合金元素Zr韧化不同计量比Ni3Al合金的微观机制

利用正电子湮没技术（PAT）测量了不同化学计量比二元Ni3₃Al合金及不同Zr含 量Ni3₃Al合金的正电子寿命谱，并估算了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度.结果表明，二元Ni77₇₇Al23₂₃合金的基体和缺陷态的自由电子密度都比二元 Ni74₇₄Al26₂₆合金的高. Ni3₃Al合金晶界缺陷处开空间大于Ni空位或Al空位的开空间，晶界缺 陷处的自 关键词： 3Al合金')" href="#">Ni3₃Al合金 微观机制 自由电子密度 韧化     

利用付氏红外发射光谱研究EPO/PU IPN体系的反应动力学

利用改进的5DXFT-IR光谱仪,测试了140℃下IPN聚合反应过程的红外发射光谱。利用峰面积比值法,计算了不同时间下的反应程度和动力学常数。实验结果表明:环氧树脂和聚氨酯反应均为一级反应,k_epo=0.035,K_{epo in IPN}=0.10,K_pu=0.15。并讨论了反应与结构的关系。     

导电凝胶型全固态Ag/AgCl参比电极的制备及性能

研制出以固态AgCl~-KCl~-聚乙烯醇-琼脂混合物为导电凝胶的全固态Ag/AgCl参比电极(AllState-Referencr Electrode,简写为ASRE)。将ASRE与pH玻璃电极组成电极组,直接电位法测定pH2.00~12.00磷酸盐缓冲溶液的pH值,与以饱和甘汞电极为参比电极(SCE)的测定结果比较,相对误差为-0.8%~+0.8%;与氯离子选择电极组合测定1.00×10~(-1)~1.00×10~(-4) mol/L NaCl的电池电动势ΔE,-lgc(Cl~-)与ΔE呈良好的线性关系,斜率为-49.3,与以双盐桥SCE为参比电极时的斜率(-49.9)基本一致,表明ASRE能够代替双盐桥SCE运用于Cl~-浓度的测定。在10~80℃范围内,以KNO_3溶液(1.000 mol/L)为模型,测定ASRE相对于SCE的ΔE,ΔE与T呈线性关系,温度系数为0.123mV/℃。ASRE有望代替传统参比电极,应用于离线或在线电化学测定中。     

生物芯片表面氨基密度检测及稳定性研究

用不同氨基硅氧烷试剂在石英或玻璃片基表面上进行氨基化反应,将氨基化片基与芳香醛反应生成亚胺,再将亚胺水解在已知体积的乙酸水溶液中,得到相应的芳香醛溶液,利用UV-vis光谱检测其吸光度。这样,在水解液中检测到的醛的数量等于片基表面生成的亚胺的数量。由已知的水解液体积和片基表面积可以计算出片基表面氨基的相对密度。因9-蒽醛具有较大的摩尔消光系数(262 nm,6.36×107cm2/mol,0.8%CH3COOH aq.),所以,可以明显提高生物芯片表面氨基密度检测的灵敏度。实验还研究了各种氨基化试剂组装成膜的最佳反应条件及其在去离子水、酸性及碱性水溶液中的稳定性,结果表明:氨基化片基在去离子水中有很好的稳定性。     

Impact of STI indium implantation on reliability of gate oxide

The impacts of shallow trench isolation(STI)indium implantation on gate oxide and device characteristics are studied in this work.The stress modulation effect is confirmed in this research work.An enhanced gate oxide oxidation rate is observed due to the enhanced tensile stress,and the thickness gap is around 5%.Wafers with and without STI indium implantation are manufactured using the 150-nm silicon on insulator(SOI)process.The ramped voltage stress and time to breakdown capability of the gate oxide are researched.No early failure is observed for both wafers the first time the voltage is ramped up.However,a time dependent dielectric breakdown(TDDB)test shows more obvious evidence that the gate oxide quality is weakened by the STI indium implantation.Meanwhile,the device characteristics are compared,and the difference between two devices is consistent with the equivalent oxide thickness(EOT)gap.     

