氮氧化硅与氧化硅玻璃结构,性能与最子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了氮氧化硅及氧化硅玻璃，讨论了氮原子取代氧原子之后在结构、性能与化学键等方面的变化规律。计算表明氮氧化与氧化硅玻璃之间在性能上的差异。主要不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｏ键的伸缩力常数之间的差异所引起的，也不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｄ键的离了键强度之间的差异所引起的。     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

多重散射团族理论对CO／NiO（100）NO／NiO（100）吸附系统的分析与比较

用多理散射团族（ＭＳＣ）理论对ＣＯ／ＮｉＯ（１００）和ＮＯ／ＮｉＯ（１００）吸附系统的Ｃ１ｓ近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）和Ｎ１ｓ ＮＥＸＡＦＳ谱进行了详细的计算和分析。理论计算表明ＣＯ／ＮｉＯ（１００）是弱物理吸附,ＣＯ分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖Ｃ－Ｏ键长的变化,ＭＳＣ方法分析表明,ＣＯ是以Ｃ原子朝下,吸附在衬底的Ｎｉ－Ｏ键上,可靠性因子计算显示Ｃ原子的吸附位置距Ｎｉ     

H2和CO在Pd（110）上的吸附和共吸附

应用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＬＥＥＤ和ＴＤ研究了ＣＯ和Ｈ２在Ｐｄ（１１０）上在室温下的吸附与并吸附。ＣＯ在Ｐｄ（１１０）上随暴露量增加至饱和，吸附位由β１态向β２态变化，相应的ＸＰＳＣ（１ｓ）峰由２８５．３ｅＶ向高结合能方向位移至２８５．７ｅＶ。     

用VB开发AutoCAD for Windows的ADS应用程序

介绍了Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下用ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃ（以下简称ＶＢ）开发ＡｕｔｏＣＡＤ的ＡＤＳ应用程序的方法，并给出了应用实例。     

Si｛111｝的吸附表面结构

利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。     

氧与bcc相Co（100）表面相互作用的光电发射研究

通过在ＧａＡｓ（１００）表面生长具有弱有序的ｂｃｃ相Ｃｏ超薄膜，利用同步辐射光电发射和ＸＰＳ，研究了室温下不同氧暴露量时Ｃｏ膜的氧吸附行为。价带谱和Ｃｏ３ｐ发射谱结果表明，当暴露氧量低于４Ｌ时，氧解离吸附；更高的氧暴露量导致表面ＣｏＯ相的成核与生成。     

BiPbSbSrCaCuO非晶态及热处理对其影响

本工作用正电子湮没谱术（ＰＡＳ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），示差热分析（ＤＴＡ），扫描电镜显微术（ＳＥＭ）和交流磁化率（Ｘａｃ）研究了Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｂ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ非晶态和后续热处理的影响。结果表明：所研究的非晶态晶化温度Ｔｃ－４５０－４７０℃，当热处理温度Ｔａ＜Ｔｃ，非晶太经低温结构弛豫和高温弛豫。当Ｔａ＞Ｔｃ，在晶态多相体系中随温度升高发生低ｎ相向高ｎ相的转变，８５０℃退火可使超导转变温度...     

饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

叶绿素a锰（Ⅲ）和叶绿素a锰（Ⅱ）的合成和光谱

叶绿素ａ锰（Ⅲ）（Ｍｎ（Ⅲ）－Ｃｈｌ－ａ）由脱镁叶绿素（Ｐｈｅｏ－ａ）和醋酸锰（Ⅱ）合成而得，用反相高效液相色谱法分离纯化，叶绿素ａ锰（Ⅱ）（Ｍｎ（Ⅱ）－Ｃｈｌ－ａ）用Ｎａ２Ｓ２Ｏ４还原时绿素ａ锰（Ⅲ）获得，研究了它们的元素分析（ＥＡ），紫外可见吸附光谱（ＵＶ－Ｖｉｓ）和傅里叶红外吸收光谱（ＦＴ－ＩＲ）证明了此二种配合物的合成，并给出了（Ｍｎ（Ⅲ）－Ｃｈｌ－ａ）与（Ｍｎ（Ⅱ）－Ｃｈｌ－ａ）的组成分     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

低温下ZnSe－ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱．用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别．     

Violet Band Excimer Emission of Zn_2 Excited by Relativistic Electron Beam

ＶｉｏｌｅｔＢａｎｄＥｘｃｉｍｅｒＥｍｉｓｉｏｎｏｆＺｎ２ＥｘｃｉｔｅｄｂｙＲｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＸＩＮＧＤａ１）ＷＡＮＧＱｉ２）ＴＡＮＳｈｉｃｉ１）Ｋｅｎ－ｉｃｈｉＵｅｄａ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＬａｓｅｒＬｉｆ...     

气固界面氧化学吸附物种的动态研究

用自编的傅里叶变换红外（ＦＴ－ＩＲ）动态谱批处理程序，在２０－６５０℃对Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ｃＲ，Ｍｏ，Ｗ，ＭＮ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ和Ｓｎ等一系列金属氧化物上的氧化学吸附物种进行了原位动态三维谱学研究，就所观测到的超氧（Ｏ＾－２）和过氧（Ｏ＾２－２）物种随温度的变化情况以及甲烷氧化偶联催化反应中的活性氧物种进行了讨论。     

meso-四(4-磺基苯基)卟啉(TPPS)在微乳液中的行为研究

本文首次研究了ｍｅｓｏ－四（４－磺基苯基）卟啉（ＴＰＰＳ）在Ｏ／Ｗ型微乳液（Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００－壬烷－正戊醇－水）体系中的电子吸收光谱变化，计算了ＴＰＰＳ的电离常数Ｋａ及二聚常数ＫＤ。     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

用氢钝化Si（100）面抑制分子束外延界面的硼尖峰

采用一种新的简便的氢钝化方法，可以在Ｓｉ（１００）衬底表面获得稳定的钝化层，用俄歇电子能谱，反射式高能电子衍射，Ｃ－Ｖ和二次离子质谱等方法对衬底表面及其上面生长的分子束处延层进行检测，发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污，降低退火温度至少２００℃，并完全消除处延层与Ｓｉ（１００）衬底界面处的高浓度硼尖峰，在此基础上，结合衬底表面锗束处理的实验结果，对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化     

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积

本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ＥＣＲＰＣＶＤ）的工作原理、特点及其应用．ＥＣＲＰＣＶ Ｄ由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成．处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动，使电子的回旋运动频率与微波频率相同；处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量，从而产生高活性和高密度的等离子体．电离度大于１０％，电子密度为１０１３ｃｍ３．ＥＣＲＰＣＶＤ可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜．以该技术淀积的Ｓｉ，Ｎ４，ＳｉＯ２薄膜可分别与高温ＣＶＤ的Ｓｉ３Ｎ４高温热氧化的ＳｉＯ２相比拟．ＥＣＲＰＣＶＤ淀积ａ－Ｓｉ：Ｈ淀积速率为通常ＣＶＤ的２０倍，而性能与射频ＣＶＤ淀积的ａ－Ｓｉ：Ｈ相当．ＥＣＲＰＣＶＤ 已成功用于淀积多种薄膜。