198Bi的高自旋态结构研究

利用能量为85—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁸⁷Re(¹⁶O,5n)反应研究了¹⁹⁸Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的¹⁹⁸Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核^200—206Bi能级结构的系统性,定性地对¹⁹⁸Bi的能级结构进行了解释.     

117Xe负宇称同质异能态寿命测量

利用在束Y实验方法对¹¹⁷Xe的激发态进行了γ－γ－t延迟符合测量,从¹¹⁷Xe的401keV(15/2^－→11/2^－)和205keV(7/2^－→5/2^＋)两γ跃迁的延迟符合时间谱中,提取出T_1/2=(59±20)ns和(16.5±8.0)ns两个半寿命,并将其分别指定给了11/2^－、7/2^－两个能级.     

117Xe核激发态的实验识别

用⁹²Mo(²⁸Si,2Pn)反应,束流能量为115MeV,布居了¹¹⁷Xe核的激发态. 用在束γ谱实验技术探测了¹¹⁷Xe核瞬发的退激γ射线. 已鉴别出了¹¹⁷Xe核的五个集体带,其中两个为首次发现,三个已知的带均被延伸到了更高的自旋态.     

一个可能的117Cs核πh11/2带的观测

在对²⁸Si轰击⁹²Mo靶反应进行的在束γ测量中,观测到一个全新的转动带,通过对其跃迁强度、结构特性的分析,认定它可能是建立在¹¹⁷Cs核的h_11/2质子能级上的转动带.     

198Pb低位能级结构研究

用100MeV ¹⁶O束流轰击厚的天然Re,产生了具有β⁺/EC衰变性质的核素¹⁹⁸Bi(¹⁹⁸Pb的母核).完全在在束的实验条件下用γ-γ符合测量方法研究了¹⁹⁸Bi的衰变γ线,确定了¹⁹⁸Pb的八个能级,识别出了¹⁹⁸Pb低位态能级退激的五条新γ线,从而进一步丰富了¹⁹⁸Pb的低位态能级结构.     

缺中子核197Bi的能级结构研究

用100MeV¹⁶O束流轰击厚的天然Re靶和¹⁸⁷Re同位素靶,布居了¹⁹⁷Bi的高自旋激发态.用y-y-t符合测量,发现并修正了已有的¹⁹⁷Bi能级纲图中的错误,确定了¹⁹⁷Bi的三个新的高自旋同质异能态,识别出了11条新γ跃迁.并从奇A Bi核能级结构的系统性,对本工作确定的半寿命t_1/2=19.3±4.9ns的同质异能态的组态和衰变性质进行了探讨.本工作还测量了γ跃迁的角分布,建议了¹⁹⁷Bi的新的能级纲图.     

HIFRL首次在束γ实验

在兰州重离子加速器(HIRFL)上调试完成了一套在束γ核结构研究装置:SFC(ECR源)+直通管道(限束狭缝)+在束γ终端,并进行了首次在束γ实验,各项在束实验的指标,特别是中子、γ本底达到了较为理想的水平. 对¹⁶O轰击¹⁹⁷Au反应进行了在束γ测量,包括γ单谱、γ激发函数、γ角分布和γ-γ-t符合,在一些测量中,采用了独特的技术.