氮气流量对磁控溅射制备类金刚石薄膜性能的影响

采用磁控溅射法以石墨为靶材在玻璃衬底上沉积了类金刚石(DLC)薄膜,用原子力显微镜表征了不同氮气流量条件下生长薄膜的形貌,用拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪和分光光度计分析了样品的微结构、元素的价态和透光性能.结果表明:沉积的薄膜均为非晶结构.通入2sccm氮气时,薄膜的光学透过率大大提高,此时DLC薄膜内的氮元素含量为5.88%,sp3键百分比为64.65%,ID/IG值为1.81;掺氮DLC薄膜在可见光范围内光学透过率达到95.69%.随着氮气流量增加,DLC薄膜光学透过率呈现出下降的趋势.退火2h后不掺氮DLC薄膜光学透过率呈小幅度下降,而掺氮DLC薄膜的光学透过率几乎没有变化.     

纳秒激光等离子体相互作用过程中激光强度对微波辐射影响的研究

在强激光与等离子体的相互作用中,通常能够产生时间尺度长达百纳秒量级的微波辐射,形成的复杂电磁环境会干扰或损坏机械电子设备,并给物理过程的准确认识与表征带来困难.然而,目前对于微波辐射的产生机制的研究还不够系统和完善.本文通过系统地改变纳秒激光与等离子体作用过程中入射的激光能量以改变入射激光强度,发现微波辐射强度随激光强度非单调变化.在较低的激光强度下,辐射强度随激光强度的增加先增加后减小,辐射场时间波形呈现连续振荡的特征,辐射频谱包含低于和高于0.3 GHz两部分分量;在较高的激光强度下,辐射强度随激光强度的增加而增加,辐射场时间波形表现为数十纳秒的单极性辐射,辐射频谱主要包括0.3 GHz以下的分量.分析表明,导致微波波形和频谱差别的原因是辐射机制发生了变化.在较低的激光强度下,微波辐射由偶极辐射和靶上电子束向真空出射共同作用产生,其中偶极辐射占主导;在较高的激光强度下,微波辐射主要由靶上电子束向真空出射产生.研究结果对于理解纳秒激光与等离子体相互作用过程中的微波辐射机制具有比较重要的意义,同时也为借助微波辐射诊断激光与等离子体相互作用过程中的逃逸电子、靶面鞘层场等问题提供了参考.     

儿童低水平铅暴露对GH/IGF1轴的影响

为探讨儿童低水平铅暴露对其GH/IGF1轴的影响,用原子吸收光谱法检测了121例0.5～16岁儿童全血铅水平(BPL),化学发光法测定了生长激素(GH)水平,酶联免疫吸附法测定了胰岛素样生长因子-1(IGF-1)和胰岛素样生长因子结合蛋白-3(IGFBP-3);按血铅水平分成两组:A组69例,B组52例,年龄最小0.5岁,最大16岁,中位数4岁。ρ(BPL)50μg/L为A组,ρ(BPL)≥50μg/L为B组,应用独立样本t检验比较了两组IGF-1、IGFBP3和GH水平的差异。结果表明,总体血铅水平为8～146μg/L,总体中位数47μg/L;A组血IGFBP3水平明显高于B组,其差异有极显著意义;A组IGF-1水平高于B组,但无统计学意义。提示低水平铅暴露可能对GH/IGF1轴产生影响,从而影响儿童体格发育。     

飞秒激光离焦抽运熔融石英产生超连续白光的实验研究

利用飞秒激光在熔融石英介质中传输产生能量达数毫焦、波长范围覆盖400-900 nm 且光谱分布较为均匀的超连续白光,实验过程中将熔融石英介质离焦放置以避免被击穿. 研究了入射激光能量以及介质离焦距离对超连续白光特性的影响. 结果表明采用高能量的入射激光脉冲离焦抽运介质的方法能够有效避免介质 击穿损伤并提高超连续白光脉冲的能量输出.     

多脉冲序列飞秒钛宝石激光的啁啾脉冲放大

在数太瓦钛宝石啁啾脉冲放大系统中（极光Ⅱ升级装置）,对多脉冲序列的放大过程进行了详细的实验研究,获得了多脉冲序列的放大输出.每一个放大脉冲串中包含有19个独立的飞秒单脉冲,其相邻间隔为14.8 ns,对应的重复频率为67.5 MHz.脉冲串的总能量约为122 mJ,各单脉冲能量从20 mJ指数衰减至0.5 mJ,脉宽约为60fs,对应的峰值功率约为10¹¹—10¹⁰W.这种脉冲序列在产生长寿命激光等离子体、激光微加工等方面有重要应用前景.