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相似文献
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1.
DETA对γ—FeOOH制备过程的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
在以FeSO4和NaOH为原料制备铁黄时,反应初期加入EDTA能诱导γ-FeOOH的生成。当初始反应液中EDTA的浓度大于某一临界值C^*时,才能得到纯γ-FeOOH,且C^*随碱比和温度的升高而增大。γ-FeOOH粒子成核期内Fe(Ⅱ)/Fe(Ⅲ)=2,EDTA分子中以一定距离分隔的2个羧基是诱导γ-FeOOH粒子成核的关键基团,由于聚丙烯酸分子的聚软性,其也可以诱导γ-FeOOH的生成。  相似文献   

2.
ASTATISTICALTHEORYFORTHEBIO-PHOTONEMISSIONOFTHELIVINGSYSTEMSPangXiaofengInternationalCentreforMaterialPhysics,AcademiaSinicaD...  相似文献   

3.
THERMALINSTABILITYOFD-TBURNINGPLASMAS¥B.R.SHIY.X.LONGH.G.ZHAO(SouthwesterninstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,Sichuan...  相似文献   

4.
HIGHLYCHARGEDATOMICPHYSICSATHIRFL-CSRMaXinwenWangYoudeHouMingdongJinGengminInstituteofModernPhysics,AcademiaSinica,Lanzhou73...  相似文献   

5.
UpconversionFluorescenceofEr_2O_3DopedBaF_2-TeO_2andPbF_1-TeO_2OxyhalideTelluriteGlasses¥HULin;JIANGZhonghong;HUWentao;SONGXiuyu...  相似文献   

6.
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。  相似文献   

7.
GIANTMAGNETO-IMPEDANCEINFe-BASEDSOFTFERROMAGNETICRIBBONSChenChenMeiLiangmoDepartmentofPhysics,ShandongUniversity,Jinan250100...  相似文献   

8.
SiO2—PEG溶胶的网络结构与分形特征   总被引:3,自引:0,他引:3  
添加少量聚乙二醇(PEG)于TEOS-H2O-C2H5OH-NH4OH溶胶体系中,可以改变SiO2溶胶粒子的生长过程和网络结构的分形结构。通过小角X光散射,透射扫描电镜,激光粒度分布仪等手段对这一过程进行分析测试,同时探讨了PEG对SiO2溶胶-凝胶的修饰机理,有力地证明了分形行为的存在,着重研究了其分数维的变化规律,并提出PEG在该溶胶中的作用模型。  相似文献   

9.
此文用从头计算法,在HF,MP2,MP3水平下,使用基组6-31G,6-31+G对SiO的等电子分析SiX^m(X=Be,B,C,N,F,Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电相关效应,并考虑了不同其函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频  相似文献   

10.
DISTORTION OF CRYSTAL LATTICE IN NANOCRYSTALLINE Fe_2O_3   总被引:1,自引:1,他引:0  
DISTORTIONOFCRYSTALLATTICEINNANOCRYSTALLINEFe2O3YeXishengShaJianJiaoZhengkuanDepartmentofPhysics,ZhejiangUniversityHangzhou3...  相似文献   

11.
本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体,  相似文献   

12.
DesignofMetal-cladTi:LiNbO_3PolarizerHUH.Z.,CHENGG.(DepartmentofappliedPysics,TianjinUniversity,Tianjin300072,China)GENF;SONG...  相似文献   

13.
TOROIDALSHEARFLOWDRIVIENINSTABILITYL.HuangN.DingG.D.JianSouthwesternInstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,ChinaABSTRACT...  相似文献   

14.
相转变—微波法制备匀分散α—Fe2O3胶体粒子   总被引:5,自引:0,他引:5  
用相转变-微波法制备了均分散α-Fe2O3胶体粒子。实验表明,采用微波辐照并加入CTAB表面活性剂,可有较短时间内,制备出均分散的α-Fe2O3胶体粒子。所得粒子呈均分散的假立方体,比常法制得的粒子小,产率高。讨论了微波辐照和不同的表面活性剂对粒子形状的影响,得出CTAB阳离子表面活性剂有利于均分散α-Fe2O3假立文体的形成。用时间分辨TEM和FTIR对粒子的形成过程进行了研究,认为在粒子成长过  相似文献   

15.
应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。  相似文献   

16.
TOTALCROSSSECTIONMEASUREMENTSFORELECTRONSCATTERINGONMETHANEBETWEEN1AND50eVLiTaihuaYeRuiyingYangYongCenterforRadiationPhysics...  相似文献   

17.
本文应用SCC-DV-Xa方法计算了(RSi)4Se6,(RSi)2Se3和R4Si3Se4(R=CH3,C2H5,Ph)等分子簇的结合能,轨道能级,电荷分布,状态密度,分析了簇的稳定性,NMR化学位移,紫外可见吸收和催化性能等,结果与实验相符。  相似文献   

18.
本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致.  相似文献   

19.
系统地研究了传输CO2激光用的新型光纤材料GeO2-Sb2O3-K2O玻璃空芯光纤的光学特性。通过理论计算,得到了该材料nr<1的波长范围,消光系数K和损耗系数a,通过工艺和材料的选择,使a理论值达到0.05dB/m。同时讨论了HE11,TM01,TE01模式损耗和频率的关系。  相似文献   

20.
GeO2—Sb2O3—K2O玻璃空芯光纤材料的光学特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
侯蓝田  孙英志 《光学学报》1995,15(10):423-1427
系统地研究了传输CO2激光用的新型光材料GeO2-Sb2O3-K2O玻璃空芯光纤的光学特性。通过理论计算,得到了该材料nr<1的波长范围,消光系数K和损耗数a,通过工艺和材料的选择,使a理论值达到0.05dB/m。同时讨论了HE11,TM01,TE01模式损耗和频率的关系。  相似文献   

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