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1.  La0.3Sr0.7TiO3模板层对Pb(Zr0.5Ti0.5)O3薄膜的铁电性能增强效应的研究  
   王秀章  刘红日《物理学报》,2007年第56卷第3期
   通过sol-gel法在si(111)基片上分别制备了LaNiO3(LNO)底电极和LaNiO3/Sr0.7TiO3(LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel方法,在两种衬底上分别制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)铁电薄膜.XRD分析表明,两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在LNO底电极上的PZT薄膜呈(100)择优取向,而在LNO/LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向.铁电性能测试表明,相对LNO衬底上制备的PZT薄膜,在LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜的剩余极化强度得到了有效的增强,同时矫顽场也增大.介电常数和漏电流的测试表明,LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的介电常数和漏电流.    

2.  LaNiO3衬底上Pb(ZrxTi1-x)O3铁电薄膜及梯度薄膜的制备和研究  被引次数:3
   李建康  姚熹《物理化学学报》,2005年第21卷第5期
   报道了在镍酸镧 (LaNiO3, 简称LNO)衬底上锆钛酸铅 [Pb(ZrxTi1-x)O3, 简称PZT]铁电薄膜及其成分梯度薄膜的结构、介电性能、铁电性能以及热释电性能. 首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3, 薄膜, 再通过溶胶-凝胶(sol-gel)法, 在LNO/Si(100)衬底上制备出Pb(Zr0.80Ti0.20)O3, [PZT(80/20)]和Pb(Zr0.20Ti0.80)O3, [PZT(20/80)]铁电薄膜及其成分梯度薄膜. 经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的梯度薄膜进行了成分深度分析, 结果证实成分梯度的存在. 经XRD分析表明, 制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构, 但其晶面存在一定的结构畸变. 经介电频谱测试表明, 梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数要大, 但介电损耗相近. 在10 kHz下, 梯度薄膜的介电常数和介电损耗分别为317和0.057. 经电滞回线的测试表明, 梯度薄膜的剩余极化强度比每个单元都大, 而矫顽场却明显较小. 梯度薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为29.96 μC•cm-2 和54.12 kV•cm-1. 经热释电性能测试表明, 室温下梯度薄膜的热释电系数为5.54×10-8 C•cm-2•K-1, 高于每个单元的热释电系数.    

3.  不同衬底上Pb(Zr0.52Ti0.48)O3择优取向铁电薄膜的制备和研究  被引次数:3
   李建康  姚 熹《物理学报》,2005年第54卷第6期
   通过MOD法在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上制备出LaNiO3 ( LNO)薄膜.再通过修 正的Sol-gel法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si,LNO/Si(100)和LNO/Pt/Ti/SiO2< /sub>/Si三种衬底上 制备出具有择优取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜. 经XRD分析表明,L NO薄膜具有(100)择优取向的类钙钛矿结构;PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在Pt(111)/Ti/S iO2/Si衬底上的薄膜以(110)择优取向,在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si和LN O/Si(100)衬底上的 薄膜以(100)择优取向.经场发射SEM分析和介电、铁电性能测试表明,在LNO/Si和LNO/Pt/Ti /SiO2/Si衬底上的PZT薄膜的平均粒径、介电常数以及剩余极化强度均比以Pt/T i/SiO2/Si为衬底的薄膜大.    

4.  溶胶-凝胶法制备(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜及其结构和介电性质研究  
   贾建峰  黄 凯  潘清涛  贺德衍《物理学报》,2005年第54卷第9期
   采用改进的溶胶-凝胶方法在单晶Si(100)衬底上制备了介电性能优异的(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜.实验发现,在750 ℃下 、O2气氛中晶化的LaNiO3薄膜的电阻率最小.C-V与I-V特性测量表明(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜具有优异的介电性能,在频率为50kHz、零偏压下的相对介电常数εr>300,偏压为6V时漏电流密度JL<1.2×10-6A/cm2.    

