聚硅氮烷的热分解特性研究

研究了由有机氯硅烷氨解制得的聚硅氮烷（ＰＳＺ）在Ｎ２与ＮＨ３气氛中的热分解特性．结果表明，在Ｎ２气氛中，ＰＳＺ经三个阶段转化为无定形陶瓷，在更高温度下则得到α－Ｓｉ３Ｎ４结晶与β－ＳｉＣ微晶的复合体．β－ＳｉＣ的形成来源于Ｓｉ－ＣＨ３基团的热分解，降低ＰＳＺ中Ｓｉ—ＣＨ３，含量能提高产物中Ｓｉ３Ｎ４的含量．在ＮＨ３气氛中热分解时产生脱碳反应，导致形成无定形态的无机物，它在１５００℃转化为几乎为纯的α－ＳｉＮ４．     

采用红外漫反射光谱研究纳米Si3N4的表面结构

采用付利叶红外漫反射光谱对激光法制取的具有不同化学组成的纳米Ｓｉ３Ｎ４粉（１５４－３０ｎｍ）的表面结构，室表面氧化及热稳定性进行了研究，结果表明新鲜的富氮粉体表面主要为硅胺基（Ｓｉ３－ｘＮＨｘ，ｘ＝１－３）结构，粉体暴露空气后硅胺基会与空气中的水分子反应形成硅醇基（ＳｉＯＨ）结构，具有不同组成的粉体随粉中氮含量的增大粒子表面硅胺基量也增加；富硅粉体表面硅胺基较少，其氧化主要为表面硅原子与空气中氧原     

硅橡胶热降解动力学的研究

用恒温热失重方法，研究了甲基硅橡胶（Ｓｉ—Ｏ—１），用氢氧化钾催化聚合的甲基硅橡胶（Ｓｉ—Ｏ—２），主链含环二硅氮烷的硅氮橡胶（Ｓｉ—Ｎ—１）以及它与Ｓｉ—Ｏ—１的共混物Ｓｉ—Ｏ—３和与Ｓｉ—Ｏ—２的共混物Ｓｉ—Ｏ—４的热降解反应动力学．结果表明Ｓｉ—Ｎ—１有最高的热稳定性，在氮气下，其降解反应活化能为３４４ｋＪ／ｍｏｌ．并且发现它分别与Ｓｉ—Ｏ—１和Ｓｉ—Ｏ—２的共混物的热稳定性大幅度提高．Ｓｉ—Ｏ—３在氮气下的降解活化能由未加入Ｓｉ—Ｎ—１前的１５２ｋＪ／ｍｏｌ提高到２３０ｋＪ／ｍｏｌ；Ｓｉ─Ｏ─４则由未混入Ｓｉ─Ｎ─１前的６１ｋＪ／ｍｏｌ提高到１４４ｋＪ／ｍｏｌ．我们认为这种作用机理是由于硅氮橡胶除去了微量吸附水和硅羟基并导致催化剂的离子对难于分离的结果．     

用逸氢热导法测定超细陶瓷粉中游离硅和游离铝

利用游离硅和游离铝与碱溶液作用产生氢气，使它们与ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ，ＳｉＯ２以及Ａｌ２Ｏ３等多种硅（铝）化合物分离。     

1,2-双(四甲基环戊二烯基)四甲基二硅烷与六羰基钼的反应

１,２－双（四甲基环戊二在）四甲基二硅烷与正丁基锂作用生成（四甲基二硅撑）双（四甲基环戊二烯基负离子盐）,后者随即与六羰基钼反应形成１,１＇－（四甲基二硅撑）双（四甲基环戊二烯基钼负离子盐）－－（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）〖Ｍｅ４ＣｐＭｏ（ＣＯ）３－Ｌｉ＾＋〗２（１）,１与冰醋酸作用,随即分别与ＣＣＩ４,ＮＢＳ及Ｉ２反应,生成相应的钼卤化合物（Ｍｅ２ＳＩＳｉＭｅ２）〖Ｍｅ４ＣｐＭｏ（ＣＯ）３Ｘ〗２〖Ｘ     

