基于覆盖度的银行客户分类模型

投资收入是银行的主要收入来源之一。近年来,客户的投资意向显著降低,银行的投资收入减少。因此,银行希望将营销工作重点放在订阅概率更高的客户上。然而,繁多的客户样本以及客户信息导致银行的客户筛选工作低效。面对庞大的客户信息数据,粗糙集理论可以在不影响决策分类结果的前提下,通过属性约简删除属性集中的冗余属性,并导出问题的决策规则,提高效率。但在传统的属性约简过程中,没有针对进入正域的噪声样本进行控制,导致噪声特征被加入约简集。本文基于高效的相关族定义覆盖度,限制进入正域的样本。实验结果表明,覆盖度算法能够提高分类算法准确度及稳定性。最后,本文并将算法运用于银行客户分类实际问题中,剔除无用信息,筛选出关键属性,提高了分类准确度和稳定性,构建简洁高效的银行客户分类模型。     

热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响

采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜, 然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜. 实验结果表明, 在硅含量为～ 42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中, 三种热处理均能形成10¹²/cm²量级的硅纳米晶. 其中在两步热处理中, 硅纳米晶的密度最高, 达到2.2× 10¹²/cm², 并且尺寸均匀、结晶完整性好; 一步热处理后的样品中, 硅纳米晶密度较低, 并且部分纳米晶结晶不充分; 快速热处理后的样品中, 硅纳米晶密度最低、尺寸分布不均匀, 并且存在孪晶结构. 分析认为, 热处理初始阶段的形核过程对纳米晶的密度及微观结构有着重要的影响, 两步热处理中的低温段促进了纳米晶的成核, 有助于形成高密度高质量硅纳米晶.     

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃，然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明，Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中，低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明，低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预     

N-[(2-烷氧基)-取代苯乙基]-苯乙酰胺类化合物的合成及生物活性

以双炔酰菌胺为模板, 利用"基团反转"原理将酰胺中的羰基和氮原子交换位置, 设计了一系列苯乙酰儿茶酚胺类化合物. 从取代苯乙酮出发, 经过溴代、 胺化、 还原制备2-氨基-1-取代苯乙醇(6), 然后与取代苯乙酸反应制备酰胺(7), 最后经烷基化得到一系列保持氮原子位置不变的N-(2-烷氧基-2-取代苯基乙基)苯乙酰胺类化合物(8). 所有目标化合物均通过核磁共振氢谱、 元素分析或高分辨质谱确认, 并测试了其生物活性. 结果表明, 部分化合物对黄瓜霜霉病具有较好的防治活性, 化合物8k在浓度为100 μg/mL时对黄瓜霜霉防效可达75%. 研究还发现, 该类化合物均对蚜虫具有较好的防治效果.     

(BiFeO3)25/(La0.7Sr0.3MnO3)25 多层膜的光学和电学性质

采用射频磁控溅射方法在(001)SrTiO₃衬底上制备(001)取向的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜.光学测试结果表明,1.3-2.1 eV范围内,相对于衬底而言多层膜光吸收增强; BiFeO₃的带隙为2.7 eV. 另外,结合绝缘介质导电模型分析了所测得的电流-电压数据,在所测试的温度及电压下,所制备的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜的导电机理由空间电荷限制电导主导. 关键词： 多层膜 吸光度 空间电荷限制电导     

耦合锗量子点中空穴态对称特性研究

分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型, 对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算, 并探讨了自旋-轨道的相互作用对空穴态对称性的影响. 计算结果表明: 多带耦合的框架下, 随着量子点垂直间距的增大, 空穴基态从成键态转变为反键态, 而且价带基态能级和第一激发态能级发生反交叉现象, 这与单带模型下得到的相应结果存在较大差异. 通过分析六带模型计算得到的成、反键态波函数, 轻、重空穴态和自旋-轨道分裂态对特征空穴态波函数的贡献比例随着量子点垂直间距的增大发生了转变, 并最终导致量子点空穴基态波函数由成键态转变为反键态. 关键词： 耦合量子点 空穴态 成健态-反健态 自旋-轨道     

4H碳化硅单晶中的位错

4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用。然而,4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达10³~10⁴ cm^-2,阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥。本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型,重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理,并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法,最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质,以及4H-SiC基功率器件性质的影响。     

数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展

宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能，在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势，有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂，研究者对其内部机理的理解还不够充分，难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程，介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理，然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后，指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。     

利用红外光谱仪快速测量塑料薄膜厚度

通过对塑料薄膜红外光谱的研究,得到了快速定量无损伤测量塑料薄膜厚度的方法:记录不同厚度的同种塑料薄膜傅里叶变换红外(FT-IR)光谱,应用朗伯-比尔定律,结合红外光谱分析法作出塑料薄膜的厚度与特征峰吸光度的工作曲线,从而快速、准确、无损伤地测量薄膜的厚度.同时建立了特征峰吸光度与厚度线性关系的数学模型,并对此种模型进行了验证.     

TiO2/CdSe多层膜结构的制备及光电化学性能研究

采用电化学方法在导电的ITO/TiO₂ 薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜, 并制得TiO₂/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能. 实验表明, CdSe薄膜沿着(111)方向择优生长, 多层膜结构的厚度和紫外-可见光吸收强度随着沉积层数的增加而增加. 通过测定多层膜电极的光电化学性能表明, 二层膜体系的开路电压和短路电流密度最大,光电化学性能最好.