Mn-Cu合金成分对去合金化法制备纳米多孔铜的影响

 采用电弧熔炼制备出前驱体Mn-Cu合金,在稀盐酸溶液中自由腐蚀去合金化,制备出具有双连续结构的纳米多孔铜。研究了前驱体合金的成分对纳米多孔铜微观结构及Mn的选择性腐蚀程度的影响。结果表明：前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为43%时,其去合金化受到抑制,存在明显的未完全去合金化的岛状结构;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数为32%～23%时,可完全去合金化,形成平均孔径尺寸为20～100 nm,平均系带尺寸为30～80 nm,具有双连续结构的纳米多孔铜;前驱体Mn-Cu合金的Cu原子分数低至20%时,去合金化后存在大量裂纹,形成纳米颗粒聚集体。纳米多孔铜中存在少量的残余Mn,残余Mn的原子分数随着前驱体合金Mn原子分数的增高而降低。实验表明腐蚀液浓度对纳米多孔铜形貌也存在影响。     

磁控溅射制备的W,WSi2,Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100 nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20 nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜.利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值.结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力.WSi2单层...     

电多极矩跃迁选择定则的对称分析

只有由群的对称性才可能导出每个不可约表示的对称性波函数, 即对称化基函数.也只有由群的对称性才可能导出电子状态跃迁的最一般选择定则 , 即电偶极跃迁E1, 电四极跃迁E2 和 电八极跃迁E3跃迁的选择原则. 本文以 和 为例, 导出电多积跃迁的选择原则. 角动量的选择定则只是特例. 并用方法SAC-CI/6-31G 计算了 H2O和 CC的基态以及其激发态的激发能和振子强度.本文只适合单光子过程. 计算都与理论相合.     

Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3体系调带宽引起的磁相变及电输运性质转变

采用固相法制备了Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3（x=0．0,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）多晶样品．通过测量样品的X射线衍射（XRD）谱、磁化强度-温度（M～T）曲线、电阻率-温度（ρ～T）曲线,研究了Sr^2＋替代Ca^2＋对Pr0．45Ca0．55MnO3体系磁性和电性的影响．实验发现：...     

In0.3Co4Sb12-xSex 方钴矿热电材料的制备和热电性能

用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In_0.3Co₄Sb_12-xSe_x(x=0—0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In_0.3Co₄Sb_12-xSe_x样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In_0.3Co₄Sb₁₂和In_0.3Co₄Sb_11.95Se_0.05的最大ZT值均达到1.0以上. 关键词： 掺杂 填充式方钴矿 热电性能     

乒乓球的“反常”运动

我们知道,由于惯性,物体运动状态发生变化时,看起来好像呈"相反"的运动状态;比如刹车时乘客向前倾倒,车启动时乘客向后倾倒.在教学中还有这样一个惯性"反常"的问题引起了学生的兴趣:在一个密闭、充满水的长方体容器的顶部和底部分别系一个铁球和一个乒乓球,如图1(a)所示.刚开     

H_2及H~ 对C_xH_(1-x)薄膜表面状态的影响

系统研究了 H2 流量和 H 原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。     

对浙大《概率论与数理统计》教材谈几点看法

<正> 近几年来,概率论与数理统计课在各工科院校相继开出。希望有一本或数本合用的教材成了普遍关心的问题。据笔者多次教这门课的体会,觉得浙江大学数学系高等数学教研组编写的这本《概率论与数理统计》(以下简称浙书)是比较好的一本。它选材精练,布局合     

超导电性制冷唯象理论

本文以超导热力学唯象为基础，讨论了有退磁效应和远退磁效应的两种Ｉ类超导体样品在外场从０增加到临界场ＨＣ（Ｔ）过程中所产生的制冷效应，我们发现：对于有退磁效应的样品，其制冷效应发生在中间态区；而从Ｍｅｉｓｓｎｅｒ态到中间态和从中间态到正常态的相变过程是二级相为，所以无制冷效应，这可能是超导体制冷实验研究的核心问题。