Large coercivity and unconventional exchange coupling in manganese-oxide-coated manganese gallium nanoparticles

The microstructures and magnetic properties of nanoparticles, each composed of an antiferromagnetic （AFM） manganese-oxide shell and a ferromagnetic-like core of manganese-gallium （MnGa） compounds, are studied. The coreshell structure is confirmed by transmission electron microscope （TEM）. The ferromagnetic-like core contains three kinds of MnGa binary compounds, i.e., ferrimagnetic （FI） DO22-type MnaGa, ferromagnetic （FM） Mn8Gas, and AFM DO19-type Mn3Ga, of which the first two correspond respectively to a hard magnetic phase and to a soft one. Decoupling effect between these two phases is found at low temperature, which weakens gradually with increasing temperature and disappears above 200 K. The exchange bias （EB） effect is observed simultaneously, which is caused by the exchange coupling between the AFM shell and FM-like core. A large coercivity of 6.96 kOe （1Oe = 79.5775 A·m^-1） and a maximum EB value of 0.45 kOe are achieved at 300 K and 200 K respectively.     

环氧树脂/聚丙烯酸酯型网间交联互穿网络聚合物的研究(Ⅰ)——形态和动态力学行为

互穿网络聚合物(IPN)中两个网络相互贯穿、缠结,增大了组分间的相容性,使玻璃化转变温度(T_g)内移,表现出相当宽的温度(频率)范围,引起人们广泛注意。但由于普通的IPN体系两个T_g间往往有一个凹谷,不是一种理想的吸震材科,Scarito及其同事采用网络间交联的方法提高了凹谷的高度。本工作以甲基丙烯酸乙二醇脂为网     

Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展

半导体异质结在探索新奇物理和发展器件应用等方面一直发挥着不可替代的作用.得益于其特有的能带性质,相对较窄的带隙和足够大的自旋轨道耦合相互作用,Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结不仅在红外器件应用方面具有重要的研究价值,而且在拓扑绝缘体和自旋电子学等前沿领域引起了广泛的关注.尤为重要的是,在以CdTe/PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结界面上发现了高浓度、高迁移率的二维电子气.该电子气的形成归因于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结独特的扭转界面.进一步的研究表明,该二维电子气体系不仅对红外辐射有明显响应,而且它还表现出狄拉克费米子的性质.本文系统综述了近年来Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究取得的主要进展.首先对Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结扭转界面二维电子气的形成机理进行了介绍;然后讨论该二维电子气在低温强磁场下的输运性质,并分析了它的拓扑性质以及在自旋器件方面的应用前景;最后,展示了基于该二维电子气研制的中红外光电探测器.     

利用付氏红外发射光谱研究EPO/PU IPN体系的反应动力学

利用改进的5DXFT-IR光谱仪,测试了140℃下IPN聚合反应过程的红外发射光谱。利用峰面积比值法,计算了不同时间下的反应程度和动力学常数。实验结果表明:环氧树脂和聚氨酯反应均为一级反应,k_epo=0.035,K_{epo in IPN}=0.10,K_pu=0.15。并讨论了反应与结构的关系。     

聚丙烯酸丁酯/蓖麻油聚氨酯半互穿弹性体网络研究

用同步预聚合法合成了聚丙烯酸丁酯/蓖麻油聚氨酯半(SEN),通过拉伸试验、TBA和SEM等手段对其性能和形态进行了表征.结果表明,在一定组分比下半SEN的力学性能协同增加.该半SEN为部份相容体系,具有两相结构,相区尺寸约8000um左右.讨论了形态对性能的影响.