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本文应用SCC-DV-Xa方法计算了(RSi)4Se6,(RSi)2Se3和R4Si3Se4(R=CH3,C2H5,Ph)等分子簇的结合能,轨道能级,电荷分布,状态密度,分析了簇的稳定性,NMR化学位移,紫外可见吸收和催化性能等,结果与实验相符。 相似文献
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报道了在C60与NH2(CH2)3Si(OC2H5)3中的胺基反应生成C60-NH2(CH2)3Si(OC2H5)3物质后引入r-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「CH2OCHCH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3,3-Glycidoxypropltrimethoxysilane,简称KH560」与二甲基二乙氧基硅烷「(CH3)2Si(OC2H5)2,Diethoxydimethylsilane 相似文献
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测量了Si(100)(2×1)-H表面和Si(100)(3×1)-H表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系,并与清洁的Si(100)(2×1)表面进行了比较。Si(100)(2×1)表面和Si(100)(3×1)-H表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小,Si(100)(2×1)-H表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的,约在470K时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。 相似文献
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本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
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荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
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氧化硅包敷对铁黄脱水过程的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用DTA、TG、HTXTD和TEM研究了SiO2包敷a-FeOOH粒子的脱水过程。从DTA和TG曲线算得的动力学参数表明,SiO2包敷a-FeOOH粒子的脱水过程近似为一级反应,其活化能大于未处理的a-FeOOH粒子的活化能。 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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CaxSr1—xS:Bi,Tm,Cu和CaS:Eu荧光材料的研究 总被引:11,自引:0,他引:11
所作的一部分工作是对长余辉的荧光材料CaxSr1-xSBi,Tm,Cu(x=0,0.75,1)进行了研究.CaS和SrS两种基质材料高温互溶后,因为基质的晶体微结构上的变化引起Bi3+离子荧光效应的变化,即发光的发射波数发生改变.另一部分工作是对CaSEu加入陷阱机制后发光效应的研究.新的陷阱机制的引进,使得其余辉效应有较大的延长. 相似文献
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本文分别用ASED-MO和DV-Xa方法对氧在理想的Si(100)面以及用DV-Xa方法对氧在重构的Si(100)面吸附进行了研究,对不同吸附位的计算结果表明,当氧在硅表面暴露量较少时,其吸附为氧原子和氧分子共存。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)技术测量了高温退火的Be和Si共注入的LEC半绝缘GaAs(无掺杂)。在多子脉冲作用下的Al/Be-Si共注LECSIGaAs肖特基势垒中,观测到E01(0.298),E02(0.341),E03(0.555)和E04(0.821)等四个电子陷阱以及两个主要的少子(空穴)陷阱H'03(0.54)和H″03(0.57)。两少子陷阱的DLTS信号具有若干特点,比如它们的DLTS·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度;以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用DLTS技术测量这种陷阱的困难,我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为0.54和0.57eV。它们是新观测到的和Be-Si共注SIGaAs有关缺陷。
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此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入LEC半绝缘GaAs的γ射线辐照缺陷。在Be-Si共注的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐照引入一电子陷阶E2,并且大大增强了原有的E01(0.298)和E02(0.341)等缺陷,同时明显地瓦解了原有的少子陷阱H03。在单纯注Si的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐阳引进了E'01(0.216),E'02(0.341),E'2,E'4和E'5(0.608)等缺陷。其中E01和E'01是新发现的和γ辐照有关的GaAs缺陷。和低阻衬底同质外延GaAs相比,Be-Si共注LEC半绝缘GaAs具有较低的γ射线辐照缺陷引入率,与此相反,单纯注Si的LEC半绝缘GaAs具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
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