Si4+Si3反应动力学：振动激发态对反应的影响

用准经典轨线方法研究了处于振动激发态的硅原子团簇与硅原子团簇碰撞的反应动力学，计算表明，对于Ｓｉ４＋Ｓｉ３反应，当反应物团簇处于振动激发态时，有利于生成更小团簇的碎片，而对生成Ｓｉ６＋Ｓｉ及Ｓｉ５＋Ｓｉ２的影响不大。     

(CH_3)_3SiOSO_2CF_3/SbCl_3阳离子引发体系引发1,3-戊二烯聚合

研究了三氟甲基磺酸三甲基硅酯／三氯化锑（（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３／ＳｂＣｌ３）复合引发体系对１,３ 戊二烯的聚合行为．在（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３引发剂中加入ＳｂＣｌ３后,使聚合反应速率提高了２４倍,产率从（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３引发的５５％提高到８０％以上,分子量提高１７倍．在聚合体系中加入酮类后,产率和分子量相对于（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３／ＳｂＣｌ３配比为０２：１时引发所得聚合物均呈下降趋势;但对不同的酮来说,随着酮的位阻的增大,聚合物的产率和分子量均增大．聚合物的１Ｈ ＮＭＲ图和红外谱图数据均证明该聚合反应是通过（ＣＨ３）３ＳｉＯＳＯ２ＣＦ３与体系中残存的水水解所形成的质子酸ＨＯＳＯ２ＣＦ３与ＳｂＣｌ３反应所形成的复合体系引发进行的．     

改性SrTiO3陶瓷电容器材料的化学制备及电性研究

本文采用（Ｃ４Ｈ９Ｏ）４Ｔｉ，Ｓｒ（ＮＯ３）２和Ｎｉ（ＮＯ３）３为原料制成柠檬酸多元配合物溶液，经过形成溶胶凝胶过程，在一定条件下进行热分解，获得组成为：０．９１ＳｒＴｉＯ３＋０．０９（Ｂｉ２Ｏ３．３ＴｉＯ２）的陶瓷粉料，上述粉料掺入３ｍｏｌ％ＰｂＯ，３Ｍｏｌ％Ｌｉ２Ｏ和０．４ｍｏｌ％Ｒｂ２Ｏ后经混全，压片、干燥和烧结等步骤制成改性ＳｒＴｉＯ３电容器材料，电性研究表明，用这种材料制成的电容器其介电     

三羰基环戊二烯基钼负离子与1,3—二卤丙烷的反应

三羰基环戊二烯基钼负离子与１，３－二卤丙烷在一缩二乙二醇二甲醚介质中反应，生成环卡宾配合物ＣｐＭｏＸ（ＣＯ２）ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２（Ｘ＝Ｂｒ．Ｉ）硅桥连双环戊二烯基三羰基钼负离子与１，３－二卤丙烷顺利地进行类似反应，生成相应的硅桥连双（环卡宾钼配合物）－Ｅ（Ｃ５Ｈ１ＭｏＸ（ＣＯ）２ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２）２（Ｅ＝Ｍｅ２Ｓｉ，Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２，Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ２），化合物硅氧硅桥联二茂二钼     

胺类杂氮硅三环化合物红外光谱研究

对γ－氨丙基杂氮硅三环，γ－乙二胺基丙基杂的氮硅三环，γ－乙二撑三胺基丙基杂质硅三环３种化合物的红外光谱进行了研究，胺基的特征吸收为：伸缩振动υａｓ（ＮＨ）和υｓ（ＮＨ）；剪式振动δ（ＮＨ２）。三环的特征吸收为：ＣＨ２的弯曲振动ω（ＣＨ２Ｎ）ω（ＣＨ２Ｏ）和τ（ＣＨ２Ｏ）；Ｃ－Ｏ键的伸缩振动υ（Ｃ－Ｏ）；Ｎ－Ｃ键的伸缩振动υ（ＮＣ３）和υ（ＮＣ３），Ｓｉ－Ｏ键的伸缩振动υ（Ｓｉ－Ｏ）和υ（Ｓｉ－Ｏ     