5.  不同衬底上Pb(Zr0.52Ti0.48)O3择优取向铁电薄膜的制备和研究  被引次数:2
   李建康  姚熹《物理学报》,2005年第54卷第6期
   通过MOD法在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上制备出LaNiO3 (LNO)薄膜.再通过修正的Sol-gel法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si,LNO/Si(100)和LNO/Pt/Ti/SiO2/Si三种衬底上制备出具有择优取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.经XRD分析表明,LNO薄膜具有(100)择优取向的类钙钛矿结构;PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜以(110)择优取向,在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si(100)衬底上的薄膜以(100)择优取向.经场发射SEM分析和介电、铁电性能测试表明,在LNO/Si和LNO/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜的平均粒径、介电常数以及剩余极化强度均比以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底的薄膜大.    

6.  电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响  
   张景基  赖珍荃  王震东  李新曦  钟双英  范定寰  黄志明《南昌大学学报(理科版)》,2007年第31卷第4期
   采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3 (LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA).用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构.再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用 RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱.分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响.    

7.  锆钛酸铅双层膜的铁电及光学特性研究  
   赵晓英  刘世建  褚君浩  戴宁  胡古今《物理学报》,2008年第57卷第9期
   采用化学溶液沉积法在LaNiO3涂布的硅晶片上制备了高度(100)择优取向,表面均匀、平整、致密无裂纹的PbZr0.5Ti0.5O3/PbZr0.4Ti0.6O3双层膜. 双层膜具有单一的钙钛矿相,同时拥有良好的铁电性能,剩余极化强度高达64μC/cm2,平均矫顽场仅为43.6kV/cm. 棱镜-薄膜耦合实验结果表明PbZr    

8.  Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究  被引次数:2
   王华  于军  董小敏  王耘波  周文利  赵建洪  周东祥《物理学报》,2001年第50卷第5期
   采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi4Ti3O12(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁    

9.  La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响  被引次数:4
   郭冬云  王耘波  于 军  高俊雄  李美亚《物理学报》,2006年第55卷第10期
   利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.    

10.  溶胶-凝胶法制备MgO/(Ba0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜及其介电和漏电特性研究  
   贾建峰  黄 凯  潘清涛  李世国  贺德衍《物理学报》,2006年第55卷第4期
   采用改进的溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si(100)衬底上制备了MgO/(Ba0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜.实验结果表明,MgO层的引入改变了(Ba0.8Sr0.2)TiO3的介电特性和漏电流行为,使薄膜的漏电 流降低了3个数量级,但介电常数也有相应降低.漏电流的显著降低是由MgO子层的高阻特性 以及微量Mg向(Ba0.8    

11.  化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的光学性能  
   刘爱云  孟祥建  薛建强  孙璟兰  马建华  汪 琳  褚君浩《物理学报》,2006年第55卷第6期
   用化学溶液方法在宝石衬底及有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3(PMNT)薄膜,X射线衍射测试结果表明:在有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的PMNT薄膜几乎是纯钙钛矿相,且薄膜    

12.  掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响  被引次数:2
   王国强  刘红日《武汉大学学报(理学版)》,2005年第51卷第3期
   采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zr,Ti1-x)O3(PC—ZT)铁电薄膜,实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响.不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05uC/cm^2,矫顽场Ec=26.35kV/cm,而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度,当掺杂钴达到12%时,Pr=36.26uC/cm^2,矫顽场减小.同时,掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流。    

13.  PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁  被引次数:1
   王龙海  于军  刘锋  郑朝丹  李佳  王耘波  高峻雄  王志红  曾慧中  赵素玲《物理学报》,2006年第55卷第5期
   用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.    

14.  PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化  
   王龙海  于 军  王耘波  高峻雄  赵素玲《物理学报》,2008年第57卷第2期
   用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr03Ti07O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3 (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线    

15.  PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化  
   王龙海  于 军  王耘波  高峻雄  赵素玲《中国物理 B》,2008年第17卷第2期
   用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr03Ti07O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3 (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线    

16.  硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究  
   张程浩  狄杰建  谭培培  李明勇  赵全亮  谭晓兰  王大伟《人工晶体学报》,2016年第8期
   采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94% Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 (PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究.结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%.经过1010次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在104 s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化.该结果说明LaNiO3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能.    

