| Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响 |
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| 引用本文： | 郑毓峰,邓榕平,查朝征,戴伯荣,石磊,周贵恩.Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响[J].物理学报,1995,44(2):266-272. |
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| 作者姓名： | 郑毓峰 邓榕平 查朝征 戴伯荣 石磊 周贵恩 |
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| 作者单位： | (1)新疆大学物理系,乌鲁木齐830046; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
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| 摘 要： | 分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
关键词：
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| 关 键 词： | CdS CdSe 薄膜 结构 结构 退火环境 电导性能 |
| 收稿时间： | 1993-05-31 |
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