分子结构对硫脲类化合物在铜表面自组装能力的影响

利用电化学阻抗谱和极化曲线研究了硫脲、烯丙基硫脲、苯基硫脲在金属铜表面上的自组装膜的质量和缓蚀效率, 并通过量子化学计算进一步研究了各种分子和金属铜的相互作用. 结果表明硫脲类分子在金属铜表面上的成膜能力顺序为: 苯基硫脲＞烯丙基硫脲＞硫脲, 并揭示了分子结构对硫脲类化合物在金属铜表面自组装影响的本质, 为进一步寻找和制备优良的缓蚀功能自组装膜提供理论依据.     

烯丙基硫脲和十二烷基硫醇对铜的缓蚀作用

用自组装技术在铜电极表面上制备了纯烯丙基硫服自组装膜，并以十二烷基硫 醇进一步修饰得到混合自组装膜。最后，将混合膜覆盖的铜电极浸入NaCl溶液中， 进行交流电处理，电化学交流阻抗谱和极化曲线测定表明，经过交流电处理后，在 0．5mol·dm^-3 NaCl溶液中，电荷传递电阻增大，腐蚀电流密度下降，膜的最大 覆盖度为98．6％，对金属铜腐蚀的续蚀效率为98．5％。而且，不论交流电处理与 否，混合自组装膜在较宽的电极电位范围内均表现出很强的稳定性。     

卤离子溶液中邻香兰素邻苯二胺对铜的缓蚀作用

应用恒电位稳态极化和交流阻抗技术研究了希夫碱—邻香兰素邻苯二胺 (V_oPh_V)在中性NaCl或NaBr溶液中对金属铜阳极溶解和腐蚀的缓蚀作用 .通过比较铜在空白溶液与含有V_o_Ph_V溶液中的电化学行为解释了V_o_Ph_V的缓蚀机制 .此外还研究了V_o_Ph_V自组装膜在Na Cl溶液中对铜腐蚀的缓蚀效应 .     

二茂铁硫醇自组装膜的电化学行为及其离子对效应

详细了研究１０－二基铁－１－癸硫醇（ＨＳＣ１０Ｆｃ）在金基底上形成的自组装单分子膜的电化学行为,发现ＨＳＣ１０Ｆｃ在金基底上形成稳定的自组装膜,并且在０．１ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌＯ４溶液中表现出可逆的氧化还原行为,但其氧化还原峰的峰形和峰位极易溶液中阴离子种类和浓度的影响,考察了二茂铁自组装膜及通过后置换形成的二茂铁硫醇／十二烷基硫醇混合膜在混合电解液中的电化学行为,直接比较了两种不同阴离子与二茂铁阳     

席夫碱自组装单分子膜的电化学行为

利用自组装技术将席夫碱硫醇衍生物在金表面形成自组装单分子膜,并初步研究了此自组装单分子膜的电化学行为,发现该席夫碱分子在0.1 mol•L－1的KCl溶液中具有电化学不可逆氧化还原行为，且随着自组装时间的增加表观电极反应速率常数值显著减小,最后减小为0,并对此进行了解释.     

聚电解质PDDA/PSS层层自组装膜的渗透汽化性能

采用聚电解质层层自组装(LbL)技术, 在不同盐浓度下制备了聚(二烯丙基二甲基氯化铵)/聚苯乙烯磺酸钠(PDDA/PSS) 多层自组装膜, 并用于渗透汽化性能的研究. 重点考察了组装溶液中NaCl的浓度、组装层数及操作温度对自组装膜的异丙醇脱水性能的影响. 同时, 用扫描电镜观测了不同条件下制备膜的表面形貌. 结果表明, 在高NaCl含量的聚电解质溶液中只需组装几个双层的LbL膜, 即能获得较高的分离因子和较大的通量, 并解释了该LbL膜呈现反“trade-off”现象的原因.     

电流滴定法对两种短链分子自组装膜的研究

把带有—NH2的半胱胺和4-氨基硫酚两种短链分子组装到金电极上,形成自组装单分子膜;两种自组装膜在[Fe(CN)6]3-/4-溶液中进行循环伏安扫描时,出现了不同于长链分子自组装膜的行为:峰间距变窄、峰电流变大的现象,这是由于两者在金上组装不够致密,以及末端的—NH2存在对[Fe(CN)6]3-/4-的影响造成的。通过改变溶液的pH,研究溶液中H 浓度对半胱胺自组装膜和4-氨基硫酚自组装膜在[Fe(CN)6]3-/4-溶液中电化学行为的影响;通过电流滴定的方法求算出半胱胺自组装膜和4-氨基硫酚自组装膜的表面pKb分别为2.4±0.2和4.7±0.2;通过在碱性条件下的循环伏安图,对两者的组装效果进行了比较。     

铁表面组装磷酸三乙酯缓蚀功能分子膜的研究

研究一种新型的自组装成膜物质—磷酸三乙酯(TEP).实验发现,TEP自组装膜能有效抑制铁在0.5mol.L-1硫酸溶液中的腐蚀.电化学测试显示,组装时间对成膜效果产生影响.在最初较短的组装时间内,TEP自组装膜的缓蚀效率随组装时间延长而快速增加,之后增加速率减慢直至恒定.     

表面硅烷化铜箔的电化学腐蚀与防护研究

用γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)溶液对铜箔表面硅烷化处理,采用动电位极化和电化学交流阻抗研究不同pH的γ-氨丙基三甲氧基硅烷溶液自组装铜箔电极在0.1 mol.L^-1NaCl溶液的腐蚀防护效果,采用扫描电子显微镜观察γ-氨丙基三甲氧基硅烷自组装膜的表面形貌.结果表明,γ-氨丙基三甲氧基硅烷自组装铜箔有较好的腐蚀防护效果,其中pH=7的γ-氨丙基三甲氧基硅烷溶液自组装膜的抗腐蚀效果最佳.     

铜电极表面硅烷膜的自组装及其性能研究

应用自组装技术在铜电极表面上制备3巯基丙基三甲氧基硅烷自组装膜.红外光谱研究该自组装膜结构,电化学方法考察3-巯基丙基三甲氧基硅烷膜在5%NaCl溶液中对铜电极的缓蚀性能.结果表明,于不同浓度的3-巯基丙基三甲氧基硅烷乙醇溶液中自组装的硅烷膜表现出较好的抗腐蚀性.