HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控

窄禁带直接带隙半导体材料碲镉汞(Hg1–xCdxTe)是一种在红外探测与自旋轨道耦合效应基础研究方面都具有重要应用意义的材料.本文对单晶生长的体材料Hg0.851Cd0.149Te进行阳极氧化以形成表面反型层,将样品粘贴在压电陶瓷上减薄后进行磁输运测试,在压电陶瓷未加电压时观察到了明显的SdH振荡效应.对填充因子与磁场倒数进行线性拟合,获得样品反型层二维电子气的载流子浓度为ns=1.25×10^16m^-2.在不同磁场下,利用压电陶瓷对样品进行应力调控,观测到具有不同特征的现象,分析应是样品中存在二维电子气与体材料两个导电通道.零磁场下体材料主导的电阻的变化应来源于应力导致的带隙的改变;而高场下产生类振荡现象的原因应为应力导致的二维电子气能级的分裂.     

基于椭圆拟合的医用内窥镜图像相对畸变率检测方法研究

为快速有效评价临床使用内窥镜图像相对畸变的程度,提出一种基于椭圆拟合的检测方法。对内窥镜采集到的标准板图像进行二值化处理和图像分割;运用anny算子对图像进行边缘检测并提取坐标值,通过最小二乘法拟合椭圆,求得椭圆参数;计算相对畸变率。对3支内窥镜进行了椭圆拟合和定位质心相对畸变率检测,结果显示相对畸变率在30%左右,一致性差在2%左右,椭圆拟合相较而言稳定性更好。     

三种测定蛋白质热稳定性方法的比较

蛋白质的热稳定性一般使用热变性中点温度(melting temperature,T_m)来表示,即蛋白质解折叠50%时的温度. 测定蛋白质T_m值的常用方法有差示扫描量热法(differential scanning calorimetry,DSC)、圆二色光谱法(circular dichroism,CD)和差示扫描荧光法(differential scanning fluorimetry,DSF)等. 为了比较不同方法的检测特点和效果,选择了5种具有不同结构特点的蛋白,分别使用上述方法对其T_m值进行测定. 结果发现,三种方法测得的T_m值整体上较为一致,但也存在一定的差异. 研究还发现,结构更复杂的蛋白,并不一定具有更多T_m值.     

TiC-Ni系高温自润滑金属陶瓷的研究

本文利用中频热压烧结法制备了TiC-Ni、TiC-Ni-Mo和TiC-Ni-MO-WC3种高温自润滑性金属陶瓷材料。栓-盘摩擦磨损试验结果表明,TiC-Ni-Mo金属陶瓷的高温自润滑性最好,其在600℃时的摩擦系数为0.19,磨损率为1.14×10~(-14)m~3/N·m,偶件(材料W18Cr4V,HRC62)的磨损率为0.069×10~(-14)m~3/N·m。作者指出,这类材料的高温自润滑性与其摩擦表面上生成的氧化膜的组成和结构相关。此外,本文还就Mo、WC对材料物理机械性能的影响进行了探讨。     

锐缘硬质轮在金属表面的滚动与滑动

在工程应用的很多摩擦对偶中，往往有一方是锐形的，因此，研究锐形滑块的滚动与滑动具有重要的实用意义。以锐缘硬质轮在挤压铝和软钢两种平面试样表面的滚动和滑动为研究对象，考察了两种摩擦过程中材料的受力状况和变形状况，结果表明，要在同种金属试样表面造成相同宽度的槽痕，滚动法所需要的垂直负荷比滑动法所需要的大，然而滚动法所需要的切向牵引力却比滑动法所需要的小．对两种摩擦过程中界面上的应力与材料的强度性能之关系的分析讨论指出，滚动试验中接触界面上的正应力相应于变形材料的屈服应力，因而滚动试验可以作为材料硬度的一种测量方法；滑动试验中接触界面上的剪应力相应于变形材料的流动剪应力；但滚动试验中界面剪应力与材料的流动剪应力之间，以及滑动试验中界面正应力与材料的屈服应力之间却都没有直线关系．     

化学反应流中分子扩散的二点封闭MCA模型

在化学反应流的概率密度函数(PDF)方法中,对流项和化学反应项都是封闭的,但分子扩散项必须模拟。现有的分子扩散模型都是唯象的,需要引入外加参数,并难以通过一些基本物理过程的检验。本文发展了随机映射逼近(mapping closure approximation,MCA)方法,解析地从控制方程导出一个封闭的分子扩散模型。该方法考虑两点联合概率密度函数方程,引入空间特征尺度,因此解决了以往映射封闭方法中分子扩散速率无法确定的问题。数值模拟表明该方法能用于预测标量扩散的速度,以及概率密度函数和条件平均扩散等统计量。     

Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer

We report an effective method to improve the formation of nickel stanogermanide(Ni Ge Sn) by the incorporation of a platinum(Pt) interlayer. After the Ni/Pt/Ge Sn samples are annealed we obtain uniform Ni Ge Sn thin films,which are characterized by means of sheet resistance, atomic force microscopy, scanning electron microscopy,cross-section transmission electron microscopy, and energy dispersive x-ray spectroscopy. These results show that the presence of Pt increases the smoothness and uniform morphology of Ni Ge Sn films.