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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究。研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好。AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征。R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2 GPa, 9.8 GPa和23.9 GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163 K。能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34 eV的间接带隙半导体。AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究.研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好.AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征.R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2GPa,9.8GPa和23.9GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163K.能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34eV的间接带隙半导体.AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合. 相似文献
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