高效率的正电子湮没2γ和3γ寿命谱仪

用大体积BaF_2(φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF_2探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF_2构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素在固体中湮没的3γ寿命谱.     

新型超快探测器性能研究

 为提高强g 场超快辐射探测器抗信号堆积的性能，可采用BaF₂（La）与快的光电器件组合的技术途径。用同步辐射闪烁荧光衰减谱仪和X光激发发射谱仪测量了国产不同掺La浓度的BaF₂晶体抑制快慢成分之比，探讨掺La对抑制慢成分的机理，研究了BaF₂（La）抗辐照性能。并用同步辐射测量BaF₂（La）与GD40Z光电管组成超快辐射探测器的快慢成分抑制比。     

掺铋BaF2晶体的制备及其近红外发光研究

通过温度梯度法制备了Bi₂O₃:BaF₂以及BiF₃:BaF₂晶体.在Bi₂O₃:BaF₂晶体中观察到了发光峰位于961 nm,半高宽202 nm的超宽带红外发光.在BiF₃:BaF₂晶体中检测到Bi²⁺和Bi³⁺可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF₃:BaF₂晶体的近红外发光, 发光峰位于1135 nm,半高宽192 nm.讨论了Bi₂O₃和BiF₃掺杂BaF₂晶体的红外发光的机理.     

Molecular Dynamics Simulations for Melting Temperatures of SrF2 and BaF2

利用壳层模型分子动力学方法,考虑萤石结构分子中的预熔化现象,对SrF₂和BaF₂的分子动力学模拟熔化温度进行修正,获得了高压下SrF₂和BaF₂的熔化温度. 同时给出了300 K、0.1 Mpa～7GPa和0.1 Mpa～3 GPa时SrF₂和BaF₂的状态方程,与已有研究结果的最大误差分别为0.3%和2.2%. 计算所得SrF₂和BaF₂常压下的熔点与已有的实验结果符合较好. 对于SrF₂和BaF₂分子体积变化和已有的熔化模拟的差别也做了比较和讨论.     

加载光子带隙膜系BaF2晶体闪烁光慢成分抑制和抗γ辐照损伤的研究

 根据BaF₂晶体闪烁光快、慢成分波段的不同，设计并制备了用于抑制该晶体闪烁光慢成分的Al₂O₃/MgF₂/Al/MgF₂…光子带隙膜系。实验结果显示：加载光子带隙膜系的BaF₂晶体，其闪烁光快/慢成分比提高80倍以上；经剂量为1×10⁵ Gy的60Co γ射线辐照后，其透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱没有明显的变化,这表明由光子带隙膜系与BaF₂晶体所构成的快闪烁器件不仅可有效避免慢成分的干扰，而且还具有很强的抗γ辐射性能。     

BaF2晶体用于中能重离子核反应中的粒子鉴别

将BaF₂晶体与半导体探测器组成的望远镜用于^{12C(46.7MeV/u)入射核反应中前方向产物的测量,用ΔE-E方法和快慢成分关联方法进行了粒子鉴别.同时还研究了BaF₂晶体对多种离子的响应.}     

正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析

在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限. 例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂. 本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I_3γ参数,建立了从能谱中获得I_3γ参数值的方法. 以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I_3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.     

一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器

使用CeF₃闪烁体配以CHT3,CHT5型大线性电流光电倍增管,组合成光电探测器.实验测量表明:CeF₃光电探测器对⁶⁰Coγ灵敏度约为常规塑料闪烁体ST401探测器的0.5—0.6倍,而对于脉冲DT中子,CeF₃探测器灵敏度相对于同尺寸闪烁体ST401探测器的灵敏度低约1个量级,探测器线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器.     

国产BaF2(La)晶体闪烁性能的研究

在BaF₂中掺入1% mol的BaF₃结晶出BaF₂(La)晶体,经测试,此晶体闪烁发光快成份的强度比纯BaF₂晶体不减弱,而发光慢成份被抑制约4倍,耐辐照能力可以达到10⁶rad,表明新晶体有希望满足未来高能物理实验的要求.     

用北京同步辐射光源研究氟化物闪烁体的荧光时间衰减特性

介绍了利用北京同步辐射光源测量闪烁体荧光时间结构特性的新方法.并用此方法测量了纯BaF_{2、CeF3晶体和粉晶样品及掺La³⁺、Ce³⁺的BaF2晶体时间衰减谱.对BaF2掺稀土元素的测量结果表明,La³⁺和De³⁺的掺入对BaF2时间衰减慢成分均有一定的抑制作用,但从理论上分析两种掺杂对慢成分的抑制机制并不相同.}     

用单能γ射线源校刻β塑料闪烁体能谱仪

本文介绍了一种简单、方便而又能精确刻度β塑料闪烁体能谱仪的实用方法.实验使用了₂₂Na、₁₃₇Cs、₅₄Mn和₂₀₇Bi等4个γ标准源对β塑料闪烁体能谱仪进行了精确的能量刻度,选取了β能谱仪对单能γ射线响应的康普顿能谱后缘的半高点作为能量参照点.并根据此结果分析处理了₉₀Sr-₉₀Y源的β能谱,其端点能量为2.298±0.90MeV.     

