卤离子溶液中邻香兰素邻苯二胺对铜的缓蚀作用

应用恒电位稳态极化和交流阻抗技术研究了希夫碱—邻香兰素邻苯二胺 (V_oPh_V)在中性NaCl或NaBr溶液中对金属铜阳极溶解和腐蚀的缓蚀作用 .通过比较铜在空白溶液与含有V_o_Ph_V溶液中的电化学行为解释了V_o_Ph_V的缓蚀机制 .此外还研究了V_o_Ph_V自组装膜在Na Cl溶液中对铜腐蚀的缓蚀效应 .     

羟基喜树碱-类水滑石纳米杂化的共组装制备及表征

采用共组装法在水溶液中制备羟基喜树碱(HCPT)-层状双金属氢氧化物(LDH)纳米杂化物.先利用微通道反应器通过共沉淀法制备了Zn₂Al-NO₃ LDH纳米片,然后与羧酸盐型HCPT在水介质中共组装,制备了HCPT插层LDH的纳米杂化物.利用酸处理,可将层间HCPT由非生物活性的羧酸盐型转化为生物活性的内酯型,这对高生物活性HCPT-LDH纳米杂化物的绿色制备具有重要意义.共组装法制备HCPT-LDH纳米杂化物,耗时短、载药量高、分散性好,且利用原料配比可方便地调控载药量. HCPT分子在LDH层间以其长轴倾斜于层板呈双层排列.所制备的HCPT-LDH纳米杂化物具有良好的药物缓释性能,颗粒内部扩散是药物释放过程的控速步骤.药物释放过程可用准二级动力学模型描述.可以用于构筑LDH基药物输送-控释体系.     

10-羟基喜树碱-癸二酸-LDH杂化物的制备及性能

采用二次插层法成功制备了10-羟基喜树碱(HCPT)-癸二酸(SC)插层的层状双金属氢氧化物(LDH). 先采用共沉淀法制备SC柱撑LDH杂化物(SC-LDH), 再在乙醇介质中将HCPT插入LDH层间形成HCPT-SC-LDH纳米杂化物. 依据SC和HCPT的分子尺寸和纳米杂化物的通道高度, 推测SC分子在层间可能为双层排列, SC分子两端的羧基同时键合在同一个LDH层片表面上; HCPT分子插入(或溶入)SC分子碳氢链形成的疏水区中. 所制备的纳米杂化物既可稳定HCPT的内酯环, 又可明显提高HCPT的溶解度, 还具有明显的药物缓释效果, 其释放动力学过程符合准二级动力学方程.     

氮掺杂部分石墨化碳/钴铁氧化物复合材料的制备及电化学性能

以甲壳胺（CTS）和钴、铁盐作有机前体与反应物,采用共沉淀法制备了CTS/钴铁层状双金属氢氧化物复合物.样品经过氩气氛、空气氛煅烧,生成氮掺杂部分石墨化碳/钴铁氧化物复合材料（N-PGC/CoFe-TMOs）.CTS热解且被过渡金属催化生成部分石墨化碳,同时原位氮掺杂,氮/碳原子比例约为1/18.N-PGC/CoFe-TMOs具有大孔和介孔结构,用作超级电容器电极材料兼有双电层电容与赝电容特征.在2 A·g^-1电流密度下,复合物比电容达到671.1 F·g^-1,远大于纯钴铁氧化物比电容283.3 F·g^-1,复合物具有典型的协同效应.电流密度增加到10 A·g^-1时,N-PGC/CoFe-TMOs比电容为573.3 F·g^-1,经过5000次充放电循环,复合物比电容保留率为66.4%.制备方法简便、通用,煅烧过程可一步制备氮掺杂的部分石墨化碳并与过渡金属氧化物复合,产物电化学性能优异.     

金属表面自组装缓蚀功能分子膜*

本文总结了近年来自组装单分子膜技术在金属腐蚀与防护领域中的应用,重点介绍了几类比较成熟的自组装体系,评价了几种常用的表征技术,概括了近年来本课题组在该研究领域中的一些成果,并对自组装技术今后的发展作了预测。     

二维金纳米粒子结构的制备及影响因素

用电泳沉积方法制备了金纳米粒子的二维排列结构。研究了电场强度、沉积时间、溶胶浓度、温度和方波脉冲等对沉积结构的影响。提高外加电场强度和旋加方波脉冲可以提高金粒子结构的有序性。粒子浓度减小,温度升高不利于粒子的电泳沉积。     

(羟基喜树碱@胆酸钠)-层状双金属氢氧化物纳米杂化物的组装及表征

采用“药物修饰-共组装”法制备了(羟基喜树碱@胆酸钠)-层状双金属氢氧化物纳米杂化物. 先用胆酸钠(SCL)包裹羟基喜树碱(HCPT)形成胶束, 再与微反应器制备的层状双氢氧化物(LDH)纳米片共组装形成纳米杂化物, 其载药量可达12.9%, 杂化物中HCPT以高生物活性的内酯形式存在. 采用聚乙二醇(PEG)和羧甲基纤维素(CMC)分别对所制备的(HCPT@SCL)-LDH纳米杂化物进行了表面修饰, 结果表明, 纳米杂化物的分散性得到明显改善; PEG的修饰效果优于CMC, 所获得的PEG-(HCPT@SCL)-LDH杂化物的平均粒径可小至约70 nm, 具有良好的分散性和药物缓释效果. 其药物释放过程可用准二级动力学方程描述, 颗粒内部扩散是药物释放过程的控制步骤.