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圆管内潜热型功能流体对流换热的实验研究 总被引:10,自引:1,他引:9
本文实验研究了由正十四烷和尿素甲醛树脂制成的相变微胶囊和水混合组成的潜热型功能流体流过等热流圆管时的对流换热特性。相变微胶囊的加入可以显著增强流体与壁面间的对流换热,显著降低壁面温度和流体温度;在融化段对流换热系数呈增加分布,流体和壁面温度各自基本稳定在相应的温度值。强化对流换热的效果主要在融化段,并随流体中相变微胶囊浓度的增大而增强,也随R-eynolds数的增大而增强。 相似文献
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《工程热物理学报》2021,42(9):2394-2400
实验测量罗丹明B在大肠杆菌悬浮液中的扩散系数,考察大肠杆菌悬浮液温度、浓度和细菌活性对罗丹明B扩散传质的影响。实验结果表明,罗丹明B在悬浮液中的有效扩散系数比其在磷酸缓冲盐溶液(PBS)中的扩散系数大1个数量级,且有效扩散系数随悬浮液温度升高和细菌浓度增大而增大;细菌自驱动行为是强化悬浮液中小分子扩散传质的重要因素,罗丹明B的活性扩散系数随细菌悬浮液浓度增加和温度升高而增大,活性扩散系数因细菌的集群运动会随悬浮液浓度变化发生阶跃增大;均方位移和扩散时间的对应关系表明罗丹明B的扩散在短时间内为标准菲克扩散,一段时间后转变为超扩散,且转变时间随悬浮液温度升高而延迟,随着悬浮液浓度增加而提前。 相似文献
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以矿物油为分散介质,以沸石分子筛为分散相,制备了一系列具较高电粘性的流体,并研究发现流体的电粘性与外加电场强度,分散相浓度等因素的关系符合双电层诱导趋向模型,进一步从不同角度探讨了流体的电粘性与温度及分散介质性质等因素的关系。结果表明,沸石分子筛-矿物油系流体的电粘性随温度的升高迅速降低,且与介质的介电常数,击穿电压,添加剂种类及比例相关,对非极性分散介质制成的流体。电粘性随介电常数的增大而增大。 相似文献
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考虑到空位缺陷的存在和原子非简谐振动,以铜、镍基外延石墨烯为例, 研究了金属基外延石墨烯空位缺陷浓度和态密度以及电导率随温度的变化规律,探讨了空位缺陷的影响。结果表明:(1) 空位缺陷浓度随温度升高而非线性增大,外延石墨烯的空位缺陷浓度及其随温度的变化率均大于石墨烯; (2) 与石墨烯相同,金属基外延石墨烯的态密度变化曲线对电子能量为0为对称,但空位缺陷的存在使态密度在电子能量为零时的值不为零,空位缺陷对导带态密度的影响大于价带;态密度随空位缺陷浓度的增大而线性减小,但减小幅度不大,而温度对石墨烯态密度几乎无影响;(3)金属基外延石墨烯的电导率近似等于电子声子相互作用贡献的电导率,并随温度升高而非线性减小;空位缺陷的存在使电导率有所减小,但只在较高温度下才明显。原子非简谐振动情况的电导率稍大于简谐近似的电导率,温度愈高,两者电导率的差愈大,即非简谐效应愈显著。 相似文献
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基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载
关键词:
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度 相似文献
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分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
关键词: 相似文献
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本文根据氢化/歧化/脱氢/重组(HDDR)Nd-Fe-B 磁粉晶粒边界微结构的特点,建立了缺陷区内的磁晶各向异性常数K1´及交换积分常数A1´的双变量连续变化模型,研究了晶粒间界相厚度d及晶粒表面结构缺陷厚度r0对磁体矫顽力的影响。结果表明:晶粒表面各向异性常数K1(0)、交换积分常数A1(0)及r0取不同值时,磁体的矫顽力Hc均随d增加而增大。K1(0)和A1(0)取确定值时,相同的d值对应的Hc随r0的增大而上升。r0和d取确定值时,Hc随K1(0)或A1(0)的减小而增大。当d 为1nm,r0 在 (2~5) nm范围内,A1(0)和K1(0)的值分别在A1和K1值的(0.6~0.7)范围内变动时,计算的矫顽力与实验值符合得很好。 相似文献
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本文根据氢化/歧化/脱氢/重组(HDDR)Nd-Fe-B 磁粉晶粒边界微结构的特点,建立了缺陷区内的磁晶各向异性常数K1´及交换积分常数A1´的双变量连续变化模型,研究了晶粒间界相厚度d及晶粒表面结构缺陷厚度r0对磁体矫顽力的影响。结果表明:晶粒表面各向异性常数K1(0)、交换积分常数A1(0)及r0取不同值时,磁体的矫顽力Hc均随d增加而增大。K1(0)和A1(0)取确定值时,相同的d值对应的Hc随r0的增大而上升。r0和d取确定值时,Hc随K1(0)或A1(0)的减小而增大。当d 为1nm,r0 在 (2~5) nm范围内,A1(0)和K1(0)的值分别在A1和K1值的(0.6~0.7)范围内变动时,计算的矫顽力与实验值符合得很好。 相似文献