包钴型γ-Fe2O3磁粉矫顽力的研究

包钴型γ-Fe₂O₃磁粉分为包钴γ-Fe₂O₃(简记为Co-γ-Fe₂O₃)和包钴包亚铁γ-Fe₂O₃(简记为CoFe-γ-Fe₂O₃)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe₂O₃磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe₂O₃矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)₂使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe₂O₃则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe₂O₃与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。     

元素分离样品中丰中子同位素弱γ活性探测

MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素²⁰⁸Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的²⁰⁸Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进.     

国产锗酸铋(BGO)闪烁体定时性能的研究

用与单电子脉冲平均高度相比较的方法测得国产BGO试制样品在特定条件下的光电子产额为687/MeV;在一套β-γ符合的时间谱仪上研究BGO光脉冲形状,表明主要有两种发光成份,寿命为τ₁=60ns成份的相对强度I₁占9％左右,成份τ₂=310ns的相对强度I₂占86％,此外,似乎还存在一个寿命约1.2μs强度很弱的成份;使时间谱仪于γ-γ符合方式下工作,起始道为NE111-XP2020塑料闪烁计数器,停止道为小体积BGO-XP2020计数器,测⁶⁰Co两γ射线瞬时符合分辨曲线,得到在E≥1MeV下系统时间分辨率FWHM=0.70ns.以上测量结果与国产NaI（TI）及国产塑料闪烁体ST401的测量结果作了对照.     

117Xe负宇称同质异能态寿命测量

利用在束Y实验方法对¹¹⁷Xe的激发态进行了γ－γ－t延迟符合测量,从¹¹⁷Xe的401keV(15/2^－→11/2^－)和205keV(7/2^－→5/2^＋)两γ跃迁的延迟符合时间谱中,提取出T_1/2=(59±20)ns和(16.5±8.0)ns两个半寿命,并将其分别指定给了11/2^－、7/2^－两个能级.     

HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定

提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τ_b为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τ_d为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.     

4π△Eβ探测器的建立及其在丰中子核素研究中的应用

建立了一台4π△E_β探测器,它具有很好的时间响应性能,它的上升时间为8ns.利用4π△E_β-γ符合的技术使缺中子核素中来自电子俘获的γ线强度受到了很大的抑制,而对以100%β-方式衰变的丰中子Hg同位素的γ线具有60%的符合探测效率.将该探测器用于¹⁸O十²⁰⁸Pb的实验中,使康普顿本底水平大大降低.     

国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究

在总强度为10⁵Ci^的60Co γ射线辐照装置上开展了国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究.在5×10³—7.5×10⁵rad剂量范围内测量了小尺寸BGO晶体样品的辐照损伤效应,观察到损伤随剂量增加逐渐趋于饱和的现象;辐照损伤的自然恢复过程可用三组时间常数表征的指数函数描述.在5×10⁵rad剂量下,考察了BaF₂,CsI(Tl)以及ZnWO₄晶体小尺寸样品的辐照损伤效应.发现了BaF₂的严重损伤情况,初步分析原因可能是晶体中某些微量杂质的存在.     

锂离子正极材料正交相γ-LiV2O5的制备及性能

分别采用LiOH·H₂O, NH₄VO₃, HNO₃, C₂H₅OH作为原料在没有PVP和有PVP存在下合成了棒状和棒束状两种相貌的γ-LiV₂O₅. 棒状γ-LiV₂O₅材料中棒的直径为500～800 nm,而棒束状的γ-LiV₂O₅材料则是直径为100～600 nm的棒组成的,形貌比较均匀. 同时研究了此体系中γ-LiV₂O₅的合成机制. 将合成的材料进行电化学测试,棒束状的γ-LiV₂O₅ 的电化学性能更好,在电流密度为30 mA/g时的初始放电比容量为269.3 mAh/g,循环20次之后容量仍保持在228 mAh/g.     

TELESIS在φ→3γ衰变末态分析中的运用

介绍了φ介子工厂(DAΦNE)KLOE组的数据分析中运动学拟合程序TELESIS的运用.利用KLOE2000年在e⁺e^－对撞能量E_cm=1020MeV获取的部分数据开展φ→γη→3γ和φ→γπ⁰→3γ的分析,得到φ介子的产生截面σe+e－→=(4.04±0.04±0.24)μb,以及φ→γπ0→3γ的分截面σφ→γπ0→3γ=(5.3±0.3±0.6)nb.这些结果与理论预言以及俄国新西伯利亚的VEPP(CMD-2,SND,ND各探测器)的相应结果一致.