17.  含铜铁电电容器SrRuO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/SrRuO3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si异质结的研究  
   陈剑辉  刘保亭  赵庆勋  崔永亮  赵冬月  郭哲《物理学报》,2011年第60卷第11期
   应用磁控溅射法以Ni-Al同时作为Cu与SiO2/Si,Cu与SRO薄膜之间的阻挡层材料,将Cu与SiO2/Si衬底和氧化物薄膜电极隔离,避免它们在高温氧气氛中发生化学反应和互扩散,实现了Cu薄膜与氧化物铁电电容器的集成.采用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了不同温度下快速退火的SrRuO3(SRO)/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu异质结的微结构和表面形貌,结果发现SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu多层异质结薄膜在高达750 ℃仍然具有较强的Cu衍射峰和比较平整的表面,显示出了很好的高温热稳定性.研究了"室温长高温退"和"低温长高温退"两种工艺手段,发现在制备含Cu多层氧化物薄膜异质结时,低温长高温后退火的方式要优于常规的室温长高温后退火方式,通过低温长高温退工艺可以缓解应力、削弱界面粗化和避免高温生长对阻挡层和Cu薄膜结构的破坏.最后结合sol-gel法将Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)生长在该含Cu异质结上,制备得SRO/PZT/SRO/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si含Cu铁电电容器,研究了电容器的薄膜结构、铁电性能和漏电特性等,发现制备的含Cu铁电电容器具有很好的铁电性能,如电滞回线趋势饱和,剩余极化强度高达~42 μC/cm2,矫顽电压为~1.0 V,介电常数~1600,漏电流~1.83×10-4 A/cm2,以及良好的抗疲劳特性和保持特性等,表明导电性优良的Cu薄膜可以应用于高密度高性能铁电电容器.对其漏电机理研究表明,SRO/PZT/SRO含Cu铁电电容器满足空间电荷限制传导机理. 关键词: Cu PZT 铁电电容器 Ni-Al    

18.  Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究  
   王 华  任鸣放《物理学报》,2006年第55卷第6期
   采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3.25La0.75    

19.  2-2型磁电复合薄膜CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3静磁耦合  
   许育东  王雷  石敏  苏海林  伍光《化学物理学报》,2012年第25卷第1期
   运用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋涂制备了2-2型CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3磁电复合薄膜.制备的磁电薄膜结构为基片/PZT/CFO/PZT*/CFO/PZT,通过改变中间层PZT*溶胶的浓度,改变磁性层间距以及静磁耦合的大小.SEM结果表明,复合薄膜结构致密,呈现出界面清晰平整的多层结构.制备的复合薄膜具有较好的铁电与铁磁性能.实验还研究了静磁耦合对薄膜磁电性能的影响,结果表明,随着复合薄膜磁性层间距的减小,静磁耦合效应的增加,磁电电压系数有逐渐增大的趋势.    

20.  La1-xSrxNi1-yFeyO3型钙钛矿双功能氧电极的电化学性能研究  被引次数:7
   宋世栋  唐致远  潘丽珠  南俊民《化学学报》,2005年第63卷第5期
   采用溶胶-凝胶法制备了一系列La1-xSrxNi1-yFeyO3 (x=0, 0.1, 0.2, 0.5; y=0~1.0)型的钙钛矿催化剂, 以活性碳为载体, PTFE乳液为粘接剂制备双功能氧电极. 对催化剂进行了XRD结构分析以及SEM分析和BET比表面积测量. 采用三电极体系测试了氧电极的稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱并对其阴极极化和阳极极化的交流阻抗谱图进行分析. 通过等效电路的拟合研究了该系列双功能氧电极氧还原反应的工作机理. 实验表明对于LaNiO3化合物, B位掺杂可显著提高催化剂的电催化性能; 电极氧还原反应的极化主要由电荷转移反应和Nernstian扩散过程造成. 通过各个电极对于催化分解H2O2的分解速率常数的测定得知, Ni离子对于催化H2O2分解反应的活性大于Fe离子, 继续在对于氧还原反应和氧析出反应都具有较高电催化活性的LaNi0.8Fe0.2O3催化剂上进行A位掺杂Sr离子后显著提高了催化剂分解H2O2的催化活性, 主要是因为氧空位的增多和金属离子d电子含量的降低有利于催化分解H2O2的活性的提高, 但由于氧空位的增多导致催化剂电导率的降低, 所以其电催化活性降低了. 通过多圈循环伏安扫描的测试, 催化剂LaNi0.8Fe0.2O3有很好的稳定性.    

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