普物教学中如何讲述电磁场变换

从洛伦兹力公式和运动电荷磁场出发，导出了两惯性系间电磁场的变换关系．     

气井携液临界流量计算方法研究

目前水平井中气液两相流动携液临界流量的计算方法仅考虑了水平井段的携液情况而没有考虑直井段与斜井段对携液的影响,所以在直井段和斜井段中未完全携带出的残余流体还是会流到井底,从而在水平井中产生积液.本文对液滴在水平井中直井段,斜井段和水平段进行受力分析发现,在不同的井段液滴因为受力不同从而产生不同的形变,从而计算的携液临界流量也不相同。基于携液理论与气液两相流型理论,根据不同位置的受力情况分别推导了液滴处于直井段,斜井段和水平段时的携液临界流量公式.而水平井的携液临界流量应该为液滴从直井段,斜井段和水平段流过时携液临界流量的最大值。最后通过理论计算与实验结果验证了方法的正确性.     

射流泵抽吸式淹没射流装置

本文比较了淹没射流装置中产生射流的各种动力方法,提出采用射流泵在实验水箱底部抽吸流体形成负压产生射流的方法,成功地研制了射流泵抽吸式淹没射流装置.实验表明,这一装置具有较高的稳定性,适用于各种速度条件的淹没射流研究.     

键阻断原理构建中孔A型沸石

采用不同类型的有机硅烷化SiO₂作为基本合成单元, 制备了具有晶内中孔的A型沸石。考察了反应碱度、Si/Al比、晶化时间等合成条件对产品的影响。结果表明, 甲氨基丙基三甲氧基硅烷是合成中孔A型沸石的最佳硅烷化试剂;硅烷化试剂的应用, 使中孔沸石晶化过程可以通过“键阻断原理”有效控制;沸石的中孔尺寸可以通过不同类型的有机硅烷化试剂进行调控; 一定范围内, 其外比表面积、中孔体积随SiO₂表面硅烷化度的增加而增加。通过沸石晶化过程中的“键阻断”, 可以制备具有晶内中孔的A型沸石。     

超声波辅助提纯氢化枞酸的研究

以氢化松香为原料、乙醇胺为有机胺、乙酸乙酯为溶剂,在超声波辅助下进行胺化反应制备氢化枞酸乙醇胺盐,再经萃取、重结晶和酸化得到氢化枞酸,采用正交试验考察了超声功率、搅拌转速、反应温度、反应时间对氢化枞酸纯度的影响,结果表明,影响氢化枞酸纯度因素按显著程度依次为反应温度>反应时间>超声波功率>搅拌转速,确定了最佳的胺化反应条件为:反应温度40℃、反应时间40min、超声波功率400W、搅拌转速400r/min,所得氢化枞酸的纯度为94.5%。采用GC、GC-MS、FT-IR、熔点仪和旋光仪对氢化枞酸产品进行了分析鉴定。     

活性氮与溴分子反应的实验研究

在流动反应管中, 利用高纯N₂空心阴极放电制备活性氮, 研究了活性氮与溴分子碰撞反应得到的发射光谱. 在540～800 nm波段观察到了较强的NBr(b¹Σ^＋→X³Σ^－)跃迁发射谱, 在292 nm处观察到了Br₂(D'→A')辐射跃迁. 实验结果表明, 得到的NBr(b¹Σ^＋)显示出了非弛豫的发射特征, 最高振动能级为ν'＝9. 激发态的NBr(b¹Σ^＋)是由活性氮中的N(²P)原子与Br₂直接反应生成的.     

SiO2气凝胶中ZnS∶Mn纳米微晶的发光性质

利用溶胶 凝胶法在SiO2 气凝胶中制得了ZnS∶Mn纳米微晶 ,并对微晶的X射线衍射谱、激发 发射光谱、发光效率、时间分辨光谱进行了研究 ,讨论了发光性质变化的原因。实验表明 ,Mn2 + 在纳米微晶中的发光效率相对于体材料有明显的提高 ,弛豫时间也比在体材料中缩短了约一个数量级     

LPS，精益生产绩效管理好工具

“用一个指标（如投资报酬率）就可以判断公司精益生产的推行是否成功,那该多好!”这番话出自一位经理,其公司刚开始推行精益生产。事实上,不止他一个人有这样的想法。     

通过杯芳烃片段桥联合成杯[4]冠4齐聚物及其络合性能研究

通过杯芳烃片段桥联合成杯[4]冠4齐聚物,并通过两相萃取实验评估其络合性能。络合研究表明,酰胺型杯[4]冠4齐聚物（TCA[4]-III）对软金属银、铅离子和氨基酸具有选择性络合。其对色氨酸和组氨酸的萃取率分别高达87.9% 和 91.5%。     

Neutron powder diffraction and high-pressure synchrotron x-ray diffraction study of tantalum nitrides

Tantalum nitride(TaN) compact with a Vickers hardness of 26 GPa is prepared by a high-pressure and hightemperature(HPHT) method. The crystal structure and atom occupations of WC-type TaN have been investigated by neutron powder diffraction, and the compressibility of WC-type TaN has been investigated by using in-situ high-pressure synchrotron x-ray diffraction. The third-order Birch–Murnaghan equation of state fitted to the x-ray diffraction pressure–volume(P–V) sets of data, collected up to 41 GPa, yields ambient pressure isothermal bulk moduli of B'_0= 369(2) GPa with pressure derivatives of B 0= 4 for the WC-type TaN. The bulk modulus of WC-type TaN is not in good agreement with the previous result(B_0= 351 GPa), which is close to the recent theoretical calculation result(B_0= 378 GPa). An analysis of the experiment results shows that crystal structure of WC-type TaN can be viewed as alternate stacking of Ta and N layers along the c direction, and the covalent Ta–N bonds between Ta and N layers along the c axis in the crystal structure play an important role in the incompressibility and hardness of WC-type TaN.