理的Gd掺杂ZnO电子结构与吸收光谱研究

采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立了未掺杂ZnO和两种Gd掺杂浓度的ZnO模型.结构优化后,对各个模型的电子结构、态密度及吸收光谱进行了计算,其中Gd掺杂模型分别采用电子自旋极化与电子非自旋极化两种处理方式.结果表明:电子非自旋极化条件下,Gd掺杂在ZnO禁带中引入杂质能级,ZnO带隙变宽,导致相应的吸收光谱发生蓝移;考虑电子自旋极化时,Gd掺杂后的体系具有铁磁性,自旋电子在无序磁畴贡献的局部磁场内发生自旋能级分裂,使得带隙变窄,相应吸收光谱发生红移.