含1-(2-甲氧乙基)茚基和二(三甲硅基)胺基的稀土有机配合物的合成和表征

无水三氯化稀土（ＬｎＣｌ３），二（三甲硅基）胺基钾（ＬｉＮ（ＳｉＭｅ３）２〗及１－（２－甲乙基）茚室温上在四氢呋喃溶剂中反应，得到了４个含１－（２－甲氧乙基）茚基和二（三甲硅基）胺基的稀土金属有机物｛（Ｃ９Ｈ６ＣＨ２Ｃ２ＯＭｅ）Ｌｎ〖Ｎ（ＳｉＭｅ３）２〗２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｙｂ）｝，这些配合物均经元素分析、ＩＲ和ＭＳ表征。     

红外激光诱导SiO2薄膜生长的氧化动力学研究

在较低基底温度（室温至～２００℃）下，用μ０．６μｍ ＣＷ ＣＯ２激光在硅（１００）表面生成ＳｉＯ２薄膜，研究了反应气配比（Ｏ２／Ｎ２），基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对ＳｉＯ２薄膜形成的影响，探讨了红外激光助长的硅表面氧化反应动力学过程，认为在薄层氧化区域（＜３０ｎｍ）存在反应诱导期。     

SAPO-34分子筛晶化机理的研究

采用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＩＲ和ＣＰ／ＭＡＳ及ＭＡＳＮＭＲ等手段，对快速水热合成ＳＡＰＯ３４分子筛的全过程进行了监测，研究了由原始凝胶到ＳＡＰＯ３４结晶体过程中固相物质的组成结构随晶化时间的变化规律．结果表明，ＳＡＰＯ３４晶核的形成过程既是一个硅氧、磷氧和铝氧四面体由无序排列的胶团到有序排列的晶格骨架的重排过程，同时又是羟基缔合脱水环化的过程．晶化分为晶化前期和晶化后期两个阶段．晶化前期，硅原子直接参与晶核的形成和晶粒的长大过程，生成Ｓｉ（４Ａｌ）结构；晶化后期，少量硅以同时取代一对磷铝原子的方式进入分子筛骨架形成Ｓｉ（３Ａｌ），Ｓｉ（２Ａｌ），Ｓｉ（１Ａｌ），Ｓｉ（０Ａｌ）等多种硅结构．但在整个晶化过程中Ｓｉ（４Ａｌ）结构的生成并不排除硅单独取代磷机理的共同作用．     

SiH3No2—SiH3ONO异构化的量子化学研究

用ＭＮＤＯ法研究了ＳｉＨ３ＮＯ２和其异构体ＳｉＨ３ＯＮＯ之间的转化，结果表明，Ｓｉ－Ｎ键的断裂和Ｓｉ－Ｏ键的生成有较小的能垒，反应为放热过程。．     

硅锑钼杂多酸·罗丹明B缔合物的共振散射光谱研究及其应用

在０．０４ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４介质中,ＳｉＯ＾２－３、Ｓｂ（Ⅲ）和ＭｏＯ＾２－４形成Ｓｉ－Ｓｂ－Ｍｏ三元杂多酸;调节酸度至０．２２ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４加入罗丹明Ｂ生成四元缔合物。该缔合物在６００ｎｍ处产生一灵敏的共振散射峰。据此建立了一个测定２－４０ｎｇ／ｍＬ Ｓｉ的共振散射光谱分析新方法,用于钢样中硅的测定,结果满意。     

