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11.
The work deficit, as introduced by Jonathan Oppenheim et al. [Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 180402] is a good measure of the quantum correlations in a state and provides a new standpoint for understanding quantum non-locality. In this paper, we analytically evaluate the one-way information deficit (OWID) for the Bell-diagonal states and a class of two-qubit states and further give the geometry picture for OWID. The dynamic behavior of the OWID under decoherence channel is investigated and it is shown that the OWID of some classes of X states is more robust against the decoherence than the entanglement.  相似文献   
12.
为了研究RDX基聚黑铝炸药(JHL-X)的能量输出特性及其评估方法,通过绝热式量热仪、水下爆炸系统、空爆系统分别测试了JHL-X的爆热、水下爆炸能量、地面超压。结果表明:JHL-X在真空中的爆热值与在N2中的爆热值基本一致,约为1.75倍TNT当量;在空气中的爆热值为8 045.724 J/g,为1.93倍TNT当量,比真空和N2中高10%。JHL-X水下爆炸中的冲击波能、气泡能分别为0.935、4.614 kJ/g,总能量为1.83倍TNT当量。空爆时,根据通过地面超压得出的TNT和JHL-X超压公式,得到1.5、 2.0、 2.5m处的JHL-X的TNT当量分别为2.14、1.70、1.75,均值为1.86。采用水下爆炸和真空爆热法时,因外界环境不供氧,致使两种实验方法评估出的JHL-X炸药能量一致;而采用空爆和空气爆热法时,因外部环境供氧,致使含铝炸药中Al的反应增加,总能量提高,两种方法得到的实验结果相近。因此,在评估炸药能量水平时,需考虑炸药配方设计和实际用途,进而选择合适的评估方法。  相似文献   
13.
单层 FeO 薄膜表面周期性氧缺陷结构的形成   总被引:1,自引:0,他引:1  
 采用扫描隧道显微镜和 X 射线光电子能谱对含有次表层 Fe 的 Pt 表皮结构 (Pt skin), 即 0.4 ML Fe 的 Pt/Fe/Pt(111) 表面, 在 1.1 × 10?7 kPa 氧气气氛退火过程中的变化进行了研究. 结果表明, 当退火温度为 600 K 时, 氧气在 Pt/Fe/Pt(111) 表面上解离吸附并诱导表面局域结构的重构; 750 K 时次表层 Fe 可以扩散到表面并被氧化; 当升至 850 K 时, 在样品表面形成单层 FeO 结构, 并且 FeO 表面具有周期性的缺陷. 这种缺陷是由于单层 FeO 薄膜的摩尔条纹单胞中 fcc 位上一个或多个氧原子缺失形成的, 其中多原子空位被确定为缺失 6 个氧原子所致. FeO 表面缺陷结构的研究为理解 Fe-Pt 催化剂在氧化气氛中的结构稳定性以及构造表面活性位提供一定的基础.  相似文献   
14.
基于欧拉-拉格朗日方法,考虑热解过程中挥发分的析出和颗粒体积的变化,以上海市常见的绿化树种香樟树的树枝为实验材料,对固定床中生物质颗粒热解过程中温度对传热特性的影响进行了详细研究,利用开源软件OpenFOAM获得了反应器内不同热解阶段不同温度范围内颗粒数的分布,给出了不同温度下的有效传热系数及不同传热方式所占的比例.结果 表明:热解温度越高,有效传热系数降低,固体颗粒的平均比热容也逐渐降低;同时热解温度越高,辐射的换热量占比越大,而对流提供的热量占比则不断下降.  相似文献   
15.
采用密度泛函理论(DFT)方法研究了一系列超碱金属复合物Al7X0/-(X=F,Cl,Br,I)的几何结构及二阶非线性光学(NLO)性质.结果表明,不同卤素的连接对Al0/-7簇的几何构型影响均很小.计算得到Al7X和Al7X-体系的垂直电离能(VIE)均低于Cs原子的第一电离势(IP=3.90 eV),表明这些体系具有超碱金属的性质,可称其为超碱金属.此外,采用CAM-B3LYP,M06-2X和PBE0等3种泛函计算了该体系的非线性光学性质,结果显示,上述体系均具有较大的第一超极化率(β0),其中Al7I-的β0值为21679 a.u.,是已知超碱金属复合物BLi6F(11459 a.u.)的1.9倍.值得注意的是,该类体系的第一超极化率随着卤素电负性的减小而增大,即Al7F0/-相似文献   
16.
A practical 2.45-GHz microwave-driven Cs-free Hˉ source was improved based on the experimental Hˉ source at Peking University(PKU). Several structural improvements were implemented to meet the practical requirements of Xi'an Proton Application Facility(XiPaf). Firstly, the plasma chamber size was optimized to enhance the plasma intensity and stability. Secondly, the filter magnetic field and electron deflecting magnetic field were enhanced to reduce co-extracted electrons. Thirdly, a new two-electrode extraction system with farther electrode gap and enhanced water cooling ability to diminish spark and sputter during beam extraction was applied. At last, the direct Hˉ current measuring method was adopted by the arrangement of a new pair of bending magnets before Faraday cup(FC) to remove residual electrons. With these improvements, electron cyclotron resonance(ECR) magnetic field optimization experiments and operation parameter variation experiments were carried out on the Hˉ ion source and a maximum 8.5-mA pure Hˉ beam was extracted at 50 kV with the time structure of 100 Hz/0.3 ms. The root-mean-square(RMS) emittance of the beam is 0.25 Π·mm·mrad. This improved Hˉ source and extraction system were maintenance-free for more than 200 hours in operation.  相似文献   
17.
用紫外-可见(UV-Vis)光谱和荧光(FL)光谱研究了高频超声波激活卟啉镓(HP-Ga)配合物对牛血清白蛋白(BSA)的损伤,探讨了超声波照射时间,HP-Ga浓度和酸度等因素对BSA损伤的影响。结果表明,在一定条件下,BSA的损伤程度随着照射时间的增加和HP-Ga浓度的增大而加剧。  相似文献   
18.
水溶性染料是印染工业中污染治理的主要对象,由于它们大多含有苯环,目前所使用的化学和生物等处理方法效果均不佳。而以半导体为催化剂的光催化处理方法对单一染料和实际印染废水处理效果较好。本文采用高温处理过的纳米TiO2作催化剂对亚甲基蓝溶液进行降解,大大缩短了降解时间,提高了降解率,60min降解率即可达66.8%,120min降解率则可达80%以上。而且发现利用超声波来替代紫外光对亚甲基蓝进行降解时,  相似文献   
19.
马腾 《数学季刊》2023,(2):184-195
In this paper, we obtain the boundedness of multilinear Calderón-Zygmund operators with kernels of Dini type and commutators with variable exponent λ-central BMO functions in variable exponent central Morrey spaces.  相似文献   
20.
In this work, the total ionizing dose(TID) effect on 130 nm partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) static random access memory(SRAM) cell stability is measured. The SRAM cell test structure allowing direct measurement of the static noise margin(SNM) is specifically designed and irradiated by gamma-ray. Both data sides' SNM of 130 nm PD SOI SRAM cell are decreased by TID, which is different from the conclusion obtained in old generation devices that one data side's SNM is decreased and the other data side's SNM is increased. Moreover, measurement of SNM under different supply voltages(Vdd) reveals that SNM is more sensitive to TID under lower Vdd. The impact of TID on SNM under data retention Vddshould be tested, because Vddof SRAM cell under data retention mode is lower than normal Vdd.The mechanism under the above results is analyzed by measurement of I–V characteristics of SRAM cell transistors.  相似文献   
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