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采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石碳膜, 研究了实验条件对类金刚石膜光学性能的影响, 发现氢可以提高膜中sp3键的含量和膜的光学透过率. 在实验参数范围内, 膜的光学性能随着氢压的增加而提高. 根据类金刚石膜的反应沉积机理对上述结果进行了分析、解释. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究。研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好。AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征。R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2 GPa, 9.8 GPa和23.9 GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163 K。能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34 eV的间接带隙半导体。AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究.研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好.AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征.R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14.2GPa,9.8GPa和23.9GPa,泊松比为0.22,德拜温度是163K.能带结构计算表明,AsI3是带隙为2.34eV的间接带隙半导体.AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合. 相似文献
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采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石碳膜,研究了实验条件对类金刚石膜光学性能的影响,发现氢可以提高膜中sp3键的含量和膜的光学透过率.在实验参数范围内,膜的光学性能随着氢压的增加而提高.根据类金刚石膜的反应沉积机理对上述结果进行了分析、解释. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对BiF3的结构、弹性和电子性质进行了研究.计算表明,正交的Pnma结构是零压下的最稳定结构.在0~45 GPa压力区间内,Pnma结构都是力学稳定的.BiF3是脆性材料,有较强的弹性各向异性特征.零压下体模量、剪切模量和杨氏模量分别为27.9 GPa,25.7 GPa和58.9 GPa,泊松比为0.15,德拜温度是244 K.电子性质的研究表明,零压下BiF3的带隙为4.69 eV,随着压强的升高,导带向高能方向移动,价带向低能方向移动.化学键是共价键和离子键的混合. 相似文献
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