某些有机硅及2—三丁基锡二茂铁衍生物的合成及表征

由Ｎ，Ｎ－二甲氨甲基二茂铁（Ｉ）单锂化后与三甲基氯硅烷（Ｍｅ３ＳｉＣｌ）反应，合成了２－（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ⅱ）；Ⅱ再单锂化后与Ｍｅ３ＳｉＣｌ反应得到了２，５－二（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ⅲ）；单锂化的Ｉ与Ｍｅ２ＳｉＣｌ２反是得到了双－（２－（二甲氨甲基）二茂铁基）二甲基硅烷（Ⅳ）双锂化Ｉ与二倍量的Ｍｅ３ＳｉＣｌ反应得到了２，１′－二（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ｖ），由碘化（２－（     

SiH_3NO_2－SiH_3ONO异构化的量子化学研究

用ＭＮＤＯ法研究了ＳｉＨ_３ＮＯ_２和其异构体ＳｉＨ_３ＯＮＯ之间的转化。结果表明，Ｓｉ－Ｎ键的断裂和Ｓｉ－Ｏ键的生成有较小的能垒，反应为放热过程。     

三羰基环戊二烯基钼负离子与1，3－二卤丙烷的反应

三羰基环戊二烯基钼负离子与１，３－二卤丙烷在一缩二乙二醇二甲醚介质中反应，生成环卡宾配合物ＣｐＭｏＸ（ＣＯ）＿２ＣＯ（ＣＨ＿２）＿２ＣＨ２（Ｘ＝Ｂｒ，Ｉ）．硅桥连双环戊二烯基三羰基钼负离子与１，３－二卤丙烷顺利地进行类似反应，生成相应的硅桥连双［环卡宾钼配合物］──Ｅ［Ｃ＿５Ｈ＿４ＭｏＸ（ＣＯ）＿２］ＣＯ（ＣＨ＿２）＿２ＣＨ＿２］＿２（Ｅ＝Ｍｅ＿２Ｓｉ，Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ＿２，Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ＿２）．化合物硅氧硅桥联二茂二钼环卡宾配合物１１的晶体结构经Ｘ射线衍射测定，晶体属三斜晶系，Ｐ１空间群，晶体学数据：ａ＝０．８１８８（１）ｎｍ，ｂ＝１．０４５（３）ｎｍ，ｃ＝２．３２５２（４）ｎｍ，α＝９４．１４（２）°，β＝９４．０９（１）°，γ＝１０２．４８（２）°，Ｖ＝１．９３０６ｎｍ￣３，Ｚ＝２，Ｄ＿ｃ＝１．８５４ｇ／ｃｍ￣３。     

稀土对SiO2碳热还原氮化制备Si3N4机理研究

研究了不同稀土氧化物添加剂对ＳｉＯ２碳热还原氮化制备Ｓｉ３Ｎ４粉料作用机理。结果表明，稀土氧化物添加剂促进氧化，且制备的Ｓｉ３Ｎ４粉料，颗粒细，含α－Ｓｉ３４Ｎ４较高，是一种有开发前景的添加剂。     

邻苯二酚作螯合剂合成全硅方钠石（Si—SOD）和全硅ZSM—5（S …

通过在两个合成分子筛的体系ＳｉＯ２－ＮａＯＨ－ＥＧ－Ｒ和ＳｉＯ２－ＴＰＡＢｒ－ＮａＯＨ－Ｈ２Ｏ－Ｒ（Ｒ：邻苯二酚,ＥＧ;乙二醇）中加入邻苯二酚获得了具有较大尺寸和完善形貌的分子筛单昌。＾２９Ｓｉ ＮＭＲ,ＩＲ和ＵＶ－Ｖｉｓ光谱表明,在反应混和物中有硅－邻苯二酚螯全物生成,这种硅的螯合物在形成分子筛大单昌过程中起到了缓释硅源的作用。